Datenblatt / Datasheet FP75R12N2T4 B11 - Infineon

Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1www.infineon.com 2018-03-06

FP75R12N2T4_B11

EconoPIM™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTCEconoPIM™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC

VCES = 1200VIC nom = 75A / ICRM = 150A

PotentielleAnwendungen PotentialApplications• •Hilfsumrichter Auxiliaryinverters• •Motorantriebe Motordrives• •Servoumrichter Servodrives

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses• •NiedrigesVCEsat LowVCEsat

• •Tvjop=150°C Tvjop=150°C• •VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor• •Kupferbodenplatte Copperbaseplate• •PressFITVerbindungstechnik PressFITcontacttechnology• •Standardgehäuse Standardhousing

ModuleLabelCodeBarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23

Datasheet 2 V3.12018-03-06

FP75R12N2T4_B11

IGBT,Wechselrichter/IGBT,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 175°C IC nom 75 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 150 A

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 75 A, VGE = 15 VIC = 75 A, VGE = 15 VIC = 75 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,852,152,25

2,15 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 2,40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V

GateladungGatecharge VGE = -15 / 15 V QG 0,57 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 10 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,30 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,16 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload

IC = 75 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 1,1 Ω

td on0,110,120,12

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload

IC = 75 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 1,1 Ω

tr0,040,050,05

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload

IC = 75 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 1,1 Ω

td off0,260,350,38

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload

IC = 75 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 1,1 Ω

tf0,110,190,22

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 75 A, VCE = 600 V, Lσ = 40 nHdi/dt = 1100 A/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGon = 1,1 Ω

Eon

7,8511,513,0

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 75 A, VCE = 600 V, Lσ = 40 nHdu/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGoff = 1,1 Ω

Eoff

4,307,108,00

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 270 A

Tvj = 150°C

tP ≤ 10 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,380 K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink

proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,140 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

Datasheet 3 V3.12018-03-06

FP75R12N2T4_B11

Diode,Wechselrichter/Diode,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 75 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 150 A

GrenzlastintegralI²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 960

920 A²sA²s


DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 75 A, VGE = 0 VIF = 75 A, VGE = 0 VIF = 75 A, VGE = 0 V

VF

1,701,651,65

2,15 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 75 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V

IRM

30,037,539,5

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge


Qr

6,6511,513,5

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy


Erec

2,404,104,75

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,555 K/W


proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,150 K/W


Diode,Gleichrichter/Diode,RectifierHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V

DurchlassstromGrenzeffektivwertproChipMaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 100°C IFRMSM 75 A

GleichrichterAusgangGrenzeffektivstromMaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 100°C IRMSM 100 A

StoßstromGrenzwertSurgeforwardcurrent

tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 600

470 AA


tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1800

1100 A²sA²s


DurchlassspannungForwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 75 A VF 1,15 V

SperrstromReversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA





Datasheet 4 V3.12018-03-06

FP75R12N2T4_B11

IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 175°C IC nom 50 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V


Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 50 A, VGE = 15 VIC = 50 A, VGE = 15 VIC = 50 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,852,152,25

2,15 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V

GateladungGatecharge VGE = -15 / 15 V QG 0,38 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 4,0 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,80 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,10 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload

IC = 50 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 15 Ω

td on0,070,070,07

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload

IC = 50 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 15 Ω

tr0,030,040,04

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload

IC = 50 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 15 Ω

td off0,310,390,41

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload

IC = 50 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 15 Ω

tf0,110,200,23

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 30 nHdi/dt = 1400 A/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGon = 15 Ω

Eon

3,604,805,10

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 30 nHdu/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGoff = 15 Ω

Eoff

3,004,705,40

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 180 A

Tvj = 150°C

tP ≤ 10 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,498 K/W


proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,146 K/W


Datasheet 5 V3.12018-03-06

FP75R12N2T4_B11

Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 25 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 50 A


VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 90,0

80,0 A²sA²s


DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 25 A, VGE = 0 VIF = 25 A, VGE = 0 VIF = 25 A, VGE = 0 V

VF

1,751,751,75

2,25 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 25 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V IRM

29,533,034,5

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge

IF = 25 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V Qr

2,053,354,05

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy

IF = 25 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V Erec

0,751,251,55

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C





NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

NennwiderstandRatedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ

AbweichungvonR100DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %

VerlustleistungPowerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW

B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K



AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

Datasheet 6 V3.12018-03-06

FP75R12N2T4_B11

Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV

MaterialModulgrundplatteMaterialofmodulebaseplate Cu

InnereIsolationInternalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3

KriechstreckeCreepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm

LuftstreckeClearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm

VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200

min. typ. max.

ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 35 nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-ChipModuleleadresistance,terminals-chip

TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'

RAA'+CC'

4,003,00 mΩ

LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C

Anzugsdrehmomentf.ModulmontageMountingtorqueformodulmounting

SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschriftScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 6,00 Nm

GewichtWeight G 180 g

Dieses Produkt ist für die Antriebsapplikationen und unterbrechungsfreie Stromversorgungen entwickelt worden. Eine Verwendung inweiteren Anwendungen ist vom Benutzer eigenverantwortlich zu prüfen.This product has been developed for drives and uninterruptible power supplies (UPS) applications. The utilization in further applicationsneeds to be proven by the user on one’s own responsibility.

Datasheet 7 V3.12018-03-06

FP75R12N2T4_B11

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V

VGE [V]

IC [A

]

5 6 7 8 9 10 11 12 130

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=600V

IC [A]

E [m

J]

0 25 50 75 100 125 1500

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 150°C

Datasheet 8 V3.12018-03-06

FP75R12N2T4_B11

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V

RG [Ω]

E [m

J]

0 2 4 6 8 10 120

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,WechselrichtertransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJC=f(t)

t [s]

Zth

JC [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1ZthJC : IGBT

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,02540,0007

20,08880,0167

30,2330,06

40,03281,172

SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)switchingtimesIGBT,Inverter(typical)tdon=f(IC),tdoff=f(IC),tr=f(IC),tf=f(IC)VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=600V,Tvj=150°C

IC [A]

t [µ

s]

0 25 50 75 100 125 1500,01

0,1

1tdon

tdoff

trtf

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=1.1Ω,Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0 200 400 600 800 1000 1200 14000

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

165

180IC, ModulIC, Chip

Datasheet 9 V3.12018-03-06

FP75R12N2T4_B11

SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)switchingtimesIGBT,Inverter(typical)tdon=f(RG),tdoff=f(RG),tr=f(RG),tf=f(RG)VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V,Tvj=150°C

RG [Ω]

t [µ

s]

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 110,01

0,1

1tdon

tdoff

trtf

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,40

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=1.1Ω,VCE=600V

IF [A]

E [m

J]

0 25 50 75 100 125 1500,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

6,0

7,0

8,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=75A,VCE=600V

RG [Ω]

E [m

J]

0 2 4 6 8 10 120,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

6,0

7,0

8,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

Datasheet 10 V3.12018-03-06

FP75R12N2T4_B11

TransienterWärmewiderstandDiode,WechselrichtertransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJC=f(t)

t [s]

Zth

JC [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1ZthJC : Diode

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,04120,00101

20,2550,0207

30,2260,0719

40,03281,01

DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,00

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150Tvj = 25°CTvj = 150°C

AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-ChoppertransientthermalimpedanceIGBT,Brake-ChopperZthJC=f(t)

t [s]

Zth

JC [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1ZthJC : IGBT

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,04060,00106

20,180,0204

30,25020,061

40,02720,786

Datasheet 11 V3.12018-03-06

FP75R12N2T4_B11

DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-ChoppertransientthermalimpedanceDiode,Brake-ChopperZthJC=f(t)

t [s]

Zth

JC [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1

10ZthJC : Diode

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,130,000959

20,450,0118

30,5320,0431

40,0480,609

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)

TNTC [°C]

R[Ω

]

0 20 40 60 80 100 120 140 160100

1000

10000

100000Rtyp

Datasheet 12 V3.12018-03-06

FP75R12N2T4_B11

Schaltplan/Circuitdiagram

J

Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

I n f i n e o n

TrademarksAllreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.

Edition2018-03-06

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Datenblatt / Datasheet FP75R12N2T4 B11 - Infineon