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Flash-Speicher Funktionsprinzip·Anwendung·Zukunft

Flash-Speicher

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Flash-Speicher. Funktionsprinzip·Anwendung·Zukunft. Gliederung. Einführung Wieso „Flash“? Technik Funktionsprinzip Die Flash-Zelle Der Source-Drain-Kanal Beschreiben des Floating Gates Auslesen der Zelle Löschen der Zelle Architekturen NOR NAND Vergleich Anzahl Löschzyklen - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: Flash-Speicher

Flash-SpeicherFunktionsprinzip·Anwendung·Zukunft

Page 2: Flash-Speicher

Einführung◦ Wieso „Flash“?

Technik◦ Funktionsprinzip

Die Flash-Zelle Der Source-Drain-Kanal Beschreiben des Floating Gates Auslesen der Zelle Löschen der Zelle

◦ Architekturen NOR NAND Vergleich

◦ Anzahl Löschzyklen◦ Kenngrößen

Vor-/ Nachteile SSD und HHD

Gliederung

Page 3: Flash-Speicher

Genaue Bezeichnung: Flash-EEPROM

Halbleitertechnik

Nicht flüchtig (non-volatil)

Beispiele für Verwendung◦ USB-Sticks, Speicherkarten, zur Speicherung von

Firmware, Solid State Drives und Hybridfestplatten

Einführung

Page 4: Flash-Speicher

Traditionelles EEPROM:◦ Selektives Löschen einzelner Zellen möglich◦ Dafür vor jeder Zelle einen eigenen Transistor

Niedrigere Speicherdichte

Flash-EEPROM◦ Nur sektorenweise löschbar („flashen“)◦ Kein zusätzlicher Transistor für jede Zelle◦ Sektor muss vor jeder Änderung gelöscht werden

Einführung – Wieso „Flash“?

EEPROM = Electrically Erasable Programmable Read Only Memory

Page 5: Flash-Speicher

Information = Elektronen in einen Transistor

Floating Gate (Transistor)◦ Entweder leitet (logisch 1) oder sperrt (logisch 0)

Ein Isolator schneidet Floating Gate von Stromzufuhr ab Ladung ist „gefangen“

Ladungszustandsänderung durch Tunneleffekt, der Elektronen durch Nichtleiter lässt

Funktionsprinzip

Page 6: Flash-Speicher

Die Flash-Zelle

ähnelt einen FET 2 Gates: Control Gate; Floating Gate Elektronen auf CG verändern Schwellspannung Elektronen auf FG kodieren Bit

Page 7: Flash-Speicher

Der Source-Drain-Kanal

Strom kann bei ungeladenen Zustand durch den Kanal fließen

Page 8: Flash-Speicher

Beschreiben des Floating Gates

CHE: Channel Hot Electron Verfahren um benötigte Spannung zu reduzieren Source-Drain-Strecke dient als Elektronenbeschleuniger

Page 9: Flash-Speicher

Auslesen der Zelle

Erzeugt durch elektrisches Feld einen leitenden Kanal zwischen Source und Drain

Page 10: Flash-Speicher

Löschen der Zelle

Elektronen werden durch hohe negative Löschspannung wieder „herausgezogen“

Page 11: Flash-Speicher

Es lassen sich nur Blöcke löschen◦ 256 Bytes bis 128 KByte

Schreiboperationen die Daten verändern◦ Machen Lesen und Modifikation in einem Puffer, und

evtl. zurückschreiben in die Flash-Zelle notwendig

Löschen von Flash-Speicher

Deutliche Unterschiede bei Schreib- und Leserate

Page 12: Flash-Speicher

Architekturen - NOR-Flash Speicherzellen sind

über Datenleitungen parallel geschaltet

Zugriff kann wahlfrei und direkt erfolgen

Page 13: Flash-Speicher

Architekturen – NAND-Flash Serienschaltung

Beim Auslesen einer einzelnen Zelle – müssen die anderen in der Kette maskiert werden

Wird Blockweise über interne Register angesprochen

Page 14: Flash-Speicher

NOR- Flash:

+ einfacher ansteuerbar+ schnelleres Lesen

relativ teuer keine hohe Speicherdichte

Verwendung:Bootcode-und Firmwarespeicher

Architekturen - Vergleich

NAND - Flash:

+ schnelleres Schreiben+ höhere Speicherdichte+ höhere Kapazitäten+ mehr Löschzyklen

- Aufwendige Controller-Technik

Verwendung:

USB-Sticks, Speicherkarten, SSD‘s, HHD‘s etc.

Page 15: Flash-Speicher

Anzahl ist begrenzt:◦ ca. 100 000 – 1 000 000 bei NAND-

Flash◦ ca. 10 000 bei NOR-Flash

Löschvorgang = hohe Spannungen◦ Oxid-Schicht wird mit jeden

Löschvorgang ein klein wenig beschädigt (Degradation)

◦ Bei Wegfall der Oxid-Schicht, bleiben Informationen nicht mehr im Floating Gate

Anzahl der Löschzyklen

Page 16: Flash-Speicher

Endurance:◦ Garantierte von Löschzyklen ohne Defekt◦ Typischer Wert: 100 000 bzw. 1 000 000

Retention:◦ Zeitspanne, in der Daten lesbar bleiben◦ Elektronen können spontan von Floating Gate

abwandern◦ Typischer Wert: 10 Jahre

Kenngrößen

Page 17: Flash-Speicher

Nicht Flüchtig Geringer Energieverbrauch Resistent gegen Erschütterungen und

magnetischen Feldern Geringes Gewicht Geräuschlos Sehr hohe Datendichte Kurze Zugriffszeiten (im Vergleich zu

Festplatten

Vorteile von Flash-Speicher

Page 18: Flash-Speicher

Teurer als Festplatten und optische Speicher Langsamer als RAM Löschen nur ganzer Sektoren Komplexe Ansteuerung Begrenzte Anzahl von Schreibzyklen

Nachteile von Flash-Speicher

Page 19: Flash-Speicher

Aus Speicherchips aufgebaut, wird festplattenartig angesprochen

Große Schock- und Temperaturtoleranz

Soll die Festplatte in den nächsten Jahren vor allem im mobilen Bereich und später komplett verdrängen

Solid State Disk (SSD)

Page 20: Flash-Speicher

Mischung aus persistenten Halbleiterspeicher und magnetischen Speicher

Soll Lese-/Schreibkopf entlasten

Ansatz zur Verbindung von Vorteilen von Flash- und traditionellen Festplattenspeicher

Hybrid Hard Disk (HHD)

Page 21: Flash-Speicher

Danke für Eure Aufmerksamkeit

Ende