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Duyan, H. / Hahnloser, G. / Traeger, D.: PSpice - Eine Einfiihrung, B.G. Teubner, 1992

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Hodges, D. A. / Jackson, H. G.: Analysis and Design of Digital Inte­grated Circuits

HOfer, E. E. E. / Nielinger, H.: SPICE; Springer-Verlag

Khakzar, H. / Mayer, A. / Oetinger, R.: Entwurf und Simulation von Halbleiterschaltungen mit SPICE; Expert -Verlag

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Kuhnel, C.: Schaltungsdesign mit PSpice unter Windows, Franzis­Verlag

KUhnel, C.: Schaltungssimulation mit PSPICE, Franzis-Verlag

Meaves, L. / Hymowitz: Simulation with SPICE; Intusoft

289

Muller, K. H.: Elektronische Schaltungen und Systeme simulieren, analysieren, optimieren mit SPICE, Vogel Verlag

Santen, M.: Das PSpice Design Center 6.1 Arbeitsbuch, Hicher Verlag

Tuinenga, P. W.: SPICE, A Guide to Circuit Simulation and Analysis Using PSpice; Prentice Hall

Stichwortverzeichnis

Abfallverzogerung 51 Abfallzeit 40, 43 Abfallzeitkonstante 51 abklingender Verlauf (Span-

nung, Strom) 57 Ableitung 173 ABS 172 Abschnfuspannung 92, 99 .AC 148 AC 35 ff., 143, 153, 192 Add 170 Add Plot 190 Add Y Axis 190 Andem der Bauteilbezeich­

nungen und Bauteilwerte 18, 125

analytisches Modell (MOS-FET) 95

Anfangsspannung 40, 49 Anfangsstrom 40, 49 Anfangswert (automatisch) 18 Anstiegszeit 40, 43 Anstiegszeitkonstante 51 Append 159 Arbeitsflache 14 ARCTAN 173 Arcustangens 173 Area 195 Arrange 216 ATAN 173

Ausgabedatensatz 145 Ausgabeformat 145 Ausgabe mit 2 y-Achsen 251 Ausgangs-F eedbackparameter

100 AVG 173 AVGX 173

B 16 Bahnwiderstand 84 Bandabstandsspannung 84, 90,

101 Bandbreite 254 Basisbahnwiderstand 88 Basis-Emitter-Diffusionsspan-

nung 88 Basis-Emitter -Gradations expo­

nent 88 Basis-Emitter-Leck-Emissions­

koeffizient 87 Basis-Emitter-Leck-Satti­

gungsstrom 87 Basis-Emitter-Sperrschicht­

kapazitat 88 Basis-Kollektor -Diffusions­

spannung 88 Basis-Kollektor-Gradationsex­

ponent 88

291

Basis-Kollektor-Leck-Emis- Copy to Clipboard 211 sionskoeffizient 88 COS 173

Basis-Kollektor-Leck-Satti- Cosinus 173 gungsstrom 87 COUPLING 74

Basis-Kollektor-Sperrscbicht- Cursor 199 kapazitat 88 Curtice-Modell 99

Bauteilltnderungen 281, 285 f. Cut 167 Bauteilbezeichnung 21, 125 Bauteilbibliotheken, altere 119 Bauteilbibliotheken, bestehen- 3 dB-Frequenz 279

de einbinden 286 d 173 Bauteilbibliotheken, eigene D 16

281 Dampfungsfaktor 58 Benutzeroberflache 12 damping factor 58 Berechnung 127 DB 144, 173 Beschrankungen der Demo- .DC 147, 192

version 6 DC 35 fI., 143, 153 Betrag 144, 172 f. delay 40, 43, 58 Bipolartransistoren 17, 86 Delete 169 BSIM-Modell 95 Delete Plot 191 BSIM3-Modell 95 Delete Y Axis 190

Demoversion 1, 6, 7 Design Center 1, 7

C 16,69 DifIerenzverstilrker 256 capacitance limiting voltage DiffiIsionsspannung 84

101 Digitaler Ausgang 17 capacitance transition voltage Digitaler Baustein 17

101 Digitaler Eingang 17 carrier frequency 55 Digital Size 191 Cg-Koeffizient 84, 89 DIN-Darstellung 281 .CIR 135 ff., 145 Diode 16, 83 Cj-Koeffizient 93Close 160, Dirac-StoB 45 f. 216 Display Control 208 Copy 168

292

Doping-Faktor in der epitaxia­len Region 90

Dotiemngsverlaufsparameter 99

Drain-Bahnwiderstand 93, 96, 100

Drain-Source-Diffusionsober­fHichenwiderstand 96

Drain -Source-Durchgangs-widerstand 96

Drehen eines Bauteiles 20 Durchbmchsfaktor 84 Durchbmchsspannung 84

E 16, 60 Early-Spannung 87 Edit Library 79 Edit-Menu 167 Edit Model 78 Edit Reference Designator 19,

20 Effektivwert 173 Einheitssprung 45 f Emissionskoeffizient 83, 87,

93 Emitter-Bahnwiderstand 88 .END 154 Entfernen von Bauteilen 124 Entfernen von Simulationskur-

ven 176 Erstellen einer eigenen Bau­

teilbibliothek 281 Eval Goal Function 179

Exit 67 EXP 172 Exponent 172 exponentieller Verlauf (Span­

nung, Strom) 49

F 16,20, 64 fall delay 51 fall time 40, 43 fall time constant 51 Fehler, haufige 138 ff. FFT 277 File-Menu 157 Fit 194 .FOUR 147 Fourier-Analyse 107, 114, 147 Frequenzanalyse 107 Frequenzgang 272 frequenzmodulierte Ausgangs-

spannung/-strom 54 Funkelrauschexponent 85, 91,

94, 97, 101 Funkelrauschkoeffizient 85,

91, 94, 97, 101 Funktionstasten 27 ff., 31

G 17,20,6,172 GaAsFET 16, 98 Gain 60 ff GASFET 98 Gate-Bahnwiderstand 96, 100

Gate-Drain-Sperrschichtkapa­zitilt 93, 100

Gate-Drain-Uberlappungska­pazitilt 93

Gate-Emissionskoeffizient 100 Gate-Gradationskoeffizient

100 Gate-Sattigungssperrstrom 92,

100 Gate-Source-Sperrschichtkapa­

zitilt 93, 100 Gate-Source-Uberlappungska­

pazitat 97 Gate-Sperrschicht -Diffusions­

spannung 93 Gate-Sperrschicht-Emissions­

koeffizient 93 Gate-Sperrschicht-Gradations­

koeffizient 93 Gate-Sperrschicht-Potential

100 . Gate-Sperrschicht-Rekombina­

tionsstrom 93 Gate-Substrat-Uberlappungs­

kapazitilt 97 gesteuerte Quellen 60 ff. Gleichspannungsanteil 35 fl.,

55,58 GleichspannungsqueUe 35 Gleichstromanalyse 147, 153 Gleichstromanteil 36 ff., 55,

58 Gleichstromarbeitspunkt 146

293

Gleichstrom-Arbeitspunkt­Analyse 115

Gleichstrom-Empfindlichkeits­analyse 146

Gleichstrom-Kleinsignal-analyse 146

Gleichstromquelle 36 Gradationsexponent 84 Gruppenlaufzeit 172

H 17,62 Halbleiterbauelemente 78 Help-Menu 218 Hochstrom-roll-off-Koeffizient

88 Hotkeys 27, 31, 218

I 17 Ies 102 IEXP 49 Imaginarteil 144, 172 IMG 172 Impulsantwort 45 In 194 initial current 43, 49 initial voltage 40, 49 Installation 4, 5 Integral 173 lonisationskniespannung 93 lonisationskoeffizient 93 IPLOT 142, 145 IPRINT 142, 145

294

IPulse 43 IPWL 52 ISFFM 54 ISIN 57 ISRC 36, 38 IS-Temperaturexponent 84, 90 IS-T emperaturkoeffizient 93,

101

J 17

K 17, 20, 74 Kanallange 96 Kanallangen-Modulationswert

92,99 Kanalweite 96 kapazitiire Maximalspannung

101 kapazitlire Schwellspannung

101 Knickstrom 87 Kniestrom 83 Knotennummer 27, 126 Knotenpunkte 26 Kollektor-Bahnwiderstand 88 Kollektor-Substrat -Diffusions-

spannung 89 Kollektor-Substrat-Gradations­

exponent 89 Kollektor-Substrat-Sperr­

schichtkapazitiit 89 Kondensator 16, 69

Kopieren von Simulations­kurven 176

Kopplungsfaktor 17, 74

L 17, 72 Label 196 Ladung in der epitaxialen Re­

gion 89 Ladungstniger-Beweglichkeits-

Kniespannung 90 Laufzeit 75 Layoutprogramm 23 Leitungen 17, 75 Leitungen, verlustbehaftete 76 Leitungen, verlustfreie 75 LeitungsbeUtge 77 Leitungsimpedanz 75 Leitungslange 75 Leitungsstrom-VerzOgerungs-

zeit 100 LEN 77 LOG 172 LOGI0 172 logarithmische Darstellung

272 Logarithmus zur Basis e 172 Logarithmus zur Basis 10 172 Log Commands 165 Low-level Durchbruch-Knie-

strom 84 Low-level Durchbruchs-Faktor

84 LPNP 86

M 17,20,21, 172 Macro 176 MAG 144 Massepunkt 27 MAX 173 Maximum 173 Maus 11 MEG 20 MIL 20 MIN 173 Minimum 173 Mittelwert 173 .MODEL 81 Model Editor 78 Modellparameter 148 Modellwahl 96, 99 Modify Object 169 Modify Title 170 modulation frequency 57 Modulationsfrequenz 57 Modulationsgrad 57 modulation index 57 MOSFET 17,94

N 17,20 Netzliste 16, 18, 134 f. New 216 NJF 92 N-Kanal-FET 92 N-Kanal-MOSFET 95 NMOS 95 .NOISE 147 NOMOD 148

295

Normaltemperatur 67 Normierte Ausgabe 235 NPN-Bipolartransistoren 86 Numerierung (automatisch) 18

o 17 Offset 38 ff., 55, 58 Ohmsche Widerstande 66 .OP 146 Open 157 Optimizer 2 .OPTIONS 148 Options 211 Ortskurve 244 Out 194

P 20,172 Package Reference 23 Package Reference Designator

20 Pan - New Center 196 Page Setup 161 Parallelschwingkreis 120 Param 104, 229 Parameteranalayse 231 Parameterfunktion 229 Parameters 104 Parametric 231 Parker-Skellem-Modell 99 Parts 2, 6, 79 Paste 168

296

peak amplitude of current 55, 58

peak amplitude of voltage 55, 58

peak current 49 peak voltage 49 Perfonnance-Analyse 254 period 40, 45 Periodendauer 40, 45 phase 58 Phase 58, 144, 172 Phasendrehung, zusatzliche 89 Phasenverlauf 239 PJF 92 P-Kanal-FET 92 P-Kanal-MOSFET 95 PKGREF 23, 24 PMOS 95 PNP-Bipolartransistoren 86 .PLOT 141 ff Plot-Menu 184 Polaris 2 Positionieren der Bauteilbe­

zeichnungen u. Bauteilwerte 18

Potentiometer 103 Power-Law-Parameter 100 Previous 195 .PRINT 141 ff. Print 160 PRINTl 142 f Printer Select 165 Probe 129, 149 ff. Probe-Fenster 155 f

Probe-Symbolleiste 220 PSpice 1 PSpice-Netzlisten, altere 135 pulsed current 43 pulsed voltage 40 pulse width 40, 45 Pulsquelle 39 Pulsweite 40, 45 PWR 173

Q 17 Quadratwurzel 72

R 17, 66,172 Rauschanalyse 107, 111, 147 Raytheon-Modell 99 Realteil 144, 172 Redraw 195 REFDES 23 f Reihenschwingkreis 225, 246 Rekombinationsstrom 83 rise delay 49 rise time 40, 43 rise time constant 51 RMS (root mean square) 173 Rotieren eines Bauteiles 20 Ruckwarts-beta-Temperatur-

koeffizient 90 Ruckwartsstromverstarkung 87 Ruckwarts-Transitzeit 89 Run Commands 166

s 173 S 17 Sattigungsfaktor 99 S!lttigungssperrstrom 83 Schalter, spannungsgesteuerter

17 Schalter, stromgesteuerter 17 Schaltfl!lchen 9, 10 Schaltplan 131 Schematics 6 ff. Schnelle F ouriertransfonnation

277 SchwarzweiBdrucker 223 SEL 190 f., 200 selbsterstellte Bauteile 79 semi-empirisches Kurz-Kanal-

ModeU 95 .SENS 46 Set Attribute Value 21, 26 SGN 172 Shichman-Hodges-Modell 95 Signumfunktion 172 Simulation Messages 208 Simulationonly 34 SIN 173 Sinus 173 Sinusquelle 37 Source-Bahnwiderstand 93,

96, 100 spannungsgesteuerte Span­

nungsquelle 16, 60 spannungsgesteuerte Strom­

quelle 17, 61 Spannungskoeffizient 70

SpannungspulsqueUe 40 SpannungsqueUe 17, 34 Sperrschicht-F eldeffekt-

transistoren 17, 92 SPICE 1

297

Spiegeln (eines Bauteiles) 20 Spitzenspannung 40, 49, 55, 58 Spitzenstrom 43, 49, 55, 58 Sprungantwort 45 Sprungfunktionen45 Spulen 17, 72 SQRT 172 statischer F eedbackparameter

99 statische Sperrschichtkapazitat

84 Statistikdaten 214 Statusdialogfenster der Bau-

teile 21 f. Statz-Modell 99 Stecker 34 Steuerfaktor 60, 64 Steuerleitwert 61 Steuerspannung 60 f. Steuerstrom 63 f. Steuerwiderstand 62 f. Stimulus Editor 2 stromgesteuerte Spannungs-

queUe 16, 62 stromgesteuerte Stromquelle

17,64 Stromkoeffizient 73 Strompulsquelle 43

298

Stromquelle 17, 34 Stiickliste 134 stiickweise linearer VerI auf

(Spannung, Strom) 41 Substrat-Bahnwiderstand 96 Substrat-Boden-Sperrschicht­

Gradationsexponent 97 Substrat-Boden-Sperrschicht­

kapazitiit 97 Substrat-Drain-Sperrschicht­

kapazitat 97 Substrat-Emissionskoeffizient

88, 96 S ubstrat -Sattigungssperrstrom

96 Substrat-Sattigungssperrstrom­

dichte 96 Substrat-Sattigungsstrom 88 Substrat-Seitenwand-Kapazitat

97 Substrat-Seitenwand-Sperr­

schicht -Gradationsexponent 97

Substrat-Source-Sperrschicht-kapazitat 97

Substrat-Sperrschicht-Diffu­sionsspannung 96

Substrat-Sperrschicht-Transit­zeit 97

Symbolbibliothek 18 Systemkonfiguration 3

T 17, 75 TAN 173 Tangens 173 Tastenkombinationen 29 fT.,

32 £ T eilschaltung 17 Temperatur 85, 91, 94, 98,

101 £ Temperaturkoeffizient 66 iI,

84 £, 90, 93, 101 Template 22 .TF 146 TLOSSY 77 Tolerance 23 Tools-Menii 196 Trace-Menii 170 Tragerfrequenz 55 .TRAN 148 tran 35 fT., 143 Transient 112, 153, 193 Transistoren 86 Transitzeit 84 Transportsattigungsstrom 87 Trimmkondensatoren 103 TriQuint-Modell 99

U 17, 20 Obertrager 17, 74 Ubertragungsleitwertparameter

92,99 unnormierte Ausgabe 251 Unsync Plot 191 Urquellen 34

V 17 veranderliche Bauteile 103 Verbinden der Bauteile 24 f.,

124 Vergabe von Knotenpunkten

26 VerkOrzungsfaktor 75 Verz6gerung beim Start 40,

43, 49, 58 Verz6gerungszeit 75 VEXP 49 View-Menu 193 Voreinstellungen 121 Vorwarts-beta-Temperatur-

koeffizient 90 Vorwarts-Emissionskoeffizient

87 Vorwarts-Transitzeit 89 Vorwarts-VerarDlungs-

kapazitilts-Koeffizient 100 Vorwartsverstarkung 87 VPLOTl 142, 144 VPLOT2 142, 144 VPRINTl 142 £ VPRINT2 142, 144 VPulse 40 VPWL 51 VSFFM 54 VSIN 57 VSRC 35, 37 VTO-Temperaturkoeffizient

101

W 17 Wechselspannungsanteil

299

35 ff., 55 f., 58 Wechselstromanteil 36 ff., 55,

58 Wechselstrom-Kleinsignal-

analyse 148, 153 Wechselstromquelle 38 Widerstand 17 Widerstand in der epitaxial en

Region 89 Win32s 3 ff., 160 Window-Menu 216 Wire 24

X Axis Settings 184 XFRM_LINEAR 74

Y Axis Settings 188

Z 17 Z-Diode 85 Z-Spannung 85 Zeichnen 122 if. Zeichenfl&che 11 Zeigerlange 172 Zeitanalyse 112, 148, 153 Zeitverhalten 274 Zielfunktion 181