• Home

  • Documents

  • Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t...
41
© Fraunhofer IZFP-D Mit Beiträgen u.a. von René Hübner, Peter Krüger, Kopycinska-Müller, Sven Niese, Rüdiger Rosenkranz, Yvonne Ritz, Andre Striegler, Ehrenfried Zschech Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik Bernd Köhler

Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

Embed Size (px)

Citation preview

Page 1: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Mit Beiträgen u.a. von

René Hübner, Peter Krüger, Kopycinska-Müller, Sven Niese, Rüdiger Rosenkranz, Yvonne Ritz, Andre Striegler,

Ehrenfried Zschech

Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik

Bernd Köhler

Page 2: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

High Resolution Electron- and Ion-

microscopy

Transm. Electron Microscopy (TEM)Scanning Electron Microscopy (SEM)Focussed Ion Beam Techniques (FIB)

Nano-X-Ray Tomography (XCT)Nano-X-Ray Radiography (TXM)

(acoustic) Atomic Force Microscopy (AFAM / AFM)

NanoindentationScanning Acoustic Microscopy (SAM)

AFM AFAMXCT

TXM

FIB

SEM TEM

Nanoindentation

High Resolution Optical Properties

High Resolution MechanicalProperties

High Resolution X-Ray Techniques

Scanning Nearfield OpticalMicroscopy (SNOM)

Nano-Raman

10 nm Au particle

Raman-Shift

Mikro- und Nanoanalytik @ IZFP-D

SAM

Page 3: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

TEM (IZFP)

Tools - Microscopy Innovation Center Dresden

Joint Preparation Lab. SEM / FIB (Zeiss)

Page 4: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Zeiss LIBRA® 200 HR MC Cs STEMAnalytisches TEM (200 kV)

Monochromator

3-Linsen-Kondensorsystem

Cs-Strahlkorrektor

High-Resolution Objektivlinse

Korrigierter Omega-Filter

Ausgewählte Spezifikationen:Laterale Auflösung (STEM): < 0.12 nm

Energieauflösung: < 0.15 eV

Punktauflösung: ≤ 0.24 nm

Anwendungsbereiche (Auswahl):TEM-Hellfeldabbildung

HAADF-STEM-Abbildung

EDXS

Kombinierte EDXS-/EELS-Analytik

EFTEM-Analytik

Elektronentomographie

Transmissionselektronenmikroskopie

Dr. René Hübner

Page 5: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Rasterelektronenmikroskopie (REM) Focussed Ion Beam (FIB)

3d-Bild

Dr. Rüdiger Rosenkranz

CrossBeam NVision 40®

FE-SEM & Ga-FIBEDXGas assisted etch & depositionKleindiek Nanomanipulator

Ausgewählte Spezifikationen:Auflösung (REM): 1.1 nm @ 20kV

2.5 nm @ 1 kVAuflösung FIB: ≤ 4nm @ 30kV

Anwendungsbereiche (Auswahl):REM mit klassischer PräparationFIB zur Präparation und Abbildung TEM ProbenpräparationFehlerlokalisation (z.B. Potentialkonstrast)

Forschungsprojekte (Auswahl):Kombination mit Laser-Cutting, LLBSE

Page 6: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

High Resolution Electron- and Ion-

microscopy

Transm. Electron Microscopy (TEM)Scanning Electron Microscopy (SEM)Focussed Ion Beam Techniques (FIB)

µ & Nano-X-Ray Tomography (XCT)µ & Nano-X-Ray Radiography (TXM)

AFM AFAMXCT

TXM

FIB

SEM TEM

High Resolution Optical Properties

High Resolution MechanicalProperties

High Resolution X-Ray Techniques

Scanning Nearfield OpticalMicroscopy (SNOM)

Nano-Raman

10 nm Au particle

Raman-Shift

Mikro- und Nanoanalytik @ IZFP-D

Nanoindentation

SAM

(acoustic) Atomic Force Microscopy (AFAM / AFM)

NanoindentationScanning Acoustic Microscopy (SAM)

Page 7: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Nano-Röntgen Mikroskopie/Tomographie

Ausgewählte Spezifikation:Auflösung grosse Aufnehmefeld

< 50 nm @ 8keV (CuKα)

Auflösung Hochauflösung

< 25 nm

nano-XCT von Xradia:

Quellen: Cu (CuKα 8keV)Cr (CrKα 5keV)

Energiefilter Abbildung mit Frenel LinseAbsorptionkonstrast,Phasenkontrast

Anwendungen:Tomographie der Porosität von Gesteinen/Membranen

Defektoskopie von Mikroobjekten

z.B. on Chip Verdrahtung /Chip Durchkontaktierungen (3D TSV)

Blick hinter die Kulissen

Page 8: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

High Resolution Electron- and Ion-

microscopy

Transm. Electron Microscopy (TEM)Scanning Electron Microscopy (SEM)Focussed Ion Beam Techniques (FIB)

Nano-X-Ray Tomography (XCT)Nano-X-Ray Radiography (TXM)

AFM AFAMXCT

TXM

FIB

SEM TEM

High Resolution Optical Properties

High Resolution MechanicalProperties

High Resolution X-Ray Techniques

Scanning Nearfield OpticalMicroscopy (SNOM)

Nano-Raman

10 nm Au particle

Raman-Shift

Mikro- und Nanoanalytik @ IZFP-D

Nanoindentation

SAM

(acoustic) Atomic Force Microscopy (AFAM / AFM)

NanoindentationScanning Acoustic Microscopy (SAM)

Page 9: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Hochaufgelöste elastische Eingenschaften mit AFAM

AFM AFAM

Dr. Malgorzata Kopycinska-Müller, Dr. Bernd Köhler

deflection

Applikationsbeispiele:Steifigkeitsmapping an biolog.-Materialien und Polymeren

quantitative Bestimmung der Steifigkeit in Schicht-Systemen

Technical parameters:

Tip radius: 5 nm – 50 nm

Static loads: 10 nN – 1.5 µN

Contact radius: 2 nm – 15 nm

Thin films with t > 50 nm – direct characterization

t < 50 nm – substrate influence

AFAM system

Device Modification by IZFP-D

Page 10: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

High Resolution Electron- and Ion-

microscopy

Transm. Electron Microscopy (TEM)Scanning Electron Microscopy (SEM)Focussed Ion Beam Techniques (FIB)

Nano-X-Ray Tomography (XCT)Nano-X-Ray Radiography (TXM)

AFM AFAMXCT

TXM

FIB

SEM TEM

Nanoindentation

High Resolution Optical Properties

High Resolution MechanicalProperties

High Resolution X-Ray Techniques

Scanning Nearfield OpticalMicroscopy (SNOM)

Nano-Raman

10 nm Au particle

Raman-Shift

Mikro- und Nanoanalytik @ IZFP-D

(acoustic) Atomic Force Microscopy (AFAM / AFM)

NanoindentationScanning Acoustic Microscopy (SAM)

SAM

Vielen Dank für Ihre Aufmerksamkeit.

Wir diskutieren gerne Ihre Fragestellungen mit Ihnen !

Page 11: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Hier folgen die Folien, zu denen gesprungenwerden kann.

Page 12: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Sprungbereich TEM

Page 13: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

TEM-Hellfeldabbildung

RuhbildmikroskopieMit vorwiegend ungebeugten Elektronen

Unter Ausnutzung des Streuabsorptions-kontrasts und des Beugungskontrasts

Für eine Vielzahl von Proben

Zur Strukturcharakterisierung, Prozess-kontrolle, physikalischen Fehleranalyse

Anwendungsbereiche:Vergrößerungen: 8x – 106 x

Punktauflösung: ≤ 0.24 nm

Bildaufnahme: ∼ 1 s

Dr. René Hübner

Proben vom IWS

Multilayer Röntgen-Spiegel

Page 14: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

TEM: Nanodimanten für Sensor-Anwendungen

Sample preparation at Fraunhofer IZFP (A. Pohl)

Page 15: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

HAADF-STEM-Abbildung

Raster-TransmissionselektronenmikroskopieMit stark gestreuten Elektronen

Unter Ausnutzung des Ordnungszahlkontrasts zur qualitativen chemischen Analyse

Für eine Vielzahl von Proben

Zur Strukturcharakterisierung, Prozesskontrolle, physikalischen Fehleranalyse

Spezifikationen:Vergrößerungen: 2·103 x – 5·106 x

STEM-Auflösung: ≤ 0.12 nm

Bildaufnahme: ∼ 10 s

Charakterisierung von Transistor-strukturen

Dr. René Hübner

Page 16: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Kombinierte EDXS-/EELS-Analytik

Chemische AnalytikMittels energiedispersiver Röntgenspek-troskopie

(EDXS) und/oder Elektronen-energieverlustspektroskopie (EELS)

Als Punkt-, Linien- oder Flächenanalyse

Für alle Elemente mit Z ≥ 3

Spezifikationen:Laterale Auflösung: ∼ 1 nm

Nachweisgrenze: ∼ 1 at.-%

Energieauflösung:

EELS: < 0.15 eV (Monochromator)

EDXS: ∼ 130 eV

Zeitaufwand: ∼ 10 s pro Messpunkt

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 600

10

20

30

40

50

60

70

80

Inte

nsitä

t [w

. E.]

Position [nm]

Cu Ta Si N

Cu/Ta62Si20N18/SiO2/Si: 600°C/100h

Stabilität von Diffusionsbarrieren

Dr. René Hübner

Page 17: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

EFTEM-Analytik

Chemische AnalytikAufnahme von Elementverteilungsbildern mittels

energiegefilterter Abbildung

Basierend auf EELS

Sequentiell für alle Elemente mit Z ≥ 3

Zur Prozesskontrolle und physikalischen Fehleranalyse

Spezifikationen:Laterale Auflösung: < 1 nm

Energieauflösung: ∼ 20 eV

Zeitaufwand: ∼ 1 min pro Element-verteilung

SiNiTiO

Hellfeldabbildung

Elementverteilungen

Dr. René Hübner

Page 18: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

TEM – Elementanalyse (for HZB)

Wo befindet sich das Scandium in Al(Sc) Proben

Particle

Grain

Grain boundary

Triple point

Antwort: nur in Partikel-Ausscheidungen

Page 19: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

SprungbereichFIB/REM

Page 20: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

RasterelektronenmikroskopieSchnelle Inspektion von Strukturen z.B. zur Prozesscharakterisierung

Dr. Rüdiger Rosenkranz

Page 21: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Focused Ion Beam

3d-Bild

Dr. Rüdiger Rosenkranz

Page 22: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

TEM-Probenpräparation

Mit fokussiertem Ionenstrahl (FIB) fürKonventionelle und planare Lamellen

Zielpräparation mittels in-situ Lift-out

Spezielle Probengeometrien (z.B. Zylinder für Tomographie)

Spezielle Probenhalter (z.B. Be-Träger)

Reduzierung der Randamorphisierung durch Polieren mit Ga-Ionen geringer Energie

Enthaltene Leistungen:TEM-Zielpäparation für bereitgestelltes Probenmaterial

Spezifikationen:Kontrolle der finalen Dicke

Kontrolle der Randamorphisierung

KonventionelleLamelle

Planare Lamelle

Lift-out-Lamelle

Dr. René Hübner

Page 23: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Fehlerlokalisierung

Nano-Prober im REMLokalisierung von Opens und Shorts mittels passivem und aktivem Potenzialkontrast 3d-Bild

Dr. Rüdiger Rosenkranz

Page 24: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

SEM/FIB- Project: Laserablation in Cross Beam Anlagen Für Querschnittespräparation ist Focused Ion Beam heute „state of the art“

Viele Proben erfordern zuviel Bearbeitungszeit

Laser-Mikrobearbeitung ist eine etablierte Technik, bisher aber nicht in Kombination mit einem SEM/FIB tool

SEM/FIB-tool

Laser

Laser preprocessing subsequent FIB-preparation

in one single tool

IZFP: Hard- and Software für die Integration eines Laser Systems in ein Zeiss SEM/FIB

Page 25: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Through Silicon Vias (TSV) for 3D Integration

FIB cross sectioning

SEM/FIB: Project Laserablation

Laser Bearbeitung

Querschnitte tief im Volumen werden benötigt.

Page 26: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

FIB cut

SEM/FIB: Solar cell investigation (Solarion)

Studium der Kontakt Pads

Page 27: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Leistung 95%Frequenz 20 kHzv = 100 mm/sLinienabstand 15 µmSchraffur 30xUmgebung Vakuum

12ps, max. 800 kHz, max. 50W, 1030nmOptik: f=100mmPlanfeldlinse => Fokusdurchmesser ~20µmAbtrag per Kreuzschraffur mit ~6µm Puls- und SpurversatzPulsenergie < 10µJUmgebung Luft

Proposed Project: Evaluation of Alternative Laser for Laser X-Beam

derzeitig verwendeter Laser alternativer Laser

Page 28: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Low-Loss Back-Scattered Electron (LL BSE) Contrast Zeiss Feature ( derzeitig einzigartig): in-lens Detektion mit Trennung von Sekundärelektronen (SE) and Rückstreuelektronen (BSE) Kontrast

BSE- spectrumSE- LL-BSE

© Jacksch, Zeiss NTS

Page 29: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

SprungbereichRöntgen

Page 30: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Röntgen- Röhre

Energie Filter

Kondensor(Sammeloptik)

Probe

Objektiv(Zonenplatte)

KameraZernikePhasenring

Courtesy: Xradia Inc., Concord/CA

Schema der Laborbasierten Röntgen Miroskopie

Page 31: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Röhre Kollimator Probe Linse Kamera

Realer Aufbau der Labor Röntgen-Mikroskopie

Page 32: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

klassisches abbildendes RöntgenMikro-CT

RGeo > DF

Auflösung ist durch die Quellgröße bestimmt

DF > 0.6 µm (dünnes Target)

SDD

SOD

DF

UF

Page 33: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Hochauflösende Röntgentechniken

MikroCT (> 2 µm)

Defektoskopie

Alu-/Plastguss

Verklebungen

Zusammenbau- und Funktionsprüfung

Materialuntersuchungen

Medizinische Untersuchungen (an Präparaten)

Diamanttarget

Soft X-ray Kamera

Page 34: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Tomography (CT), Laminography (CL) Johann Radon

backprojection possible based on projections of different angles

Rotation of sample or X-ray source

Reconstruction of 3D data, e.g. by filtered backprojection

Aufnahme-Geometrie hängt von der Probengeometrie ab

Zylindrische Proben: normale CT

flache Proben: Laminography, typical artifacts

CT Limited angle CL CL with tilted axis

NEW!

laterale Ausdehnung des Objektes kann > Abstand Quelle-Objekt sein !

Page 35: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

µ CL- Beispiel: Keramische Mehrlagenleiterplatte (d=0.5 mm)

Ungenügende Aussage über Maßhaltigkeit, Vollständigkeit, Alignment,…

Vollständige Trennung der einzelnen Lagen

Radiographie

Tomographie/Laminographie

Page 36: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

µCL-Beispiel: Interposer/Underfiller

Micro focus X-ray CL

resolution down to 1 µm

package inspection

In-Situ inspection (preserving functionality)

Interposer (a)

Underfiller (b)

laminography:

imaging of interposer layers

underfiller with cracks and pores

a

b

Page 37: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

computed Laminographie CL

TSVs in einem 300 mm Wafer

Radiographie

keine Probennahme erforderlich

Page 38: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

nano CT an TSV- Arrays

TSV-Array

Dr. Peter Krüger

Einzelschnitte

Page 39: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

nanoXCT an TSV

Comparison of FIB cross section and nanoXCT

SEM nanoXCT

Cavity

Void chain

Round bottom

Page 40: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

SprungbereichAFAM

Page 41: Mikro- und Nanoanalytik für die Mikroelektronik · Contact radius: 2 nm –15 nm Thin films with t > 50 nm –direct characterization t < 50 nm –substrate influence AFAM

© Fraunhofer IZFP-D

Literaturwerte für Mf für SiO2:70 GPa … 90 GPa

Bestimmung des Indentationsmoduls des Schichtmaterials

F

AFAM- Quantitative Ergebnisse : Steifigkeit von Schichten

Dr. Malgorzata Kopycinska-Mueller

t [nm] Mf [GPa]

28 77.5 ± 8.7

16 88.1 ± 10.2

11 94.3 ± 8.9

8 94.9 ± 12.1

Nanoind (ASMEC)

82

87

80

76

Thin – film Probe Messung des Indentationsmodus Msam

Daten Analyse

4444 34444 21

samM

tF

sfst

eMMMME

1

*

11111

⎥⎥⎦

⎤

⎢⎢⎣

⎡⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛−++=

−α

Si02 auf Si


Kapitel 5. Struktur der Nanodrähte · Kapitel 5. Struktur der Nanodrähte 0 20 40 60 80 100 120 0 50 100 150 200 Silizium Sauerstoff EDXS Signal (w.E.) Position (nm) 100 nm Abbildung

Kapitel 5. Struktur der Nanodrähte · Kapitel 5. Struktur der Nanodrähte 0 20 40 60 80 100 120 0 50 100 150 200 Silizium Sauerstoff EDXS Signal (w.E.) Position (nm) 100 nm Abbildung

Documents
7 nm g_2015

7 nm g_2015

Science
Nanoanalytik – Möglichkeiten und Grenzen bildgebender ... · deren Abmessungen in mindestens einer Dimension kleiner als 100 nm sind. Dazu zählen: • Partikel-, • Röhren-,

Nanoanalytik – Möglichkeiten und Grenzen bildgebender ... · deren Abmessungen in mindestens einer Dimension kleiner als 100 nm sind. Dazu zählen: • Partikel-, • Röhren-,

Documents
TOPS - Werkzeuge | Kfz Diagnose · 2 RODCRAFT - Tops2017-1 DMS030 ¼“ Vierkant 5 Nm - 25 Nm Artikelnr. 895100091 e 99,00 DMS060 ⅜“ Vierkant 20 Nm - 100 Nm Artikelnr. 895100092

TOPS - Werkzeuge | Kfz Diagnose · 2 RODCRAFT - Tops2017-1 DMS030 ¼“ Vierkant 5 Nm - 25 Nm Artikelnr. 895100091 e 99,00 DMS060 ⅜“ Vierkant 20 Nm - 100 Nm Artikelnr. 895100092

Documents
TECHNISCHE DATEN Leistungsrelais Bistabil TECHNICAL …Permissible torque 12-13 Nm 62 50 3 4 M4 Ausschalten Switch off Zul. Anzugsdrehmoment 12-13 Nm B8 DIN 137 M8 DIN 934 M8 26 Ø

TECHNISCHE DATEN Leistungsrelais Bistabil TECHNICAL …Permissible torque 12-13 Nm 62 50 3 4 M4 Ausschalten Switch off Zul. Anzugsdrehmoment 12-13 Nm B8 DIN 137 M8 DIN 934 M8 26 Ø

Documents
TransMIT Projektbereich Oberflächen-Nanoanalytik Prof. Dr. André Schirmeisen Institut für Angewandte Physik Heinrich-Buff-Ring 16 35392 Gießen Prüfbericht:

TransMIT Projektbereich Oberflächen-Nanoanalytik Prof. Dr. André Schirmeisen Institut für Angewandte Physik Heinrich-Buff-Ring 16 35392 Gießen Prüfbericht:

Documents
FotoDent setup 385 nm / 405 nm Zweckbestimmung: Material auf Methacrylatharz-Basis ... · 2018. 8. 20. · FotoDent®setup. 385 nm / 405 nm Purpose: Material based on methacrylate

FotoDent setup 385 nm / 405 nm Zweckbestimmung: Material auf Methacrylatharz-Basis ... · 2018. 8. 20. · FotoDent®setup. 385 nm / 405 nm Purpose: Material based on methacrylate

Documents
P12-Citroen Xsara Picasso - kupplung · CITROEN XSARA PICASSO 5D., VAN (N68) P12 2h 15,8 M6 - 11 Nm M10 - 50 Nm M12 - 87 Nm M14 - 138 Nm M16 - 210 Nm M8 - 25 Nm--0 km 1000 km PPUH

P12-Citroen Xsara Picasso - kupplung · CITROEN XSARA PICASSO 5D., VAN (N68) P12 2h 15,8 M6 - 11 Nm M10 - 50 Nm M12 - 87 Nm M14 - 138 Nm M16 - 210 Nm M8 - 25 Nm--0 km 1000 km PPUH

Documents
3 nm sk_ua_2013

3 nm sk_ua_2013

Education
mtr bda 0905f - FestoNenndrehmoment 0,24 Nm 0,66 Nm 1,4 Nm 3,53 Nm 6,36 Nm Nenndrehzahl 6000 1/min 6800 1/min 6250 1/min 4300 1/min 3600 1/min Spitzenmoment 1 Nm 2,8 Nm 3,1 Nm 12,2

mtr bda 0905f - FestoNenndrehmoment 0,24 Nm 0,66 Nm 1,4 Nm 3,53 Nm 6,36 Nm Nenndrehzahl 6000 1/min 6800 1/min 6250 1/min 4300 1/min 3600 1/min Spitzenmoment 1 Nm 2,8 Nm 3,1 Nm 12,2

Documents
6 Nm B A B Kode A 2016 - r 2 A Serie N+ 20 - 120 › instrucciones › 907xxx › 907311-Lv7.pdf · B C 5 Nm A 5 Nm B C 5 Nm A 5 Nm B C 5 Nm. 1 2 Delante Front Devant Vorne 2/4 3/4

6 Nm B A B Kode A 2016 - r 2 A Serie N+ 20 - 120 › instrucciones › 907xxx › 907311-Lv7.pdf · B C 5 Nm A 5 Nm B C 5 Nm A 5 Nm B C 5 Nm. 1 2 Delante Front Devant Vorne 2/4 3/4

Documents
TAGESPROGRAMM - phoenixreisen.com · Semarang Karimunjawa Inseln 70 nm Fremantle Esperance 582 nm Karimunjawa Inseln Probolinggo 339 nm Esperance Adelaide 900 nm Probolinggo enoa

TAGESPROGRAMM - phoenixreisen.com · Semarang Karimunjawa Inseln 70 nm Fremantle Esperance 582 nm Karimunjawa Inseln Probolinggo 339 nm Esperance Adelaide 900 nm Probolinggo enoa

Documents
Servoregler Intelligent, kompakt und dynamisch - … · Servoregler Intelligent, kompakt und dynamisch Von 0,72 Nm bis 19,3 Nm (57,7 Nm Spitze)

Servoregler Intelligent, kompakt und dynamisch - … · Servoregler Intelligent, kompakt und dynamisch Von 0,72 Nm bis 19,3 Nm (57,7 Nm Spitze)

Documents
FotoDent IBT 385 nm 385 nm LED zur generativen Herstellung

FotoDent IBT 385 nm 385 nm LED zur generativen Herstellung

Documents
OSEK/VDX NM (Network Management) · OSEK/VDX NM (Network Management), PG AutoLab, Seminarwochenende 21.-23.10.2007 AutoLab Indirektes NM – Knoten Monitoring Anwendungen tauschen

OSEK/VDX NM (Network Management) · OSEK/VDX NM (Network Management), PG AutoLab, Seminarwochenende 21.-23.10.2007 AutoLab Indirektes NM – Knoten Monitoring Anwendungen tauschen

Documents
MULTILED Data Sheet Version 2.2 LRTB GVSG · † preconditioning: acc. to JEDEC Level 2 ... 550 nm 600 nm 500 nm 400 - 380nm 700 - 750 nm. 2017-06-15 6 LRTB GVSG Gruppe Group Cx Cy

MULTILED Data Sheet Version 2.2 LRTB GVSG · † preconditioning: acc. to JEDEC Level 2 ... 550 nm 600 nm 500 nm 400 - 380nm 700 - 750 nm. 2017-06-15 6 LRTB GVSG Gruppe Group Cx Cy

Documents
Spektroskopie kleiner Moleküle (SPII ... · Raman-Spektroskopie statt dispersivemElement gibt es auch FT-Ramangerätemit Interferometer CCD Laserquellen @ 532 nm, 633 nm, 785 nm,

Spektroskopie kleiner Moleküle (SPII ... · Raman-Spektroskopie statt dispersivemElement gibt es auch FT-Ramangerätemit Interferometer CCD Laserquellen @ 532 nm, 633 nm, 785 nm,

Documents
Zusatz zum Katalog - download.sew-eurodrive.com · Weiße Felder bedeuten: Kombination nicht möglich HINWEIS ... -4 PSF PSF PSF i Nm Nm Nm 1/min kgm2 Nm/' N N PSF321 3.00 85 125

Zusatz zum Katalog - download.sew-eurodrive.com · Weiße Felder bedeuten: Kombination nicht möglich HINWEIS ... -4 PSF PSF PSF i Nm Nm Nm 1/min kgm2 Nm/' N N PSF321 3.00 85 125

Documents
nm - architecture portfolio

nm - architecture portfolio

Documents
Kompetenzfeld K5 Nanoanalytik in der Biomedizin Mi 15:00–18:00 Uhr (WiSe, semesterbegleitend) Ergänzungsbereich: Die beiden Vorlesungen (je 3 ECTS)

Kompetenzfeld K5 Nanoanalytik in der Biomedizin Mi 15:00–18:00 Uhr (WiSe, semesterbegleitend) Ergänzungsbereich: Die beiden Vorlesungen (je 3 ECTS)

Documents
8. Poröse Materialien Proteine mikroporösmesoporös 2 nm makroporös ZeolitesMCMsBio-foams 50 nm Moleküle

8. Poröse Materialien Proteine mikroporösmesoporös 2 nm makroporös ZeolitesMCMsBio-foams 50 nm Moleküle

Documents
12. UV-Strahlungsquellen - FH Münster · Kapitel UV-Strahlungsquellen Folie 2 Inkohärente Lichtquellen Prof. Dr. T. Jüstel, FH Münster 100 nm 200 nm 280 nm 320 nm 400 nm

12. UV-Strahlungsquellen - FH Münster · Kapitel UV-Strahlungsquellen Folie 2 Inkohärente Lichtquellen Prof. Dr. T. Jüstel, FH Münster 100 nm 200 nm 280 nm 320 nm 400 nm

Documents
Der Klang der Wasserstoffmoleküle - Planetware · Analyse der Lage der einzelnen Spektrallinien im sichtbaren Spektrum. Wellenlänge λ 400 nm 500 nm 600 nm 700 nm 800 nm H ε H

Der Klang der Wasserstoffmoleküle - Planetware · Analyse der Lage der einzelnen Spektrallinien im sichtbaren Spektrum. Wellenlänge λ 400 nm 500 nm 600 nm 700 nm 800 nm H ε H

Documents
TAGESPROGRAMM - Phoenix Reisen · allao Salaverry 270 nm Zihuatanejo La Paz 702 nm Salaverry Guayaquil 470 nm La Paz San Diego 950 nm Guayaquil Manta 211 nm San Diego San Francisco

TAGESPROGRAMM - Phoenix Reisen · allao Salaverry 270 nm Zihuatanejo La Paz 702 nm Salaverry Guayaquil 470 nm La Paz San Diego 950 nm Guayaquil Manta 211 nm San Diego San Francisco

Documents
M-033 Mazda CX-5 - ahk-autoteile.de · Mazda CX-5 I (KE,GH) (4WD) 1 x1 2 x1 3 x1 M6 - 10 (Nm) M8 - 25 (Nm) M10 - 50 (Nm) ... El dispositivo de remolque es un componente de seguridad

M-033 Mazda CX-5 - ahk-autoteile.de · Mazda CX-5 I (KE,GH) (4WD) 1 x1 2 x1 3 x1 M6 - 10 (Nm) M8 - 25 (Nm) M10 - 50 (Nm) ... El dispositivo de remolque es un componente de seguridad

Documents
Kontinuierlich drehende Pneumatik-, Elektro- & Akku ... · in den Bereichen Hydraulik, Pneumatik, Elektro und Akku mit Drehmomentschraubern von 50 Nm bis 190.000 Nm Standard-Schraubverbindungen

Kontinuierlich drehende Pneumatik-, Elektro- & Akku ... · in den Bereichen Hydraulik, Pneumatik, Elektro und Akku mit Drehmomentschraubern von 50 Nm bis 190.000 Nm Standard-Schraubverbindungen

Documents
Elektromagnetische Strahlung : Wellenlänge E ~ 400 nm 850 nm

Elektromagnetische Strahlung : Wellenlänge E ~ 400 nm 850 nm

Documents
Ersatzteilliste Anbaugeräte für agria 2500, 3200, 3400, 5500, 5600, … naradi 2500_3400_5500... · 2014. 6. 13. · M5 = 5 Nm M6 = 10 Nm M8 = 23 Nm M10 = 45 Nm M12 = 76 Nm M14

Ersatzteilliste Anbaugeräte für agria 2500, 3200, 3400, 5500, 5600, … naradi 2500_3400_5500... · 2014. 6. 13. · M5 = 5 Nm M6 = 10 Nm M8 = 23 Nm M10 = 45 Nm M12 = 76 Nm M14

Documents
MAX Light Specification Sheet - Microscan Systemsfiles.microscan.com/deutsch/max_deutsch.pdf · MAX 300, Red 10° 625 nm 584 1982 MAX 300, Red 50° 625 nm 584 1982 MAX 300, White

MAX Light Specification Sheet - Microscan Systemsfiles.microscan.com/deutsch/max_deutsch.pdf · MAX 300, Red 10° 625 nm 584 1982 MAX 300, Red 50° 625 nm 584 1982 MAX 300, White

Documents
9 nm sid_2017

9 nm sid_2017

Education