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POSTER 10.1002/zaac.201204035 Einfluss von Selen auf die Eigenschaften des Phasenwechselmaterials Ge 3 Sb 2 Te 6 Wolfgang Bensch,* [a] and Christine Koch [a] Keywords: Phasenwechselmaterialien, in-situ Röntgen- beugung, Schichtwiderstandsmessungen Phasenwechselmaterialien haben sich als optische und elek- trische Speichermedien aufgrund ihrer außergewöhnlichen physikalischen Eigenschaften in CDs und DVDs durchge- setzt. [1] In-situ XRD- (Abb. 1) und temperaturaufgelöste Schichtwider- standsmessungen (Abb. 2) zeigen die Phasenübergänge von dem amorphen as-deposited Zustand in eine kubische und wei- ter in eine hexagonale Phase von Ge 3 Sb 2 Te 4 Se 2 . Mit etwa 170 °C ist die erste Phasenwechseltemperatur höher, die zweite ist mit etwa 260 °C niedriger als die des unsubstitu- ierten Materials (ca. 150 °C und ca. 315 °C). Der elektrische Widerstand nimmt bei dem 1. Phasen-wechsel um ca. drei Größenordnungen ab. Abbildung 1. Temperaturaufgelöste in-situ XRD Messung eines ca. 800 nm dicken Filmes der Zusammensetzung Ge 3 Sb 2 Te 4 Se 2 . Abbildung 2. Temperaturaufgelöste Schichtwiderstandsmessung an Ge 3 Sb 2 Te 4 Se 2 . [1] W. Bensch, M. Wuttig, Chem. Unserer Zeit 2010, 44, 92–107. * Prof. Dr. W. Bensch E-Mail: [email protected] [a] Institut für Anorganische Chemie, Christian-Albrechts Universität Kiel, Max-Eyth-Str. 2,24118 Kiel, Germany www.zaac.wiley-vch.de © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Z. Anorg. Allg. Chem. 2012, 1567–1641 1584 10.1002/zaac.201204036 Sn-dotierte ZnO-Nanodrähte mit Inversionsdomänen Gunnar Schaan,* [a] and Werner Mader [a] Keywords: zinc, tin, nanostructures, chemical vapor deposition Mit Sn dotiertes ZnO ist ein günstiges und vielversprechendes Material für Photoanoden in Farbstoffsolarzellen. [1] Sn 4+ be- setzt Oktaeder- und trigonal-bipyramidale Lücken im Wurtzit- Gitter, die sich in Form von Basal- und Pyramidaldefekten ausordnen. ZnO-Nanodrähte mit einem Sn-Gehalt von etwa 2 at-% in periodisch angeordneten Basal- und Pyra- midaldefekten wurden nach dem VLS-Mechanismus herges- tellt. Dazu wurden ZnO und Sn im Verhältnis 100:1 mit Gra- phit zur Reaktion gebracht, bei 1000°C verdampft und bei 950°C auf einem mit Au beschichteten SiO 2 -Substrat abge- schieden. [2] Abbildung 1. TEM-Aufnahmen eines mit Sn dotierten ZnO-Nano- drahts (a). Der Durchmesser beträgt ca. 160 nm. Die Sn enthaltenden Basaldefekte (b, Inset: FFT) weisen untereinander einen Abstand von im Mittel ca. 25 nm auf. [1] Y. Zhang, N. Ye, J. Power Sources 2010, 195, 5806–5809. [2] S. K. Hark, R. Deng, J. Phys. Chem. C 2007, 111, 13013-13015. * Dipl.-Chem. G. Schaan E-Mail: [email protected] [a] Institut für Anorganische Chemie, Rheinische Friedrich- Wilhelms-Universität Bonn, Römerstr. 164, 53117 Bonn, Germany

Sn-dotierte ZnO-Nanodrähte mit Inversionsdomänen

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Page 1: Sn-dotierte ZnO-Nanodrähte mit Inversionsdomänen

POSTER10.1002/zaac.201204035

Einfluss von Selen auf dieEigenschaften desPhasenwechselmaterials Ge3Sb2Te6

Wolfgang Bensch,*[a] and Christine Koch[a]

Keywords: Phasenwechselmaterialien, in-situ Röntgen-beugung, Schichtwiderstandsmessungen

Phasenwechselmaterialien haben sich als optische und elek-trische Speichermedien aufgrund ihrer außergewöhnlichenphysikalischen Eigenschaften in CDs und DVDs durchge-setzt.[1]

In-situ XRD- (Abb. 1) und temperaturaufgelöste Schichtwider-standsmessungen (Abb. 2) zeigen die Phasenübergänge vondem amorphen as-deposited Zustand in eine kubische und wei-ter in eine hexagonale Phase von Ge3Sb2Te4Se2.Mit etwa 170 °C ist die erste Phasenwechseltemperatur höher,die zweite ist mit etwa 260 °C niedriger als die des unsubstitu-ierten Materials (ca. 150 °C und ca. 315 °C). Der elektrischeWiderstand nimmt bei dem 1. Phasen-wechsel um ca. dreiGrößenordnungen ab.

Abbildung 1. Temperaturaufgelöste in-situ XRD Messung eines ca.800 nm dicken Filmes der Zusammensetzung Ge3Sb2Te4Se2.

Abbildung 2. Temperaturaufgelöste Schichtwiderstandsmessung anGe3Sb2Te4Se2.

[1] W. Bensch, M. Wuttig, Chem. Unserer Zeit 2010, 44, 92–107.

* Prof. Dr. W. BenschE-Mail: [email protected]

[a] Institut für Anorganische Chemie, Christian-Albrechts UniversitätKiel, Max-Eyth-Str. 2,24118 Kiel, Germany

www.zaac.wiley-vch.de © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Z. Anorg. Allg. Chem. 2012, 1567–16411584

10.1002/zaac.201204036

Sn-dotierte ZnO-Nanodrähte mitInversionsdomänen

Gunnar Schaan,*[a] and Werner Mader[a]

Keywords: zinc, tin, nanostructures, chemical vapordeposition

Mit Sn dotiertes ZnO ist ein günstiges und vielversprechendesMaterial für Photoanoden in Farbstoffsolarzellen.[1] Sn4+ be-setzt Oktaeder- und trigonal-bipyramidale Lücken im Wurtzit-Gitter, die sich in Form von Basal- und Pyramidaldefektenausordnen. ZnO-Nanodrähte mit einem Sn-Gehalt von etwa2 at-% in periodisch angeordneten Basal- und Pyra-midaldefekten wurden nach dem VLS-Mechanismus herges-tellt. Dazu wurden ZnO und Sn im Verhältnis 100:1 mit Gra-phit zur Reaktion gebracht, bei 1000°C verdampft und bei950°C auf einem mit Au beschichteten SiO2-Substrat abge-schieden.[2]

Abbildung 1. TEM-Aufnahmen eines mit Sn dotierten ZnO-Nano-drahts (a). Der Durchmesser beträgt ca. 160 nm. Die Sn enthaltendenBasaldefekte (b, Inset: FFT) weisen untereinander einen Abstand vonim Mittel ca. 25 nm auf.

[1] Y. Zhang, N. Ye, J. Power Sources 2010, 195, 5806–5809.[2] S. K. Hark, R. Deng, J. Phys. Chem. C 2007, 111, 13013-13015.

* Dipl.-Chem. G. SchaanE-Mail: [email protected]

[a] Institut für Anorganische Chemie, Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn, Römerstr. 164, 53117 Bonn,Germany