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1964 2. Analyse v. Materialien d. Industrie, d. I-Iandels u. d. Landwirtschaft 155

die in folgender Weise angesetzt ist: Die S/~ule wird zun~chst mit einer 1O~ LSsung yon Dime~hyldichlorsilan in Tetrachlorkohlenstoff gereinigt und durch Erhitzen auf 100~ (30 rain) getroeknet. Dann wird mit 3 g phosphorylierter Cellu- lose (Cellulosephosphat P 70, It. Reeve Angel & Co., London) als Brei in 1 m Salz- s~ure in iiblicher Weise geftillt, lVfan eluiert mit 1 m Salzs/iure (1 ml/min)bis 50 ml Eluat vorhanden sind, dampft es ein, setz~ nach Abkfihlen 4 ml konz. Salpeters~ure und 1 ml konz. l)erchlors/~ure zu und dampft dann zur Trockne ein. Der l~iick- stand ~vird in 10 ml 0,5 m 0rthophosphorsgurelSsung aufgenommen, die L6sung wird mit Stickstoff behandelt und yon --0,1 his --1,4 V gegen die Quecksilber- bodenanode polarographiert. Es mul3 mit Blindproben verglichen werden. Wie an Vergleichsanalysen gezeigt wird, ist die Methode deutlich leistungsf/~higer als die spektrographische Analyse. An synthetischen Proben wird festgestellt, dal~ noch weniger als 5 ppm jeden Verunreinigungsmeta]ls bestimmbar sind. Die untere Naehweisgrenze, die durch den Blindprobengehalt begrenzt ist, liegt ffir Pb and Cd bei 0,25 #g, fiir Cu nnd Zn bei 0,5/zg. Ni darf hSchstens his zur 20fachen Menge des Zinks enthalten sein.

Anal. chim. Acta (Amsterdam) 27, 422--428 (1962). Atomic Weapons l~es. Establ., Aldermaston, Berks. (England). K. C~vs]s

Die spektrochemische Analyse yon Indium hoher Reinheit fiihrt JZf. CiL- DX~ARV 1 durch, indem er die Verunreinigungen durch Extrakt ion yon Indium- bromid in J~thylather abtrennt ~. Dieses wird dabei aus einer LSsung der HBr. Konzentration yon 4- -5 n praktisch vollstandig extrahiert, w/~hrend die inter- essierenden Verunreinigungen (Cu, Ag, Zn, Cd, Al, Pb, .Bi, Cr, .Mn, Ni) in der ~/~2- rigen Phase bleiben. Diese Lbsung ~vird dann spektralanalytisch untersucht. Die erreiehbaren Emp/indlich~eiten sind Ca 3 �9 10 -7 ~ Ag 6 �9 10 -7 ~ Mn 6 - 10 -6 ~ A1 6- 10 -6 ~ Cd 6 .10 -8 ~ Bi 6" 10 -6 ~ Cr 2- 10 -5 ~ Ni 3-10 -5 ~ Pb 6" 10 -5 ~ Zn 1.10 -4 ~ Die Fehler schwanken je nach dem zu bestimmenden Element zwischen 8 und 28 ~ -- Arbeitsweise. Man 15st 4 g Indiummetall in 39 ml 40 ~ spektro- skopisch reiner Bromwasserstoffs~ure und schiittel~ mit dem gleichen Volumen J~thylather 3 rain lang aus. )/Ian w~scht die J~thersehicht mit deionisiertem Wasser und dampf~ die wi~l]rige Schicht vorsichtig auf 0,1--0,2 ml ein. Dabei soll die Tem- peratur zur Vermeidung yon Verlusten 110--120~ nicht fibersteigen. Man bring~ je tz t mit einer Mikropipette auf die Spektrographenkohle, wo der Rest des Wassers verdampft und die/~ildung allzu grol~er Sa]zkrusten die etwaige Anwesenheit yon nicht extrahiertem Indium verra?~. Man spektrographiert bei einer Spaltbreite yon 10 t t u n t e r Verwendung yon Koh]eelel~troden (Spektralkoh]en T1). DiG Anregung erfolgt mit einem Weehselstrombogen yon 5,5 A. Die Entfernung der Elektroden betriigt 1,5 ram. Man exponiert 75 sec nuch Vorbrennen yon 30 sec das Abbild der oberen Elektrode. Als Plattenmaterial client Agfa blau extra hart (Spektro- graph ISP-28,3).

1 l%ev. Chim. (Buearest) 14, 39--~1 (1963) [Rumanisch]. (Mit engl. Zus.fass.) -- 2 Boca, R., H. KUSC~E u. E. BOOK: diese Z. 138, 167 (1953). -- I ~ v ~ % H., and F. J. C. ROSSOTTr: J. chem. Soc. (London) 1955, 1927, 1938, 1946.

I-I. KUI~TENACKER

Die spektralanalytisehe Bestimmun~ yon Beimengungen in Halbleiter- silieium nach chemischer Anreicherung beschreiben J. V. ~V[ORASEVSKIJ, Cl:f. I. ZILBERST~EJ~, ~V~. M. PmJVTKO und O. 1NT. INIKITINA I. Um die Verunreinigung der Proben zu vermeiden, wird kein Kollektor angewandt. - - Aus/i~hrung der Zerklei- nerung und des L58ens. Die Einwaagen yon gemahlenem Silicium werden auf Teflon-

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folien (20--40 mm Breite, 40 mm L~nge, 0,005--0,01 mm Dicke) welehe auf Gra- phitunterlagen liegen, aufgeschiittet und in eine Graphitkammer eingelegt. Am Boden der Kammer befinde~ sich eine Platinschale mit einer Mischung yon Flul~- s~ure nnd Salloeters~ure (1 ~-1). Die Kammer wird mit Graphitdeckel b edeckt nnd auf einer elektrisehen Heizplatte auf 105--110~ bis zum vollst~ndigen Entfernen yon Silicium erw~rmt. Nachher wird die Platinschale entfernt und die Kammer saint Folien auf 190--200~ bis zur Entfernung des weiBen Niedersehlages erw~rmt. Der Riiekstand anf der Folie wird jetzt mit einer LSsung yon 1 mg spektralreinem Natriumchlorid befeuehtet und getroeknet, mit einigen Tropfen 0,6~ Poly- s~yroll6sung in Benzol versetzt, zusammengefaltet und analysiert. Die Zerkleinerung und Vermahlung yon Silicium wird folgendermaBen vorgenommen: die Mono- kristalle werden in eine Tefionfolie gehiiUt, unter einer hydraulisehen Presse zer- drfickt und zwisehen reinsten Siliciumplatten oder im Siliciumm6rser pulverisiert. Das Zerlegen yon Silicium in der Kammer geht sehr langsam ve t sieh und ist stark yon der Korngr6Be abh~ngig. Ffir 0,5 g Silicium sind gew6hnlieh 15--18 Std nS~ig. - - Analyse. Die zusammengefaltete Folie wird am Boden des ICraters einer Kohlenelektrode (Tiefe nicht unter 6--7 ram) gelegt nnd zur Entfernung des Folien- materials 30 sec lang im 2,5--3 A Weehselstrombogen angeregt. Es verdampfen keine Elemente aus dem Konzentrat. Je tz t wird die Elektrode als Anode geschaltet und der Krater im 10 A-Gleichstrombogen vollst~ndig verbrarmt. Als Standards werden LSsungen der ~ i t ra te der zu bestimmenden Elemente benutzt, welche unter Anwendung yon Quarz- oder Poly~thylenger~ten hergestellt und dosiert waren. Quarzspektrograph mittlerer Dispersion ISP-22 oder ISP-28, Spa]tbreite 0,01 his 0,015 ram, 3-Linsenbeleuehtung, Elektrodenabstand 2 ram. I)ie absolute Emlofind- liehkeit (in Gramm) und die analytischen Linien (in A) :

Be 3130/31 3 - 1 0 -9 Pb 2833 3 Ag 3280 3 " 10 -9 Mn 2794 3 Cu 3274 5" 10 -9 T1 2767 1 In 3256 5" 10 -0 Zn 3282 3 Ca 3179 1 �9 10 -7 A1 3082 2 Ni 3050 4- 10 -s Fe 3020 4 Bi 3067 5 . 1 0 -9 Mg 2802 2 Ga 2943 3 �9 10 -0

lO-S 1 0 - 0

10-s 10-7 10-s 10-s 10-s

Fiir A1, Fe, Mg ist die Empfindlichkeitssteigerung dureh den Gehalt dieser Elemente in Teflonfolien begrenzt.

1 ~. anal. Chim. 17, 614--620 (1962) [Russiseh]. (Mit engl. Zus.fass.) Inst. Chemie der Silicate Akad. Wiss., Leningrad (UdSSR). J. MALr~OWSKI

~ber die Verwendung der Analyse dureh ~-Strahlenreflexion in der Industrie beriehten R. RIPAN, G~. M ~ c u und G~. MugGy 1. Als Beispiele werden Analysen yon Blei-Kupfersystemen mit 10--90~ Pb, Blei-Zinnlegierungen mit 10--90~ Pb, Zink-Cadmiumlegierungen mit 10--90~ Cd und Bleioxid-Bleigemischen mit 10 bis 900/0 Pb angegeben. Tabellen und Abbildungen zeigen die Zusammensetzung der analysierten Stoffgemisehe sowie die Eiehgeraden.

1 t~ev. Chim. (Buearest) 13, 612--614 (1962) [Rum~niseh]. Lehrk. anorg, u. anal. Chem. Univ. Babe~-Bolyai Cluj (Rum~nien). H. ~URTEN~-CKER

Zur Bestimmung yon Hafniumspuren in reaktorreinem Zirkonium verwendet u I-Iosm~o 1 die Fliissig-flfissig-Extraktion mit Cyelohexanon. Extrahiert man die salzsaure, NH4SCN- und (NH~)2SO~-haltige Zr-Probel6sung mit Cyelohexanon,


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