60
CMOS RF 回路(アーキテクチャ)と サンプリング回路の研究 群馬大学工学部電気電子工学科 通信処理システム工学第二研究室 97405016 滝上 征弥 指導教官 小林 春夫 教授

CMOS RF 回路(アーキテクチャ)とサンプリング回路の研究 · cmos rf 回路(アーキテクチャ)と サンプリング回路の研究 群馬大学工学部電気電子工学科

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CMOS RF 回路(アーキテクチャ)とサンプリング回路の研究

群馬大学工学部電気電子工学科通信処理システム工学第二研究室

97405016 滝上 征弥

指導教官 小林 春夫 教授

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発表内容

1.CMOS RF回路 (a) 復調部アーキテクチャ

(b) VCO回路(発振器)

2.サンプリング回路 (a) オシロスコープ・トリガ回路

(b) CMOSコンパレータ回路

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目的

●無線通信システムのRF部のCMOSでの実現。

とくに

○ 復調部アーキテクチャ

○ 発振器

の解析・設計。

● サンプリング回路のCMOSでの実現。

とくに

○ オシロスコープ・トリガ回路

○ AD変換器用コンパレータ

の解析・設計

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低雑音DSP

変換器

AD

変換部アンプ

発振器(VCO)

周波数

復調

1.CMOS RF回路

高い周波数の入力信号を低い周波数に変換

無線通信システムの受信部 アンテナ

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(a) 周波数変換部アーキテクチ

• Weaver Architecture

• Hartley Architecture

• Low IF Architecture

解析、CMOS回路の設計

シミュレーションを行った。

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Weaver Architectureの解析

Weaver image-reject receiver

※ ω2≪ω1

RF Input

u(t)=cos(ωint)

IF Output

y(t)=cos((ωin-ω1-ω2)t)/2

+

-

LPF

LPF

sinω1t sinω2t

cosω1t cosω2t

ωRF-ω1 ωRF ωRF+ω1 ωLO

sin成分

0

ω

ωRF-ω1 ωRF ωRF+ω1 ωLO

cos成分

0

ω

ωRF-ω1

cos成分

0

ω

ωRF-ω1

sin成分

0

ω

ωRF-ω1-ω2

cos成分

0

ω ωRF-ω1+ω2

ωRF-ω1-ω2

cos成分

0 ω

ωRF-ω1+ω2

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CMOS回路の設計

ギルバート乗算器を利用

cosω1t sinω1t sinω2t cosω2t + - + - + - + -

Vout(t) +

cosωint -

+

Vdd

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時間領域シミュレーション結果

ωin/2π=1MHz

ω1/2π=900kHz

ω2/2π=20kHz

計算値

ωout/2π=80.0kHz

シミュレーション値

ωout/2π=83.8kHz

入力波形

出力波形

ωout=ωin-ω1-ω2

26u 28u 30u 32u 34u 36u 38u 40u 42u 44u 46u 48u 50u

時間T[s]

0

0.1

-0.1

0

1m

-1m

電圧V

電圧V

[V]

[V]

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周波数領域シミュレーション結果

ωout/2π=83.8kHz

ωin/2π=1MHz

入力周波数

出力周波数

高い周波数成分

ωin+ω1

低い周波数成分

ωin-ω1-ω2

0 500k 1M 1.5M 2M

周波数ω/2π [Hz]

100m

0

20m

40m

60m

80m

1m

0

800u

600u

400u

200u

振幅

振幅

[V]

[V]

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Hartley Architectureの解析

Hartley image-reject receiver

IF Output

y(t)=ARFcos((ωRF‐ωLO)t)

ωim-ωLO

ωim-ωLO

90 LPF

LPF

RF Input

u(t)=ARFcos(ωRFt)

+ Aimcos(ωimt)

※ ωRF-ωLO=ωLO-ωim

sinωLOt

cosωLOt

ωRF-ωLO

ωRF ωim ωRF+ωLO ωim+ωLO

ωLO

sin成分

0

ωRF-ωLO

ωRF ωim ωRF+ωLO ωim+ωLO

ωLO

cos成分

0

ωRF-ωLO

0

ωim-ωLO

sin成分

ω

ωRF-ωLO

0

ωim-ωLO

cos成分

ω

ωRF-ωLO

0 ωim-ωLO

cos成分

ω

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CMOS回路の設計

ギルバート乗算器を利用

+ - - + sinωLOt cosωLOt

- + Vout(t)

ARFcosωLOt

-Aimcosωimt -

+

Vdd

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時間領域シミュレーション結果

ωRF/2π=1MHz

ωim/2π=900kHz

ωLO/2π=950kHz

計算値

ωout/2π=50kHz

シミュレーション結果

ωout/2π=51.7kHz

入力波形

出力波形

ωout=ωRF-ωLO

40u 45u 50u 55u 60u 65u 70u 75u 80u 85u 90u 95u 100u

0

0

0.2

-0.2

0.1

-0.1

-20m

20m

電圧V

電圧V

時間T[s]

[V]

[V]

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周波数領域シミュレーション結果

fRF=1MHz ωim/2π=900kHz

ωout/2π=51.7Hz

高い周波数成分

ωRF+ωLO

ωLO+ωim

低い周波数成分

ωRF-ωLO

イメージ成分

0 500k 1M 1.5M 2M

周波数ω/2π [Hz]

100m

0

80m

60m

40m

20m

18m

0

14m

10m

6m

2m

振幅

振幅

[V]

[V]

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Hartley Architectureの解析2

IF Output

y(t)=-ARFsin((ωRF-ωLO)t-π/4)

Image-reject receiver with split phase shift stages

※ωRF-ωLO=1/RC

RF Input

u(t)=ARFcos(ωRFt)

+Aimcos(ωimt)

※ωRF-ωLO=ωLO-ωim

ωRF-ωLO

sinωLOt

cosωLOt

ωRF ωim ωRF+ωLO ωim+ωLO

ωLO

sin成分(正の領域)

0

ωim-ωLO

ωRF-ωLO

0

ωim-ωLO

cos成分

ω

ω

ωRF-ωLO

0

ωim-ωLO

sin成分

ω

※実信号は0で対象の周波数領域を持つ

ωRF-ωLO

ωRF ωim ωRF+ωLO ωim+ωLO

ωLO

0

ωim-ωLO

cos成分(正の領域)

ωRF-ωLO ωim-ωLO ω

0

ωRF-ωLO

ωim-ωLO ω

0

sin成分

sin成分

Phase shift filter

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アーキテクチャをCMOS回路で設計

ギルバート乗算器を利用

+ - - + sinωLOt cosωLOt

Vout(t) - +

+

Vdd

ARFcosωLOt

-Aimcosωimt

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時間領域シミュレーション結果

ωRF/2π=1MHz

ωim/2π=900kHz

ωLO/2π=950kHz

計算値

ωout/2π=50kHz

シミュレーション結果

ωout/2π=50kHz

50u 55u 60u 65u 70u 75u 80u 85u 90u 95u 100u 105u 110u

ωout=ωRF-ωLO

時間T[s]

0.2

-0.2

0

-10m

10m

0

入力波形

出力波形

電圧V

電圧V

[V]

[V]

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周波数領域シミュレーション結果

ωout/2π=50Hz

ωin/2π=900Hz ωRF/2π=1MHz

周波数ω/2π [Hz]

低い周波数成分

ωRF-ωLO

高い周波数成分

ωRF+ωLO

ωLO+ωim

0 500k 1M 1.5M 2M

100m

0

80m

60m

40m

20m

10m

0

8m

6m

4m

2m

イメージ成分

振幅

振幅

[V]

[V]

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+

-

+ +

Passive

Polyphase

Filter

Low IF Architectureの解析

Low-IF downconversion

xr(t)=ARFsinωRFt

xi(t)=ARFcosωRFt

RF Input

ARFcosωRFt

zr(t)=cosωLOt

zi(t)=sinωLOt

yr(t)=ARFsin((ωRF-ωLO)t)/2

yi(t)=ARFcos((ωRF-ωLO)t)/2

ωRF-ω1 ωRF ωRF+ω1 ωLO

sin成分

0

ω

ωRF-ω1 ωRF ωRF+ω1 ωLO 0

cos成分

ω

ωRF-ω1

ωRF+ω1 0

ω

ωRF-ω1

ωRF+ω1

0

ω cos成分

sin成分

ωRF-ω1 0 ω

sin成分

ωRF-ω1 0

ω cos成分

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++

-

+

CMOS回路の設計

Complex mixer部分

sinωint

cosωint

sinωLOt cosωLOt

yr(t)

yi(t)

+ - + - cosωLOt sinωLOt

cosωint sinωint

yr(t) yi(t)

Vdd

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時間領域シミュレーション結果

ωRF/2π=10MHz

ωLO/2π=9MHz

計算値

ωout/2π=1MHz

シミュレーション値

ωout/2π=1.05MHz

入力Xr(t)

入力Xi(t)

出力yr(t)

出力yi(t)

ωout=ωRF-ωLO

22u 26u 30u 34u 38u 42u 46u 50u 54u 58u

時間T[s]

0

0

0

0

0.1

-0.1

-0.1

0.1

10m

10m

-10m

-10m

電圧V

電圧V

電圧V

電圧V

[V]

[V]

[V]

[V]

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周波数領域シミュレーション結果

Xr(t):ωRF/2π=10MHz

Xi(t):ωRF/2π=10MHz

yr(t):ωout/2π=1.05MHz

yi(t):ωout/2π=1.05MHz

ωRF-ωLO

ωRF-ωLO

0 5M 10M 15M 20M

周波数ω/2π [Hz]

0

0

0

0

5m

5m

50m

50m

10m

10m

100m

100m

振幅

振幅

振幅

振幅

[V]

[V]

[V]

[V]

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1(b) リング発振器を用いたVCO回路

(Voltage Contorolled Oscillator)

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CMOS RF回路

• リング発振器を用いたVCOの設計

低雑音 DSP

変換器

AD

変換部 アンプ

発振器(VCO)

周波数

復調

アンテナ 無線通信システムの受信部

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リング発振器回路図

CMOS回路図

リング発振器(ブロック図)

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インバータの遅延の解析

Ib:バイアス電流 C:インバータの寄生容量

Q=C・Vdd=IbTc

Tc=VddC/Ib

Tc:Cの充・放電時間

インバータの動作

入力=Low 入力=high

Ib

Ib

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リング発振器の周波数

インバータのDelayTime:Td=Tc/2

周期:T=2(2n+1)・Td

周波数:f=1/{2(2n+1)Td}=Ib/{(2n+1)CVdd}

Td

V2n+1

V3

V2

V1

T

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・・・

・・・

・・・

VCOのCMOS回路図

Vout

電圧・電流変換器 スタート用の回路(NAND回路)

※Highでスタート

Ib VRef

Vdd

Vstart

V22 V2 V1

※ 制御電圧の変化により周波数を変化 リング発振器

VCont

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0 1 2 3 4 5 6

制御電圧に対する出力波形と周波数の変化

制御電圧の変化

制御電圧に対する周波数変化

出力波形の変化

4

3

2

0 1

2

3

0 0.2u 0.4u 0.6u 0.8u 1.0u 1.2u 1.4u

VRef=2.5V一定

VRef=2.5V一定

12M

10M

8M

6M

4M

2M

0

制御電圧 VCont[V]

周波数f

[Hz]

電圧V[V]

電圧V[V]

時間T[s]

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レイアウト

デザインルール

0.35μmプロセス

単層 Poly

三層 Metal

レイアウトツール

Magic

チップ面積

0.24mm×0.31mm

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2 サンプリング回路

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(a) オシロスコープ・トリガ回路

入力 Trigger

出力波形

OFF

ON

Trigger Time:t0

○ 時間t0を基準とした正弦波出力

○ 過渡的変化の無い出力波形

※ トリガ部分に使用される回路の一つ

使用目的

Page 32: CMOS RF 回路(アーキテクチャ)とサンプリング回路の研究 · cmos rf 回路(アーキテクチャ)と サンプリング回路の研究 群馬大学工学部電気電子工学科

Σ

track& hold

hold track&

2段構成トリガ回路(テクトロニクス社)

回路に設置されている発振器

cos(ωt)

sin(ωt)

入力 Trigger 出力

t0 t0

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Track & Hold回路の原理

Track Track Hold Hold

Vin

Vout

Vout=Vin

T/H 回路

SW

ON

Track mode

Vin

入力をそのまま出力

T/H 回路

SW

OFF

Hold mode

Vin Vc

Vout=Vc

CがVinを保持し出力

t0 t0

Page 34: CMOS RF 回路(アーキテクチャ)とサンプリング回路の研究 · cmos rf 回路(アーキテクチャ)と サンプリング回路の研究 群馬大学工学部電気電子工学科

2段構成トリガ回路の解析

track-and-hold回路が

・track mode

Vout=cos(ωt)cos(ωt)+cos(ωt+π/2) cos(ωt+π/2)

=cos2(ωt)+sin2(ωt)

=1

・hold mode

Vout= cos(ωt) cos(ωt0) +sin(ωt)sin(ωt0)

=cos(ω(t-t0))

※ trigger time:t0

(一定の値)

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2段構成トリガ回路のCMOS回路の設計

Trigger 入力

cos(ωt) -

+

+

sin(ωt)

Vout

Vdd

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シミュレーション結果 基本波形(sin、cos)

トリガ入力

出力cos(ω(t-t0))

0 100u 200u 300u 400u 500u 600u 700u 800u

時間t[s]

0 100u 200u 300u 400u 500u 600u 700u 800u

0

0

0

20m

-20m

-200m

200m

3

1

2

電圧V[V]

電圧V[V]

電圧V[V]

時間t[s]

t0 t0

Page 37: CMOS RF 回路(アーキテクチャ)とサンプリング回路の研究 · cmos rf 回路(アーキテクチャ)と サンプリング回路の研究 群馬大学工学部電気電子工学科

+

-

+

-

-

+

Σ

track& hold

hold

track&

hold

track&

3段構成トリガ回路(テクトロニクス社)

Trigger 入力

sin(ωt)

sin(ωt+2π/3)

sin(ωt+4π/3)

Vout

回路に内蔵されている三相発振器

t0

t0

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3段構成トリガ回路の解析

track-and-hold回路が

・track mode

・hold mode

Vout=sin(ωt+4π/3){sin(ωt)-sin(ωt+2π/3)}

+sin(ωt){sin(ωt +2π/3)- sin(ωt+4π/3)}

+sin(ωt+2π/3){sin(ωt +4π/3)- sin(ωt)}

=0

Vout=sin(ωt+4π/3){sin(ωt0)-sin(ωt0+2π/3)}

+sin(ωt){sin(ωt0 +2π/3)- sin(ωt0+4π/3)}

+sin(ωt+2π/3){sin(ωt0 +4π/3)- sin(ωt0)}

= ))(sin(2

330tt

※ trigger time:t0

(一定の値)

Page 39: CMOS RF 回路(アーキテクチャ)とサンプリング回路の研究 · cmos rf 回路(アーキテクチャ)と サンプリング回路の研究 群馬大学工学部電気電子工学科

3段構成トリガ回路のCMOS回路の設計

Trigger

入力

Vout

sin(ωt) sin(ωt+2π/3) sin(ωt+4π/3) + - + - + -

Vdd

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シミュレーション結果 三相発振器出力

出力sin(ω(t-t0))

0 50u 100u 150u 200u 250u 300u 350u 400u 450u 500u 550u 600u 650u 700u 750u 800u

時間T[s]

トリガ入力

0.1

-0.1

0

0

1m

-1m

0

3

1

2

電圧V

電圧V

電圧V

トリガ入力:t0 トリガ入力:t0 [V]

[V]

[V]

Page 41: CMOS RF 回路(アーキテクチャ)とサンプリング回路の研究 · cmos rf 回路(アーキテクチャ)と サンプリング回路の研究 群馬大学工学部電気電子工学科

オシロスコープトリガ回路の特徴

・ タイミングエラーが無い

理由 トリガ・タイムt0で遅延無しに

出力波形を得られるため

・ トランジスタのばらつきの影響が少ない

理由 3段構成回路では、

ばらつきが平均化されるため

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(b) コンパレータ

①差動回路利用電圧コンパレータ1

② 〃 電圧コンパレータ2

③インバータを利用した電圧コンパレータ

④インバータを利用した電流コンパレータ

Page 43: CMOS RF 回路(アーキテクチャ)とサンプリング回路の研究 · cmos rf 回路(アーキテクチャ)と サンプリング回路の研究 群馬大学工学部電気電子工学科

①電圧コンパレータ1

φ1

Vo-Vo+

V-V+

VDD

Vsw

差動回路を利用したコンパレータ

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動作説明

Vo-Vo+

V-V+

VDD

C1 C2

Vo-Vo+

V-V+

VDD

C1 C2

Φ1=low

Vo+=Vo-(リセットモード)

Φ2=high

ラッチモード

C1、C2:寄生容量

Page 45: CMOS RF 回路(アーキテクチャ)とサンプリング回路の研究 · cmos rf 回路(アーキテクチャ)と サンプリング回路の研究 群馬大学工学部電気電子工学科

V- V+

R R

VDD

I+ΔI I-ΔI

R R

I-ΔI I+ΔI

V- V+

VDD

ラッチモード時の動作

NMOSを抵抗と見たとき PMOSを抵抗と見たとき

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Vswによる波形の違い

Vin+=1.51V

Vin-=1.50V

・Vsw有り

遅延小

・Vsw無し

遅延大

0 1n 2n 3n 4n 5n 6n

0 1n 2n 3n 4n 5n 6n

SW無し

SW有り

時間T[s]

0

1

2

3

電圧V[V]

電圧V[V]

3

2

1

0

Vo+

Vo-

Vo+

Vo-

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シミュレーション結果 入力波形

出力波形

電圧V[V]

電圧V[V]

0 100n 200n 時間T[s]

0 100n 200n 時間T[s]

1.5000

1.5002

1.5004

1.5006

1.5008

1.5010

0

1

2

3

V-

V+

Vo-

Vo+

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Vin-Vin+

M0 M1

M3M2

M5M4CLK_LATCHCLK_LATCH

Vout+Vout-

M9M7M6M8

Vdd

②電圧コンパレータ2

Positive-feedback latch circuit

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動作説明

Vout+Vout-

Vdd

Vin+ vin-

M0 M1

M2 M3

Vout+Vout-

Vdd

M7M6

M3M2

M1M0

Vin-Vin+

CLK=low

Vout-=Vout+=Vdd

入力リセットモード

CLK=high

ラッチモード

I+ΔI I-ΔI

V-ΔV V+ΔV

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シミュレーション結果

出力波形

入力波形

0 100n 200n 300n 400n

0 100n 200n 300n 400n

電圧V[V]

電圧V[V]

Vin+

Vin-

Vo+

Vo-

時間T[s]

時間T[s]

0

2

1

3

1.550

1.552

1.554

1.556

1.558

1.560

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オフセットキャンセル回路

comp+-

V-

V+

φ1

φ2

φ2

C1

C2

φ2

φ2

Vo+

Vo-

Preamp

Output offset storage

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動作原理 φ2=ON

Vofset

+ - A・Vofset- +

Cにかかる電圧

A・Voffset

Cにかかる電圧

A・(Vin-Voffset)より

A・(Vin-Voffset)+A・Voffset

Vout=A・Vin

Vout- +A・Voffset+ -

Voffset

φ1=ON

Vin

A(Vin-Voff)

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シミュレーション結果

0 40u 80u 120u 160u 200u 240u 280u

0 40u 80u 120u 160u 200u 240u

0

1

2

3

電圧V[V]

1.550

1.552

1.554

1.556

1.558

1.560

電圧V[V]

時間T[s]

時間T[s]

V-

V+

Vo+

Vo-

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③インバータを利用した

電圧コンパレータ

V-

V+

φ1

φ2

A B

M1

M2

VDD

φ1

C Vout

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動作説明

V-C

Vin Vout+ - Vm Vm

φ1=ON φ2=ON

V+Vin

C+ -

Vin=Vout=Vm

Q=C(V--Vm)

Vin=V+-(V--Vm)

=V+-V-+Vm

Vin=Vout

Vm

インバータの入出力特性

0

1

2

3

電圧V[V]

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3

電圧V[V]

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シミュレーション結果

V-

V+

0 20n 40n 60n 80n 100n 120n 140n 160n 180n 200n

0

1

2

3

時間T[s]

時間T[s] 0 20n 40n 60n 80n 100n 120n 140n 160n 180n 200n

電圧V[V]

1

0.8

0.9

1.1

1.2

電圧V[V]

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④電流コンパレータ

Low-impedance current quantizer

Vm

Vcl=high

Vin=Vout=Vm=1.64V

Vm=基準電圧

Vcl

Iin Vout

Vdd

a

M2

M1

M4

M3

インバータの入出力特性

Vin=Vout

SW 0 1 2 3

電圧V[V]

0

1

2

3

電圧V[V]

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動作説明

Vcl=high

リセットモード

Vin=Vout=Vm(基準電圧)

Vcl=low

Iin Vin Vout

Vdd

Iin Vm+ΔV Vout Vout

Vdd Vdd

Vm-ΔV Iin

Vout=low Vout=high

Vclにより基準電圧を出すことで動作性能の向上を図っている

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シミュレーション結果

リセット

モード

リセット

モード

入力電流の向き

クロック

出力波形

スイッチにより

スムーズに動作する。

電流

+10μA

-10μA

0 0.5 n 1.0n 1.5n 2.0n 2.5n 3.0n 3.5n 4.0n

時間T[s]

0

1

2

3

0

1

2

3

0

-10u

10u

電圧V[V]

電圧V[V]

電流I

[A]

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まとめ

・ CMOS RF回路について

。 3種の復調部アーキテクチャ

。 リング発振器を用いたVCO回路

・ サンプリング回路について

。 トリガー回路

。 各種コンパレータ

次の回路の設計・解析・シミュレーションを行った。