Dennis Gloth 117.02.2004 RAM & ROM Hardware Präsentation im Fach S&N

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  • Folie 1
  • Dennis Gloth 117.02.2004 RAM & ROM Hardware Prsentation im Fach S&N
  • Folie 2
  • 2 Inhaltsverzeichnis ROM ( Read Only Memory) ROM ( Read Only Memory) RAM ( Random Access Memory) RAM ( Random Access Memory) Hauptspeicher: Typen Hauptspeicher: Typen Hauptspeicher: Bauformen Hauptspeicher: Bauformen Hauptspeicher: Fachchinesisch Hauptspeicher: Fachchinesisch Hauptspeicher: Kauftipps Hauptspeicher: Kauftipps Hauptspeicher: Ein/ Ausbau Hauptspeicher: Ein/ Ausbau Hauptspeicher: Preise Hauptspeicher: Preise
  • Folie 3
  • 3 ROM = (Read Only Memory) = ( Nurlesespeicher ) Nicht flchtig Nicht flchtig PROM = Einmal programmierbar PROM = Einmal programmierbar EPROM = Erasable ROM (UV Licht) EPROM = Erasable ROM (UV Licht) EEPROM = Electrical Erasable ROM EEPROM = Electrical Erasable ROM FLASH ROM = Fast ein nicht flchtiges RAM FLASH ROM = Fast ein nicht flchtiges RAM
  • Folie 4
  • 4 ROM = (Read Only Memory) = (Nurlesespeicher) Nicht flchtige Festspeicher werden als ROM bezeichnet (ROM = Read Only Memory). Hier sind die Daten fest eingebrannt, d.h. bei einer Stromunterbrechung bleiben die Daten erhalten. Dafr knnen aus diesem Speicher nur Daten gelesen werden. Festspeicher dienen zur Aufnahme von z.B. Urladeprogrammen (BIOS) oder enthalten Steuerprogramme.
  • Folie 5
  • 5 PROM = Einmal programmierbar PROM = Programmable ROM. Information wird eingebrannt. Hierfr wird eine Maske verwendet, die fr die Erzeugung der einzelnen Schichten des Chips verwendet wird. Vorteil: flexibler als reine ROMs, gleicher Herstellungsproze fr verschiedene Chips (nur unterschiedliche Maske). Nachteil: Programmierung nur durch Hersteller mglich.
  • Folie 6
  • 6 EPROM = Erasable ROM (UV Licht) Lschbar durch Bestrahlung mit UV-Licht (Chips mit lichtdurchlssigem Fenster). Spezielle Speichertransistoren reprsentieren Zustand eines Bits. Programmierung durch spezielles Gert. Programmierzeit: 50ms. Lschzeit: 20 Minuten. Vorteil: Chip mehrfach nutzbar. Nachteil: Lschen umstndlich und langsam.
  • Folie 7
  • 7 EEPROM = Electrical Erasable ROM Z.B. BIOS von PCs. Bits werden wie beim EPROM in speziellen Speichertransistoren gesichert. Elektronen werden elektrisch aus Speichertransistor abgesaugt. Schreiben und Lschen erfolgt byteweise. Chip muss ausgebaut werden. Programmierzeit: 50ms, Lschzeit: 1ms. Vorteil: Lschen einfacher und schneller.
  • Folie 8
  • 8 FLASH ROM = Fast ein nicht flchtiges RAM Einsatzbereich: Ersatz fr Festplatten und Disketten, da weniger empfindlich gegen Ste etc. Blockweiser Zugriff z.B. 512 Byte (im Gegensatz zum EEPROM), Chip muss zur Reprogrammierung nicht ausgebaut werden, Verwendet in Memory-Cards, Handys, Modems, BIOS,...
  • Folie 9
  • 9 FLASH ROM = Fast ein nicht flchtiges RAM Flash-Speicher Kenndaten: Ca. 100.000 Programmier- und Lschzyklen mglich. hnlich aufgebaut wie ein EEPROM. Speicherfhigkeit: 10-100 Jahre. Block-Schreibzeit: 10-200ms Lesezugriff: ca. 100-200ns Block-Lschzeit: 2-100ms. Kapazitt bis zu 512 MB.
  • Folie 10
  • 10 RAM = (Random Access Memory) = (Lese und Schreibspeicher) Hauptspeicher (RAM) Speichert Daten (die z. B. die Festplatte, CD-Rom kurzzeitig zum arbeiten bentigen) Verliert Daten ohne Strom (Flchtiger Speicher) Vorteil: Schnellerer Datenzugriff als Festplatte Aufgabe: Speichert alle Daten whrend des Rechnerbetriebs Kenndaten: Grsse: in Megabytes Zugriffszeit: Megahertz (hher ist besser, z.B. 133MHz) frher Nanosekunden (weniger ist besser, z.B. 60ns) Datenrate: in Megabytes pro Sekunde Verschiedene Typen und Bauformen
  • Folie 11
  • 11 Hauptspeicher: Typen DRAM (Dynamic Random Access Memory) Alte Systeme (Pentium II und frher) SDRAM (Synchronous DRAM) Fr ltere Systeme (Pentium III bis 800MHz) DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) Hohe Leistung (bis 2,7GB/s), relativ gnstig (Pentium III, Pentium 4 und Athlon/Duron) RDRAM (Rambus DRAM) Hchste Leistung (bis 4GB/s), sehr teuer (nur Pentium 4)
  • Folie 12
  • 12 Hauptspeicher: Bauformen SIMM (DRAM) Single Inline Memory Module 72 pins ltere Rechner (Pentium II und davor)
  • Folie 13
  • 13 Hauptspeicher: Bauformen DIMM (SDRAM, DDR-SDRAM) Dual Inline Memory Module 168 pins Fast alle modernen Rechner (Pentium III/4, Athlon) Achtung DDR: gleiche Bauform mit SDRAM austauschbar!! Daten der DDR-SDRAM Speicher und Geschwindigkeiten (theoretische Bandbreiten): - DDR200 PC1600 100 MHz 1600 MB/s - DDR266 PC2100 133 MHz 2133 MB/s - DDR333 PC2700 166 MHz 2700 MB/s - DDR400 PC3200 200 MHz 3200 MB/s
  • Folie 14
  • 14 Hauptspeicher: Bauformen RIMM (RDRAM) Rambus Inline Memory Module 184 pins Nur Pentium 4 (einige Modelle)
  • Folie 15
  • 15 Speicher: Fachchinesisch Single-/Dual-Channel Neuere Mainboards/Chipsets untersttzen Zugriff auf Speicher mit zwei Kanlen (= doppelte Bandbreite) DDR SDRAM 266-PC2100 / 333-PC2700 266/333 MHz Zugriffszeit (auf 133/166MHz double-pumped Bus) Bei 64Bit Datenbreite sind das ca. 2.1/2.7GB/s Rambus PC800/PC1066 800/1066 MHz Zugriffszeit (auf 400/533MHz dual-pumpedBus) Bei 2*16Bit Datenbreite (dual-channel) sind das ca. 3.2/4.2GB/s
  • Folie 16
  • 16 Hauptspeicher: Kauftipps Stark abhngig vom Mainboard Erlaubt nur einen Typ (z.B. DDR-SDRAM), aber evtl. in verschiedene Geschwindigkeiten (z.B. 100MHz und 133MHz) Schneller meist nur unwesentlich teurer! Erlaubte Typen/Bauformen in Mainboard-Anleitung No-Name Module oftmals fehleranfllig Fehler nur schwer zu lokalisieren, System strzt scheinbar wahllos ab, hngt sich auf
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  • 17 Hauptspeicher Ein/ Ausbau
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  • 18 Hauptspeicher Ein/ Ausbau
  • Folie 19
  • 19 Hauptspeicher Ein/ Ausbau
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  • 20 Hauptspeicher: Preise DIMM 256MB 133MHZ 56,00 DIMM 512MB 133MHZ 92,00 DDR 256MB 333MHZ 42,00 DDR 512MB 333MHZ 78,00 DDR 256MB 400MHZ 42,00 DDR 512MB 400MHZ 86,00 Preise/Geschwindigkeit/Gre von den beiden Arbeitsspeichern SDRAM und DDRAM vom 19.02.2004
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