Liste verwendeter Formelzeichen

A SperrschichtflächeA LeuchtflächeA Stromverstärkung des Bipolartransistors in BasisschaltungAI inverse Stromverstärkung, RückwärtsstromverstärkungAD Differenzverstärkunga Beschleunigunga AusräumfaktorB magnetische FlussdichteB GleichstromverstärkungsfaktorB Mess-Bandbreite (betrachtetes Frequenzintervall)C KapazitätC TemperaturkonstanteCMRR GleichtaktunterdrückungCG Gehäuse-KapazitätCK KoppelkapazitätCS SperrschichtkapazitätCG GatekapazitätCS0 Null-KapazitätCEBO EmittersperrschichtkapazitätCCBO Kollektorsperrschichtkapazitätc LichtgeschwindigkeitcD DiffusionskapazitätcS0 flächenbezogene Kapazität des spannungslosen pn-ÜbergangsD differenzieller RückwirkungsfaktorD TastverhältnisDn Diffusionskonstante für ElektronenDp Diffusionskonstante für LöcherE elektrische FeldstärkeE EnergiewertE kinetische EnergieEg Bandabstand, Bandlücke, Energielücke

677© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil von Springer Nature 2019L. Stiny, Aktive elektronische Bauelemente, https://doi.org/10.1007/978-3-658-24752-2

678 Liste verwendeter Formelzeichen

�Eg Energieabstand�E Energiebreite, HalbwertsbreiteEV obere Bandkante ValenzbandEC untere Bandkante LeitungsbandED Energieniveau unterhalb der LeitungsbandkanteEA Energieniveau über der ValenzbandkanteEF Fermi-NiveauEEA ElektronenaffinitätEH Austrittsarbeite Basis des natürlichen Logarithmus, Euler’sche Zahl (D 2;718)e Elementarladung (Betrag)F KraftF RauschzahlFX .˛/ Wahrscheinlichkeitsverteilung, Verteilungsfunktionf Frequenzfc Grenzfrequenzfg Grenzfrequenzfg 3 dB-Grenzfrequenz bei V

fg0 3 dB-Grenzfrequenz bei V0

fM Modulationsfrequenzfmax maximale SchwingfrequenzfRes ResonanzfrequenzfT Transitfrequenzf0 SchwingfrequenzG LeitwertGBW Verstärkungs-Bandbreite-Produktg21 siehe S , SteilheitH magnetische Feldstärkeh Planck’sches WirkungsquantumhA relative Häufigkeit des zufälligen Ereignisses A

h11e siehe rBEh12e siehe D, differenzieller RückwirkungsfaktorI , i.t/ StromIB BasisstromIB0 KippstromIC KollektorstromICBO Kollektor-Basis-ReststromICES Kollektor-Emitter-ReststromID DiffusionsstromID DrainstromID DiodenstromID;AP Diodenstrom im Arbeitspunkt

Liste verwendeter Formelzeichen 679

IDSS Drain-SättigungsstromIE EmitterstromIEBO Emitter-Basis-ReststromICEO Kollektor-Emitter-ReststromIF FeldstromIF HaltestromIF DurchlassstromIFmax maximaler DurchlassstromIF;max maximaler DauerflussstromIFSM SpitzenflussstromIFRM periodischer SpitzenflussstromIH HaltestromIK KurzschlussstromILmax größter LaststromIPP StoßstromIP HöckerstromIV TalstromIR SperrstromIRM maximaler Rückwärtsstrom, Ausräumstrom, SperrreststromIS SperrsättigungsstromIS, Ith Schwell(en)stromIZ ZenerstromIZmax maximal zulässiger Sperrstrom ZenerdiodeIZmin minimaler Sperrstrom ZenerdiodeIv LichtstärkeK Steilheitsparameter, Steilheitskoeffizient, Transkonduktanz-Koeffizientk Boltzmann-Konstantek Wellenzahlk Konstantek Klirrfaktork GegenkopplungsfaktorL InduktivitätL mittlere Wegstrecke, DiffusionslängeL KanallängeLA Debye-LängeLD Debye-LängeLG Gehäuse-InduktivitätLeff effektive Längel Längeln Logarithmus zur Basis elog Logarithmus zur Basis 10lg Logarithmus zur Basis 10

680 Liste verwendeter Formelzeichen

MBW Modulationsbandbreitem Masseme Ruhemasse des freien Elektronsmeff; m� effektive Massemn durchschnittliche effektive Masse der Elektronen im Leitungsband, effek-

tive Elektronenmassemp durchschnittliche effektiveMasse der Löcher im Valenzband, effektive Lö-

chermassems Kapazitätskoeffizient, GradationsexponentNF Rauschmaß, Rauschzahln Nummer der Elektronenschalen Elektronendichten Emissionskoeffizient, Korrekturfaktor, Nichtidealitätsfaktorn Anzahl der durchgeführten ZufallsexperimentenA absolute Häufigkeit des zufälligen Ereignisses A

nA Dichte der AkzeptorennAB Anzahl Akzeptoren BasisnD Dichte der DonatorennDC Anzahl Donatoren KollektornDE Anzahl Donatoren Emitterni Eigenleitungsdichtenn Elektronendichte im n-Gebietnp Elektronendichte im p-Gebietpp Löcherdichte im p-Gebietpn Löcherdichte im n-GebietP WirkleistungP , PV VerlustleistungPV;max maximale VerlustleistungPV;max.puls/ maximale Verlustleistung bei PulsbetriebPPP PulsspitzenleistungPN NennbelastbarkeitPmax, Ptot maximale Belastung, maximale VerlustleistungPMPP maximale Leistung einer SolarzelleP.A/ Wahrscheinlichkeit des zufälligen Ereignisses A

p Impulsp LöcherdichtepX .˛/ Wahrscheinlichkeitsdichte, Verteilungsdichte, DichtefunktionQ GüteR Ohm’scher WiderstandR ReflexionskoeffizientRLZ RaumladungszoneRB Bahnwiderstand

Liste verwendeter Formelzeichen 681

RF Gleichstromwiderstand der Diode in FlussrichtungRL LastwiderstandRP ParallelwiderstandRS SerienwiderstandRS SperrwiderstandRV VorwiderstandRi InnenwiderstandRg InnenwiderstandRG InnenwiderstandRa InnenwiderstandRRes ResonanzwiderstandRth WärmewiderstandRth;JA Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und UmgebungRDS.on/ Einschaltwiderstand beim FETrBE differenzieller (dynamischer) EingangswiderstandrCE differenzieller (dynamischer) Ausgangswiderstand, Kleinsignalausgangs-

widerstandrD differenzieller (dynamischer) Widerstand der Diode, Wechselstromwider-

standrD DifferenzeingangswiderstandrGl GleichtakteingangswiderstandrD;AP differenzieller Widerstand der Diode im ArbeitspunktrZ differenzieller Innenwiderstand ZenerdiodeS Operator (Verknüpfung zwischen Ein- und Ausgangsgrößen)S Steilheit, ÜbertragungssteilheitSR SpannungsanstiegsrateSR RückwärtssteilheitSD Übertragungssteilheit, TranskonduktanzS� spektrale EmpfindlichkeitT PeriodendauerT absolute Temperatur in KelvinT KristalltemperaturTA UmgebungstemperaturTA;ref ReferenzumgebungstemperaturTC;ref ReferenzgehäusetemperaturTJ;max maximal erlaubte SperrschichttemperaturTC GehäusetemperaturTi intrinsische Temperaturt ZeittAA ZugriffszeittRC Lese-Zykluszeitte Einschaltzeit

682 Liste verwendeter Formelzeichen

tf Abfallzeittrr Sperrverzögerungszeit, Rückwärts-Erholzeit, Übergangszeit, Erholungs-

zeit, Erholzeit, SperrverzugszeittP Einschaltzeittgd Zündverzögerungszeittgr Durchschaltzeittgs Zündausbreitungszeittgt Zündzeittc Schonzeittr Anstiegszeitts Ausräumzeit, Speicherzeitts EinschwingzeitU , u.t/ SpannungUa AusgangsspannungUe EingangsspannungUB BetriebsspannungUBmax maximale BetriebsspannungUb GleichvorspannungUB0 KippspannungUBT0 NullkippspannungUB0C, UB0� positive, negative Zündspannung (Kippspannung)UCL KlemmspannungUBR DurchbruchspannungUBR;GS Gate-Source-DurchbruchspannungU.BR/EBO Emitter-Basis-DurchbruchspannungU.BR/CBO Kollektor-Basis-DurchbruchspannungU.BR/CEO Kollektor-Emitter-DurchbruchspannungUD DiffusionsspannungUD DiodenspannungUD;AP Diodenspannung im ArbeitspunktUEB Spannung zwischen Emitter und BasisUBE Spannung zwischen Basis und EmitterUCB Spannung zwischen Kollektor und BasisUCE Spannung zwischen Kollektor und EmitterUCE;sat Kollektor-Emitter-SättigungsspannungUDSP Drain-Abschnürspannung, KniespannungUGSP Gate-AbschnürspannungUGS Spannung zwischen Gate und SourceUF äußere Spannung in Flussrichtung, FlussspannungUF;i innere FlussspannungUH HaltespannungUR äußere Spannung in Sperrrichtung, Sperrspannung

Liste verwendeter Formelzeichen 683

UR;max maximale SperrspannungUth kritische SpannungUth Schwell(en)spannungUth, UP AbschnürspannungURM BetriebssperrspannungURRM periodische SpitzensperrspannungURSM SpitzensperrspannungUS SchleusenspannungUT TemperaturspannungUY Early-SpannungUZ ZenerspannunguR;eff effektive Rauschspannungü Übersteuerungsgrad, ÜbersteuerungsfaktorV BetriebsverstärkungVCC Betriebsspannung, SpeisespannungV0 LeerlaufspannungsverstärkungVGl Gleichtaktverstärkungv GeschwindigkeitvS Sättigungsgeschwindigkeitvdom Domänengeschwindigkeitv mittlere GeschwindigkeitW EnergieW KanalbreiteWS0 gesamte SperrschichtweiteWSR Sperrschichtweite in SperrrichtungWSF Sperrschichtweite in Flussrichtungwp Sperrschichtbreite im p-Gebietwn Sperrschichtbreite im n-GebietX ZufallsvariableX Arithmetischer Mittelwert, Erwartungswertx WegstreckeZ0 BezugswiderstandZ0 Wellenwiderstand

˛ Ionisationsrate˛ Wechselstromverstärkung des Bipolartransistors in Basisschaltung˛n Ionisationsrate der Elektronen˛p Ionisationsrate der Löcher˛Z Temperaturkoeffizientˇ Kleinsignalstromverstärkungsfaktor� Wellenlänge� Parameter der Kanallängen-Modulation

684 Liste verwendeter Formelzeichen

�0 Betriebswellenlänge�� spektrale Breite (Linienbreite, Halbwertsbreite)�Grenz Grenzwellenlänge" Dielektrizitätskonstante, Permittivität"0 elektrische Feldkonstante"r Permittivitätszahl, Dielektrizitätszahl# Temperatur in °C#0 Bezugstemperatur#max maximale Betriebstemperatur�n Elektronenbeweglichkeit�p Löcherbeweglichkeit� spezifischer Widerstand� Raumladungsdichte spezifische Leitfähigkeit Standardabweichung2 Streuung, Varianz� Zeitkonstante� Lebensdauer Ladungsträger�T Transitzeit' Phasenwinkel' elektrisches Potenzial' Makropotenzial! Kreisfrequenz˚ Lichtstrom˝ Stichprobenumfang, Stichprobenraum Wirkungsgrad� Winkel� Stromverstärkung des Bipolartransistors in Kollektorschaltung

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AAbätzen, 110Abblockkondensatoren, 516Abfallzeit, 72, 97, 224, 285, 287, 451, 503, 536,

537, 682Abgleich-Potenziometer, 485Abklingzeit, 451Ableitwiderstand, 332, 335Abreißdiode, 213Abschalt-Steuerstrom, 450Abschaltthyristor, 450Abschattung, 177, 183Abschnürbereich, 350, 351, 353–355, 370, 371,

378–380, 382, 386, 387, 414, 417Abschnürspannung, 341, 349, 351–354, 356,

683Abschnürung, 349, 365Absorptionszone, 172, 173Abstimmdiode, 184, 186Abstrahlcharakteristik, 137, 139, 145, 159Abweichung, mittlere, 259, 267Active Mode, 582Address Access Time, 584Address Setup Time, 584Adressdekoder, 579, 580, 582, 586Adressierung, 577, 582, 613, 624

Advanced Low-Power-Schottky-TTL, 555Advanced Schottky-TTL, 555AIM-Verfahren, 588air mass, 178Akkumulation, 358Akkumulatoren, 1Aktivmatrix-Displays, 149Akzeptoratom, 42, 114Akzeptoren, 6, 25, 33–36, 38, 358, 363, 680Al2O3-Keramik, 520Alterung, 178, 485, 508Aluminium, 17, 32, 116, 134, 146, 326, 357,

360, 402Aluminiumgalliumarsenid, 133Amplitude, mittlere, 259Amplituden

~bedingung, 492, 495~frequenzgang, 493, 496~gang, 488~mittelwert, 267~rand, 494

Anlaufbereich, 353, 354Anode, 77, 125–127, 131, 132, 146–148, 201,

203, 205, 421, 423–429, 445, 449, 450,452, 453, 456, 457

Anodenkürzung, 450, 451Anregungsenergie, 35, 147, 148Anreicherung, 357, 358, 363Anreicherungstyp, 340, 341, 359, 360, 362,

363, 365, 368, 370–372, 563, 594Anreicherungstyp, n-Kanal, 368, 406, 413Anschlussdrähte, 113, 257Anschlusskontakte, 113, 519Ansprechzeit, 120, 124, 144Ansteuerung, harte, 457

689

690 Stichwortverzeichnis

Anstiegsgeschwindigkeit, 428, 438, 472,500–502, 508

Anstiegsverzerrungen, 501Anstiegszeit, 285, 286, 439, 495, 503, 558, 682Antifuse-Technik, 587, 588Antisättigungsschaltung, 288Anzeigen, optische, 143Application Specific Integrated Circuit, 531,

627Äquivalenztypen, 219Arbeitsbereich, erlaubter, 257Arbeitsgerade, 168, 249, 289Arbeitspunkt, 85, 90–93, 129, 141, 153, 161,

169, 180, 192, 197, 199, 210, 224, 225,237, 241, 244–247, 249, 250, 252, 271,274, 275, 277, 278, 280, 282, 288, 289,294–300, 302, 304, 305, 307, 308, 314,317, 318, 335, 346–349, 351, 353, 362,364–367, 369–371, 373, 379, 380, 417,510, 533, 561, 678, 681, 682

Arbeitspunkt, temperaturunabhängiger, 356Arbeitspunktstrom, 275Arbeitspunktstrom, optimaler, 275Arbeitswiderstand, 232, 249, 299, 314, 389,

509, 514, 565Arbitrationslogik, 615ASCR, 449ASIC, 531, 627–635, 637, 641, 645, 670ASIC-Entwurf, 632, 634, 635Asymmetrical Silicon-Controlled Rectifier, 449Atom

~bindung, 11~hülle, 21~kern, 9, 14~masse, 5~rümpfe, 42, 363Wertigkeit, 21

Ätzgräben, 111Aufenthaltswahrscheinlichkeit, 194Auffrischen, 571, 583, 607Auger-Effekt, 142Auger-Rekombination, 142Ausbreitungsgeschwindigkeit, 160Ausgangs

~aussteuerbarkeit, 466, 467, 469, 472, 475,517

~kennlinie, 238, 239, 245, 249, 305, 348,365, 367, 369, 372, 380

~kennlinienfeld, 234, 238–241, 244–246,249–251, 299, 352, 353, 368, 371,372, 381, 382, 387, 412, 413

~kreis, 229, 231, 232, 238, 249, 280~lastfaktor, 536~leistung, 1, 142, 157, 161, 204, 206, 210,

212, 284, 502, 509, 516, 526, 561~leitwert, differenzieller, 244-Reflexionsfaktor, 312~ruhepotenzial, 464, 467, 484~spannung, 129, 149, 187, 189, 233, 234,

247, 265, 281, 305, 318, 389, 391,469, 470, 472, 473, 475, 476, 480,483, 484, 486, 492, 493, 500–503,507–509, 511, 514, 532–534, 541,543, 550, 554, 557, 561, 673, 682

~strom, 234, 241, 278, 470, 480, 504, 508,509, 557, 558, 565

~strom, maximaler, 473~stufe, 496, 504, 508, 509, 515, 516, 547,

550~widerstand, 231, 244, 298, 299, 315, 316,

344, 355, 370, 380, 472, 480, 481,497, 507–509, 516, 681

~widerstand, differenzieller, 297~widerstand, dynamischer, 370, 371

Ausgangsamplitude, maximale, 502Ausräumfaktor, 286, 287, 677Ausräumstrom, 71, 286, 287, 439, 446, 679Ausräumzeit, 72, 96, 439, 682Ausschaltverhalten, 439, 452Ausschaltzeit, 285, 287Aussteuerung, lineare, 232Aussteuerungsbereich, 90, 484, 513Aussteuerungsgrenze, 467Austrittsarbeit, 17, 74, 75, 146, 148, 357, 678Autokorrelationsfunktion, 268Avalanche Induced Migration, 587, 588Avalanche-Effekt, 62, 130, 591, 595Avalanchefestigkeit, 413Avalanche-Fotodiode, 172

BBackwarddiode, 199Bad Block Management, 599, 600Bad Blocks, 599, 600Bahn

~gebiet, 43, 415, 417, 458

Stichwortverzeichnis 691

~widerstand, 59, 84, 88, 93, 103, 186, 198,327, 379, 382, 408, 435, 680

Ball, 522, 530Band

~abstand, 6, 20, 22, 27–29, 35, 36, 65, 98,132, 138, 327–329, 677

~abstand, Temperaturabhängigkeit, 29~diagramm, 16~kanten, 16, 20, 24~lücke, 15, 21, 24, 25, 27, 65, 132, 164,

277, 327, 402, 677~übergang, direkter, 24~übergang, indirekter, 24

Bänderdiagramm, 16, 328Bändermodell, 15, 24, 34, 50, 52, 195, 201bandgap, 15Bandlückenbreite, 148BARITT-Diode, 211, 212Barium, 17Bariumtitanat, 607Barren, 162Basis, V, 36, 146, 152, 193, 220–230, 232–235,

239–244, 247, 250–253, 257, 270, 272,276, 278, 280, 281, 284–288, 290–292,296–299, 306, 310, 317–321, 326–329,331, 332, 335–338, 353, 378, 394, 401,410–413, 423, 429–431, 452, 454, 458,481, 484, 510, 511, 539, 543, 545–548,551–554, 569, 588, 606, 609, 611,678–680, 682

Basisbahnwiderstand, 274, 275, 281, 284, 296,299, 317, 326, 327

Basis-Emitter-Diode, 221, 223, 239–241, 243,250, 276, 318, 332, 336, 547, 569, 588

Basis-Emitter-Verlustleistung, 252, 253Basis-Kollektor-Diode, 220, 222, 227, 240,

241, 243, 244, 250, 284, 547Basis-Kollektor-Grenzschicht, 228, 241, 353Basis-Kollektor-Spannung, 240Basisruhespannung, 234Basis-Ruhestrom, 250Basisschaltung, 229, 230, 242, 243, 278, 281,

283, 290–292, 306, 307, 345, 430, 431,677, 683

Basisvorspannung, 234, 250Basisweiten-Modulation, 240Batterien, 1Bauelemente

aktive, 1, 217

diskrete, 3induktive, 1lineare, 1, 2nichtlineare, 3passive, 1

Baugruppe, 1Bauteile, optoelektronische, 120Belastungsschwankungen, 129Beleuchtungsstärke, 165, 168, 169, 171, 173,

589Benzolringe, 6Bereich

aktiver, 232, 240, 241, 285, 287, 288, 320,326, 350, 353, 355, 416

Ohm’scher, 351, 353, 368parabolischer, 351

Bereiche, verbotene, 15, 533Beschleunigungsdioden, 554Besetzungsinversion, 152, 153Besetzungswahrscheinlichkeit, 18–20Besetzungswahrscheinlichkeit,

energieabhängige, 18beta cuttoff frequency, 281Betrieb, invertierender, 475Betrieb, nichtinvertierender, 475Betriebsart, 204, 205, 223, 224, 352, 376, 548,

579, 610Betriebseigenschaften, 238, 314Betriebsspannung, 121, 216, 217, 225, 241,

249, 343, 389, 460, 465, 467, 474, 475,485, 486, 509, 517, 532, 533, 538, 544,545, 551, 585, 596, 603, 611, 617, 682,683

Betriebsspannung, Abblocken, 516, 549Betriebsspannung, Schwankungen, 129, 512,

532Betriebsspannung, symmetrische, 466, 509Betriebsspannungsdurchgriff, 472, 485Betriebssperrspannung, 121, 683Betriebsstromaufnahme, 472Betriebstemperatur, 38, 180, 216, 434, 436,

486, 552, 684Betriebsverhalten, Transistorvierpol, 314Betriebsverstärkung, 476, 486, 487, 683Betriebsverstärkung, Polstelle, 493Betriebswellenlänge, 135, 684Beweglichkeit, 31, 35–37, 171, 202, 203, 225,

339, 343, 355, 369, 375, 384, 401–403BFL, 540

692 Stichwortverzeichnis

Biasstrom, 481BICMOS, 527, 539, 558, 559, 572, 573BICMOS-Technologie, 573Bindung, kovalente, 11, 33Bindungslücke, 33Bindungssystem, konjugiertes, 6Bipolartransistor, 217, 218, 222, 245, 258, 269,

270, 282, 290, 319, 327, 331, 338, 344,353, 355, 370, 376, 377, 381, 383, 384,391, 392, 402, 405, 411, 423, 471, 572

Bipolartransistor, Großsignalgleichungen, 277Bipolartransistor, rechnerische Behandlung,

276bi-stable noise, 271Bitleitung, 578, 586–588, 591, 594, 597, 601,

612, 613, 617Blockierbereich, 126, 127Blockierbetrieb, 427, 432Blockierkennlinie, 426, 428, 433, 435Blockierrichtung, 427, 428, 436, 437, 440Blocktransfer, 624Bode-Diagramm, 491, 493–496, 498body diode, siehe Bodydiodebody effect, 361Bodydiode, 361, 386, 394Boltzmann-Konstante, 18, 27, 269, 277, 505,

679Boltzmann-Statistik, 20Boltzmann-Verteilung, 20Bonddraht, 117, 136, 646Bottom-Up-Design, 633, 634Boundary Scan, 649Bragg

-Laser, 157-Reflektor, 158-Reflexion, 158-Spiegel, 158-Struktur, 158

breakdown, 105, 122, 250, 257breakdown voltage, 105, 121, 122Brechungsindex, 138, 155Brechungsindexführung, 157Breitstreifendioden, 157Brom, 6Brückenschaltungen, 425BSIM-Modell, 378Buffer, 536, 615Buffered FET Logic, 540buffer-layer, 406, 408

Bulk, 337, 342, 357, 359–361, 363, 379, 381Bumps, 523, 524Burn-In, 651burried layer, 325Burrus-LED, 138Burst Mode, 624burst noise, 271Burst-EDO-RAM, 624Busleitung, 551Bypass-Diode, 183

CCache, 611, 624Cadmiumsulfid (CdS), 6CAD-Werkzeuge, 632, 637–639, 645CAS-before-RAS-Refresh, 622, 623case temperature, 253CAS-Zugriffszeit, 622CC-OPV, 470, 471Chalkogenide, 609, 610channel, 337Channel Hot Electron Injection, 591Channel Hot Electron Process, 591, 602Channeled Gate Array, 630CHEI, 591Chemical Vapor Deposition, 357, 360CHE-Prozess, 591, 602Chip, 134, 162, 329, 399, 471, 520, 522–524,

526, 530, 546, 550, 564, 573, 582, 586,588, 589, 592, 593, 596, 600, 603, 608,614, 615, 618, 620, 621, 623, 627–631,636, 643, 645–647, 650, 670, 673, 676

Chip Select, 550, 582Chip-Carrier, 520Chlor, 6chopper stabilized opamps, 486Chopper-Stabilisierung, 484clamping voltage, 121, 122CMOS, 329, 342, 389–391, 399, 482, 486, 500,

527, 538, 539, 543, 544, 558, 559,561–573, 590, 597, 598, 607, 609–612,642, 658, 673

CMOS-Gatter, 563, 564, 567, 570, 573CMOS-ICs, 564CMOS-Inverter, 389, 390, 565, 566, 568, 569CMOS-Schaltungstechnik, dynamische, 563CMOS-Schaltungstechnik, statische, 563

Stichwortverzeichnis 693

CMOS-Technologie, 389, 390, 500, 561,563–565, 598, 609, 611

CMRR, 477, 478, 508, 677Column Adress Strobe, 618common mode gain, 477common mode input resistance, 479Common Mode Rejection Ratio, 477Complex Programmable Logic Device, 653Concurrent Refresh, 622continuous current, 252, 386Control, 550Corner Analyse, 640CPLD, 653, 656, 658, 666, 670Current Controlled RF-resistor, 190current crowding, 326Current Feedback Amplifier, 470current limiter diode, 130current mirror, 512cut-off current, 242cut-off region, 223CVD-Prozess, 360CV-OPV, 470, 471Czochralski-Verfahren, 175

DDangling Bonds, 176Darlington, komplementärer pnp, 331Darlington, npn, 331, 332Darlington, Standard-pnp, 331Darlington-Schaltung, 330, 331, 549Darlington-Schaltung, komplementäre, 330Darlington-Schaltung, Standard, 330Darlington-Transistor, 330–336, 515, 549, 552Darlington-Transistor, komplementärer, 335Data Valid to End of Write, 584Datenbus, 582, 587, 599, 613–615, 625Datenbus, bidirektionaler, 614Datenleitung, 578, 613, 614, 617Datenspeicher, 575, 579–581, 585, 598Datenwort, 578, 587, 610Datenwortbreite, 578, 582Dauereffektivstrom, 441Dauerflussstrom, maximaler, 102, 679Dauergrenzstrom, 108, 441Dauerstrom, maximaler, 252, 386DBR-Laser, 157, 158DC current gain, 280DCFL, 539

DC-Leerlaufverstärkung, 474, 488DDR-SDRAM, 625de Broglie, 23Debye-Länge, 43, 44, 679Defektelektron, 26Defektmanagement, 599Defektübergang, 142Degradation, 176, 590delay time, 285delayed domain mode, 205depletion type, 340Depletionmode, 341DFB-Laser, 157, 158DGFET, 399DH-Struktur, 138, 139DIAC, 124, 125, 448Diamant, 5, 13, 28Diamond-Transistor, 471Dichteabweichung, 44Dichtefunktion, 264, 265, 680Dickfilmtechnik, 520Dickschichtschaltung, 521, 522Dickschichttechnik, 520, 521Die-Bonden, 521Dielektrizitätskonstante, absolute, 369, 384Dielektrizitätskonstante, relative, 28, 369, 384differential input resistance, 479Differenz

~ansteuerung, 479~eingang, 471, 493~eingangsspannung, 465, 487~eingangswiderstand, 472, 478, 479, 508,

681~signal, 476–478~steilheit, 470~verstärker, 463, 465, 478, 504, 508–514,

529, 542~verstärkereingangsstufe, 481~verstärkung, 469, 470, 472–474, 478, 480,

484, 508, 513, 514, 677Differenzialgleichungen, lineare, 2Diffusion, 32, 41, 47, 53, 59, 111–113, 227,

320, 325, 326, 360, 398, 406, 424, 519Diffusion, doppelte, 376Diffusion, einfache, 375, 376Diffusions

~ spannung, 57~kapazität, 60, 61, 70, 94, 96, 120, 184,

281, 318, 677

694 Stichwortverzeichnis

~konstante, 28, 30, 31, 677~länge, 30, 44, 55, 679-Planartechnologie, 110~spannung, 43, 44, 47, 48, 52, 56, 58, 59,

67, 78, 82, 187, 355, 356, 682~strom, 31, 42, 197, 678

DIMOS- Technologie, 394Diode

Avalanche-~, 130Bandgap-Referenz-~, 124~clusterschaltung, 557Datenblätter, 103Dreischicht~, 124Einpress~, 117Flächen~, 110, 113, 115Fünfschicht~, 124, 422Gleichrichter~, 80, 83, 102, 119, 213Gleichstromwiderstand, 91, 681Golddraht~, 110, 114Herstellung, 109Höchstfrequenz-~, 120ideale, 84, 86integrierte, 77Kennlinie, linearisierte, 84Klein~, 117Legierungs~, 110Leucht~, 131, 132, 144, 152~logik, 79Lumineszenz~, 131, 132Mehrschicht~, 124parasitäre, 517Schalt~, 72, 97, 119, 213Scheiben~, 117Schraub~, 117Spitzen~, 110, 114Stromregel~, 130, 131Suppressor~, 120–122~tablette, 113Temperatureffekte, 98Transient Voltage Suppressor, 120Universal~, 119Verhalten, statisches, 83Vierschicht~, 124–128, 422, 459~wechselstrom, 93Wechselstromwiderstand, 91Widerstand, differenzieller, 91

diode alternating current switch, 124Diode-Transistor-Logik, 540Dipoldomäne, 205

Direct Coupled FET Logic, 539Direct Memory Access, 622Dispersion, 160, 161Distributed-Bragg-Reflection-Laser, 158Distributed-Feedback-Laser, 158DMOS-Struktur, 393, 394, 396Domäne, 203Domänengeschwindigkeit, 204, 683Domänenlöschbetrieb, 205Domänenverzögerungsbetrieb, 205Domino-Logik, 572Donator, 6, 25, 33–38, 221, 403, 680Doppelbasisdiode, 458Doppelbindung, 6Doppeldriftdiode, 210Doppelheterostruktur, 138, 156, 162Dotieren, 7, 20, 32, 174Dotierstoffkonzentrationen, 49, 113, 424Dotierung

oxidative, 6reduktive, 6resultierende, 35

Dotierungs~änderungen, 112~dichte, 42, 320, 402, 409~gebiet, 39, 40~grad, 34~profil, 56, 112, 207, 426~verlauf, 39, 40

DOVETT-Diode, 212DPRAM, 615Drahtbonden, 522, 523Drain, 337, 338, 345–350, 352–355, 359–371,

373, 376, 377, 379, 380, 385–388,391–393, 396, 398, 399, 415, 456, 561,565, 570, 586, 590–593, 595, 597, 602,679, 682

Drain-Abschnürspannung, 349, 365, 367, 371,682

Drain-Gate-Durchbruch, 350, 352, 385Drain-Gate-Durchbruchspannung, 385Drain-Pinch-off-Spannung, 349Drain-Ruhestrom, 370Drain-Sättigungsstrom, 347, 349, 352, 354,

386, 679Drainschaltung, 344, 345Drain-Source

-Durchbruchspannung, 385, 386-Durchlasswiderstand, 376

Stichwortverzeichnis 695

-Leckstrom, 387-Sättigungsspannung, 353-Spannung, 338, 347, 348, 350, 355, 364,

365, 369, 371, 373, 380, 386, 388,415, 561, 591, 592

-Strecke, 338, 350, 362, 363, 373, 377, 385,565

-Widerstand, dynamischer, 355Drain-Source Pinch-off Voltage, 365, 367, 371Drain-Sourcespannung, maximale, 351Drainstrom, maximaler, 387Drainstrom, minimaler, 387DRAM, 604, 608, 616–618, 620–626DRC, 644Dreischichtstruktur, 68Drift

~beweglichkeit, 31~geschwindigkeit, 202, 402~kompensation, 483~strom, 31~zone, 207–209, 408, 411, 414

Drive-R-Amplifier, 471DSM-Laser, 157DTL, 539–542, 546, 554DTLZ-Logik, 542Dual-Gate MOSFET, 399, 400Dual-Port-RAM, 615Dunkelstrom, 164, 165, 171Dünnfilmtechniken, 146Dünnfilmtransistoren, 149Dünnschichttechnik, 405, 521Dünnschichttransistoren, 405Dünnschichtzellen, 176Durchbruch, 61–65, 67, 68, 79, 83, 102, 103,

126, 128, 130, 224, 240, 243, 250–252,257, 350, 352, 385, 386, 393, 408, 542,569, 588, 596

Durchbruch 2. Art, 252, 257Durchbruch l. Art, 252Durchbruch, reversibler 1., 103Durchbruch, zeitabhängiger, 595Durchbruchbereich, 72, 73, 80, 81, 83, 102,

128–130Durchbruchkennlinie, 129Durchbruchsladung, 596Durchbruchspannung, 62, 63, 65, 66, 73, 83,

88, 97, 101, 102, 105, 115, 116,119–121, 124, 128, 130, 172, 199, 243,

244, 251, 329, 385, 386, 398, 413, 426,433, 448, 569, 596, 682

Durchbruchvorgänge, 65Durchgreifeffekt, 68Durchgreifspannung, 68, 240Durchgriff, 61, 67, 68, 408Durchgriffspannung, 68Durchlass

~bereich, 59, 69, 72, 82, 84, 86–88, 92, 94,95, 101–103, 114, 126, 127, 197,199, 226, 234, 285, 286

~betrieb, 55, 60, 115, 131, 192, 223, 415~kennlinie, 88, 124, 224, 426, 428, 432, 434~strom, 59, 68, 69, 73, 79, 81, 82, 89, 95,

96, 99, 104, 124, 126–128, 140, 141,197, 226, 346, 679

~strom, temperaturabhängiger, 99~verzögerungszeit, 95~verzugszeit, 95~widerstand, 68, 114, 115, 119, 297, 299,

392, 396, 397, 408–410, 419, 456~zustand, 124, 239, 286, 410, 411, 413,

435, 450, 458Durchlaufverzögerungszeit, 658Durchschaltzeit, 439, 682Dynamic Random Access Memory, 616

EE2PROM, 592Early-Effekt, 241, 277, 290, 299, 349, 355, 365,

371, 511Early-Spannung, 240, 241, 244, 276, 328, 335,

336, 355, 371, 373, 374, 683Ebers-Moll-Modell, 290–293Eckfrequenz, 488ECL, 527, 538, 539, 542–544, 555, 558, 572,

573, 658, 659, 663ECL-Schaltkreise, 542, 544, 555Edelgaskonfiguration, 15EDO-RAM, 624EEPROM, 582, 583, 592, 593, 595–597, 631,

663, 675, 676Effektivwert, 266, 267, 271, 434, 441Eigenhalbleiter, 27Eigenleitung, 17, 22, 26, 36, 37, 39Eigenleitungsbereich, 37Eigenleitungsdichte, 27, 29, 35, 40, 680Eigenleitungskonzentration, 55

696 Stichwortverzeichnis

Eigenschaften, dynamische, 224, 419, 437Eigenschaften, statische, 224Eigenschwingungen, 21Eindringtiefe, elektrisches Feld, 44Einfachbindung, 6Eingangs

~fehlspannung, 473, 484~fehlstrom, 482, 483~gleichtaktspannung, 476~impedanz, 198, 317, 345~kapazität, 382, 383, 390, 479, 568~kennlinie, 224, 234–236, 238, 250, 305,

352, 353, 368~kennlinienfeld, 234, 237, 248~klemmdioden, 547~kreis, 229, 232, 234, 249, 250, 304, 305,

389~lastfaktor, 535~leistung, 1, 166, 284~rauschleistung, 273-Reflexionsfaktor, 312~ruhestrom, 473, 481, 483, 508~schutz, 398, 517-Schutzschaltung, 568, 569~schwellenspannung, 533~spannungsdifferenz, 469, 470, 473~stufe, 392, 481, 484, 496, 508, 509, 515~widerstand, differenzieller, 225, 297

Einmodenspektrum, 160Einpulsschaltung, gesteuerte, 442Einraststrom, 434, 445Einrichtungs-Thyristortetrode, 448Einrichtungs-Thyristortriode, 422Einsatzspannung, 362Einschalt

~stromsteilheit, kritische, 435~verluste, 437~verzögerung, 285, 287~verzugszeit, 438~vorgang, 69, 97, 438, 454, 456~widerstand, 373, 376, 417, 681~zeit, 95, 255, 285, 287, 681, 682~zeitkonstante, 286

Einschnürung, 252Einschwingzeit, 502, 503, 682Einstein-Beziehung, 31Eintaktendstufe, 509Einzelatom, 13–15

Einzeltransistoren, 220, 319, 321, 331, 332,335, 337, 381, 385–387, 464, 555, 643

Electrically Erasable PROM, 592elektrisches Feld, Stärke, 17Elektrolumineszenzstrahler, 132Elektron

Masse, durchschnittliche effektive, 28Ruhemasse, freies, 29, 680

Elektronen~bahnen, 14~beweglichkeit, 28, 369, 402, 403, 684~dichte, 27, 35, 38, 59, 359, 402, 680~fehlstelle, 26heiße, 120~lawine, 62~lücke, 26~paarbindung, 11, 12-Sättigungsgeschwindigkeit, 204~schalen, 15~strom, 59, 78, 226, 228, 241, 244, 327,

410, 449~volt, 17

Elektronengas, zweidimensionales, 403Elektronentransfer-Bauelemente, 201Elektron-Loch-Plasma, 410Element, 5, 32, 33, 204, 409, 423, 450, 567,

605, 637Elementarereignis, 261Elementarladung, 166, 339, 678Elementarteilchen, 18, 193Emission, stimulierte, 152Emissionskoeffizient, 87, 100, 680Emitter, 133, 146, 162, 220–226, 228–230,

232–235, 239–241, 243, 244, 247,250–252, 257, 270, 279–281, 285, 286,291, 293, 296–298, 304, 306, 307,317–321, 323, 324, 326–328, 331, 332,335–338, 406, 410–413, 429, 431, 454,458, 460, 510, 511, 513, 514, 539, 542,543, 546, 548, 552–554, 558, 679, 680,682

Emitterbahnwiderstand, 295Emitter-Basis-Durchbruchspannung, 250, 682Emitter-Basis-Grenzschicht, 227, 240Emitter-Basis-Reststrom, 243, 679Emitterdiode, 221–224, 228, 291, 299Emittereffizienz, 327Emitter-Injektionswirkungsgrad, 327Emitterrandverdrängung, 326, 327

Stichwortverzeichnis 697

Emitterreststrom, 243Emitterschaltung, 223, 224, 229, 230, 233, 234,

239, 240, 242–246, 248, 249, 277,280–284, 292, 299–306, 309, 310, 317,318, 344, 345, 383, 513, 514

Emittersperrschichtkapazität, 285, 677Empfindlichkeit, spektrale, 167Enable, 550, 582, 614Endstufe, 508, 515, 554, 555Endurance, 590, 600Energie

~abstand, 16, 147, 678~bänder, 15~linien, 9, 15~niveau, 9, 13–15, 21, 24, 34, 35, 65, 132,

142, 152, 176, 195, 197, 678potenzielle, 9, 20~quantelung, 193~werte, 9, 14, 18, 20, 22, 202~zufuhr, 9, 21, 26, 33–36, 194

ENFET, 404enhancement type, 340Enhancementmode, 341Entkoppelkondensator, 549Entladungen, statische, 338, 344Entwurfsablauf, 632, 637, 638Enzym-FET, 404Epitaxial-Planartechnik, 111, 132Epitaxialschicht, 132Epitaxialtechnik, planare, 320, 323Epitaxie, 32, 110–112, 320, 321, 325, 326, 407,

648Epitaxie-Insel, 325, 326EPLD, 653, 656EPROM, 531, 583, 588–590, 592–595, 597,

598, 631, 670, 674–676Erasable Programmable Logic Device, 653ERC, 644Ereignis, 261–263Ereignisse, günstige, 263Ergebnismenge, 261Ergebnisraum, 261, 262Erholungszeit, 96, 386, 394, 682Erholzeit, 72, 96, 504, 620, 682Ersatzschaltung, formale, 289, 301Ersatzschaltung, physikalische, 289Erwartungswert, 259, 264–266, 504, 683Esaki-Diode, 199Esaki-Strom, 197

ESAKI-Tunneln, 197ESD-Schutz, 399ETOX-Zelle, 602Evaluierungsphase, 571Exemplarstreuungen, 127, 131, 140, 302, 344,

435, 474, 532Exziton, 136, 147, 148

FFabry-Perot-Laser, 155, 157Fabry-Perot-Resonator, 157fall time, 285FAMOS-Transistor, 590, 591Fan-In, 535, 548Fan-Out, 536, 548Farbtemperatur, 134FAST-Baureihe, 556Fast-Page-Mode, 624fast-recovery diode, 213FCT, 456, 457, 558, 559FeFET, 608Fehlerarten, 647Fehlerwahrscheinlichkeit, 259, 602Feldeffekttransistor, 20, 337, 338, 344, 352,

384, 456, 608Isolierschicht-~, 339MOS-~, 339, 359, 410organische, 6Sperrschicht-~, 339

Feldemission, innere, 64Feldempfindlichkeit, 216Feldoxid, 360, 587Feldstärkedurchbruch, 68, 408Feldstrom, 31, 54, 679Fenster, eingeätzte, 132Fermi

-Dirac-Verteilung, 18, 20-Niveau, 17–20, 51, 74, 678-Statistik, 15-Verteilungsfunktion, 18

Ferroelectric Random Access Memory, 606Ferroelektrika, 606Festkörper, 15, 18, 19, 148, 176Festkörperphysik, 22, 147Festwertspeicher, 585, 587, 588, 592FET, ionensensitiver, 403FETs, Logic Level, 398Field Programmable Devices, 652

698 Stichwortverzeichnis

Field Programmable Gate Array, 653, 670Field Programmable Logic Array, 652Field-Controlled Thyristor, 456Firmware, 585, 598, 671, 674Flachbandfall, 357, 362, 366Flächenbedarf, 176, 419, 545, 560, 562, 597,

639Flächendioden, 110, 113, 115Flächenstrahler, 136, 137, 139Flankensteilheiten, 536Flash-EEPROM, 596, 597Flash-EPROM, 583, 596, 674, 676Flash-Speicherzelle, 597, 599, 663, 666flicker noise, 271Flip-Chip-Bonden, 523, 524Flipflop-Technik, 577Floating Gate, 570, 590–592, 594–597, 599,

602Floating Gate-EEPROM, 594Floorplanning, 641FLOTOX-EEPROM-Zelle, 597FLOTOX-Speicherzelle, 594, 595Flussbereich, 72, 77, 95, 96Flussbetrieb, 84, 85, 440Flüssigkristall-Flachbildschirme, 405Flussspannung, 58, 60, 82, 86, 97, 197, 409,

428, 459, 541, 565, 569, 682Flussstrom, 58, 352, 409Formierungsstromstoß, 114forward region, 222Fotodiode, 144, 162–166, 168–173, 179Fotoeffekt, 163Fotoelement, 168, 169Fotolack, 110, 326Fotolackmaske, 112Fotostrom, 165, 166, 168, 169, 182Fotovoltaikanlagen, 169, 175Fowler-Nordheim-Tunneleffekt, 594, 602Fowler-Nordheim-Tunnelung, 597FPGA, 653, 656, 670–676FPGAs, reprogrammierbare, 671FPLA, 652FRAM, 606–609FRAM-Zelle, 608, 609FREDFET, 398Freigabeeingang, 551Freilaufdiode, 80, 183, 361, 394, 406, 415–418,

449Freiwerdezeit, 434, 440, 441, 446, 449

Fremdatome, 12, 25, 32, 34, 142, 175, 320Frenkelexziton, 147Frequenz

~abstimmung, 80, 187, 188kritische, 493~modulation, 184, 187~vervielfachung, 184

Frequenzgang, 473, 487–490, 492, 496, 498,499, 502

Frequenzgangkorrektur, 465, 487, 490, 491,494–496, 499, 501, 517

Frequenzgangkorrektur, angepasste, 498Frequenzgangkorrektur, universelle, 498Frequenzkompensation, 473Fresnelreflexion, 155Full Power Bandwidth, 502, 503Full-Custom-ASIC, 629, 633Full-Custom-Entwurf, 629, 630, 634Füllfaktor, 181, 182Funkelrauschen, 259, 271, 504, 505Funktionsersatzschaltung, 289, 299, 300Funktionsspeicher, 575Fusable Links, 587, 653Fuse-Technik, 587, 588

GGA, 576GaAs-MESFET, 400–402gain-bandwidth-product, 282gain-guiding, 157Gajski-Diagramm, 635GAL, 653, 655, 656, 663–665Galliumaluminiumarsenid (GaAlAs), 133Galliumarsenid (GaAs), 6, 133Galliumarsenidphosphid (GaAsP), 133Galliumnitrid (GaN), 133Galliumphosphid (GaP), 133Galliumsulfid (GaS), 6Galliumtellurid (GaTe), 6Gate, 130, 337–341, 344, 346, 347, 349, 350,

355, 357–359, 362–369, 372, 373, 377,379, 382–388, 390–392, 396, 397,399–401, 403, 405, 406, 410, 411, 413,417–419, 421, 423, 426–428, 430, 434,435, 439, 443, 445, 446, 450, 452–458,461, 531, 564, 568, 570, 571, 576, 586,590–595, 597, 599, 601–603, 608, 616,629–631, 634, 642, 653, 682

Stichwortverzeichnis 699

-Abschnürspannung, 347, 366, 682-Drain-Kapazität, 384-Gleichstrom, 341-Isolierung, 340-Kanal-Sperrschicht, 346~kapazität, 344, 362, 383, 384, 416, 677~ladungsdiagramme, 418~länge, 383, 384~oxid, 357, 360, 362–364, 403, 568-Oxidschicht, 369, 384-Pinch-off-Spannung, 347~schaltung, 345, 399-Strom, 346, 434

Gate Array, 531, 576, 629–631, 634, 653Gate Turn Off Thyristor, 435Gate-Commutated Thyristor, 457Gate-Source Pinch-off Voltage, 366Gate-Source-Durchbruch, 377, 385, 682Gate-Source-Durchbruchspannung, 377, 385,

682Gate-Source-Kapazität, 382, 383Gate-Substrat-Durchbruch, 568Gatteräquivalente, 671, 672GCT, 457Gegenkopplung, 303, 318, 336, 390, 472, 474,

476, 480, 481, 485–491, 493, 496, 497,506, 507, 513, 514

Gegenkopplung, elektrische, 376Gegenkopplung, thermische, 356, 376Gegenkopplungsfaktor, 480, 486, 487, 679Gegenkopplungswiderstände, 482, 514, 517Gegentakteingangswiderstand, 478Gegentaktendstufe, 391, 508, 509, 548, 549,

551Gegentaktschaltung, 389Gegentaktsignal, 478Gehäusebauformen, 117, 118, 323Gehäusetemperatur, 253, 255, 387, 681Generation, 22, 26, 30, 55, 164, 165, 176, 272,

596, 603, 624, 649Generationsenergie, 27Generic Array Logic, 653Geometriedomäne, 636Geometriefaktor, 369Geradeausverstärkung, 507Gesamtverlustleistung, 252Geschwindigkeit, mittlere, 31GG-Laser, 157Giacoletto-Ersatzschaltbild, 317

Giant Magneto Resistance Effekt, 604Gipfelspannung, 459–461Gipfelstrom, 459Gitterbaufehler, 30Gitterfehler, 32, 142Gitterschwingungen, 22, 26, 132, 355, 375Gitterstörungen, 25Glas, 13, 117, 146, 176, 521Gleichanteil, 93, 259, 266, 267, 444Gleichgewicht, 26, 42, 59

thermodynamisches, 17–19, 26, 27, 39Gleichrichter, 80, 97, 107, 191, 442Gleichrichterdioden, 80, 83, 102, 119, 213Gleichrichterzelle, steuerbare, 421Gleichspannungsaussteuerung, 478Gleichstrom-Kleinsignalersatzschaltbild, 295,

379Gleichstromverstärkung, 224, 229, 245, 280,

430Gleichstromverstärkungsfaktor, 223, 229, 276,

278, 286, 677Gleichtakt

~aussteuerbarkeit, 466, 473~aussteuerung, 476, 482, 511~betrieb, 476, 477~eingangswiderstand, 473, 478, 479, 508,

681~signal, 477, 478~spannung, 476, 478, 509, 511~unterdrückung, 473, 476–478, 507, 508,

511, 512, 677~verstärkung, 476–478, 683

Glue Logic, 598, 599Golddrahtdiode, 110, 114Grabenstrukturen, 392Gradationsexponent, 56, 680Granularität, 671, 673Grenzdaten, 101, 104, 250, 384, 387Grenzfläche, 132, 155, 215, 362, 363, 403, 593,

594, 596Grenzfrequenz, 36, 141, 171–173, 186, 198,

281–284, 296, 320, 328, 345, 383, 384,472, 473, 488–490, 495, 501, 507, 508,678

Grenzlastintegral, 108, 442Grenzschicht, 42, 47, 49, 52, 53, 59, 65, 225,

296, 327, 358, 359, 363, 364, 446, 593,594

Grenzspannungen, 101, 250, 384

700 Stichwortverzeichnis

Grenzströme, 101, 102, 250, 252, 384, 386Grenzwerte, 68, 107, 142, 216, 238, 240, 243,

256, 257, 436, 532, 533Großsignal

~aussteuerung, 224, 225, 501-Bandbreite, 502, 503~betrieb, 289, 472~gleichungen MOSFET, 371~modelle, 290~stromverstärkung, 229~verstärkung, 229

Grundmaterial, 111, 134, 137, 319, 345, 359GTO, 435, 450, 452GTO-Thyristoren, 450, 457Gummel-Plot, 277Gummel-Poon-Modell, 290, 294, 295, 377Gunndiode, 200, 201, 203, 206, 207Gunn-Effekt, 200, 201, 206Gunn-Element, 201, 203–205, 210Gunnoszillator, 206Güte, 182, 184–188, 680

HHaftfehler, 649Haftstellen, 25, 593, 594Halbbrücken, 425Halbleiter, V, 1, 5–7, 17, 18, 20–22, 24–27,

29–39, 42, 44, 52, 54, 66–68, 73–75,109, 111, 112, 124, 132, 137, 144, 147,163, 190, 194, 200, 201, 327, 329, 337,340, 357, 359, 363, 402, 405, 422, 428,471, 520, 586, 588, 593

~block, 42direkte und indirekte, 22~drucksensoren, 339eigenleitend, 20Element~, 5, 13, 26, 33entartete, 34I-III-VI-~, 6III-V-~, 6, 33, 200III-VI-~, 6II-VI-~, 6, 200intrinsischer, 27~Laser, 6, 36, 156Leitfähigkeit, spezifische, 31-material, 1, 5, 35, 36, 38, 68, 78, 115, 132,

135, 139, 176, 225n-leitend, 20

-Oberfläche, 17, 74, 137organische, 6p-leitend, 20~scheibe, 109, 111, 320, 439~tablette, 116~träger, 77, 220, 337Verbindungs~, 6, 13, 25, 26

Halbleiterspeicher, 531, 575, 577Halbwertsbreite, 135, 160, 678, 684Haltespannung, 124, 125, 127, 426, 432, 447,

682Haltestrom, 124, 127, 128, 426, 432, 434, 435,

443, 445, 447, 450, 569, 679Häufigkeit, absolute, 262, 680Häufigkeit, relative, 262, 263, 678HD-Struktur, 137HE-Degradation, 595Helligkeitsmessung, 169HEMT, 330, 401–403Heterojunction, 327Heterojunction-Bipolartransistor, 327Heterokontakt, 402Heterostruktur, 138, 327, 402Heteroübergang, 327, 328, 402HEXFET, 396HF-Schalter, gleichspannungsgesteuerter, 192Hidden-Refresh, 623High Electron Mobility Transistor, 330, 401high side switches, 398Highside-Schalter, 399High-Speed-CMOS, 527, 557High-Speed-TTL, 552Hilfsbatterie, 585Hilfsenergiequelle, 1, 217Hochfrequenzanwendungen, 114, 336, 403Hochfrequenzschwingungen, parasitäre, 377Hochinjektion, 294Höchstfrequenzelektronik, 401Höckerspannung, 459Höckerstrom, 198, 679Hohlraumresonator, 204, 210, 212Hold-Time, 537, 585HOMO, 147, 148Homo-Dioden-Struktur, 137HOMO-LUMO-Abstand, 148HOMO-LUMO-Lücke, 148Homostruktur, 137Hot Spots, 257Hot-Carrier-Diode, 119

Stichwortverzeichnis 701

h-Parameter, 280, 302–310, 314h-Parameter, aus Kennlinien, 304h-Parameter, Umrechnung, 306, 307Hubdiode, 541Hybrid

~darstellung, 301-�-Modell, 317~parameter, 301, 303~schaltung, 520~technik, 520

Hyper Page Mode DRAM, 624Hystereseschleife, 606, 608, 609

II2L, 539Idealitätsfaktor, 87IGBT, 405–418IGBT-Konzepte, 407IGCT, 457IG-Laser, 157IMPATT-Diode, 206, 207, 210, 212Impuls, 23–25, 102, 121, 132, 193, 194, 284,

446, 448, 680~änderung, 25~belastbarkeit, 120, 121~raum, 22, 24~unschärfe, 194~verbreiterung, 161

impulse noise, 271index-guiding, 157Indiumantimonid (InSb), 6Indiumgalliumnitrid (InGaN), 133Indiumphosphid (InP), 6, 201Indiumsulfid (InS), 6Induktivitäten, 2, 214, 269, 440, 516, 523, 526Influenzladung, 359Influenzwirkung, 368Infrarot-Bereich, 133Injektion, hohe, 410Injektionsstrom, 545Injektionstransistoren, 545input bias current, 481input noise current density, 505input noise voltage, 505input noise voltage density, 505input offset current, 483input offset voltage, 484Instabilität, thermische, 414

integral diode, 394integrated circuit, 109, 320Integrated Gate-Commutated Thyristor, 457Integration, hybride, 520Integration, monolithische, 519, 524Integrationsgrad, 526, 555, 560Integrierte Injektions-Logik, 539, 545Intensitätsmaximum, 135Intensitätsmodulation, 141Interdigitalstruktur, 296, 327Interdigitaltransistor, 327Interface-Schaltungen, 536Interleave-Mode, 624interstitiell, 32Intrabandimpulsrelaxationszeit, 202intrinsic stand-off ratio, 459Intrinsic-Leitung, 26Intrinsic-Zone, 172, 173intrinsisch, 190, 402Inversbetrieb, 222, 224, 290–293, 320, 361,

547, 548Inversdiode, 394, 406, 414Inversion, schwache, 363Inversion, starke, 364Inversions

~dichte, 27~kanal, 363, 364, 371~schicht, 357, 359, 362, 364, 365, 593~zone, 371

Inversleitfähigkeit, 414Inverter, 390, 497, 537, 545, 561, 562,

564–566, 572Iod, 6Ionen, ortsfeste, 53Ionenimplantation, 32, 110, 112, 320, 360, 394,

398, 555Ionenkonzentration, 403Ionenstromdichte, 113Ionisationsrate, 207, 208, 683Ionisierung, 36ISFET, 403, 404Isolationsstrom, 352Isolator, 5, 20–22, 36, 42, 194, 340, 357, 362,

363, 593, 594, 604, 605Isolierschicht-FET, 340

JJEDEC-Files, 659

702 Stichwortverzeichnis

Johnson noise, 269junction, 42, 104, 105, 108Junction-FET, 340, 345

KKanal, 337, 338, 340–343, 345–350, 352,

355–357, 359–372, 376, 378, 379,385–388, 390, 391, 393, 394, 396, 398,400–403, 406, 407, 410, 411, 413, 418,428, 439, 453, 454, 510, 514, 527, 539,561–564, 567, 568, 570–572, 586,591–593, 595–598, 602, 611, 625

~abschnürung, 365~dicke, 351~dotierung, 351, 402~länge, 351, 368, 369, 384, 394, 396, 402,

679~längen-Modulation, 371, 372, 683-Leitwert, 369~querschnitt, 347, 363, 365, 366~querschnitt, ungleichmäßiger, 365, 367~verdrängung, 366~widerstand, 338, 347, 366, 376, 377, 389,

419Kantendefekte, 111Kantenstrahler, 136, 138, 139, 156, 159Kapazitäten, 2, 184, 281, 288, 290, 295, 317,

320, 378, 379, 390, 417, 487, 490, 500,519, 526, 537, 555, 563, 564, 566, 570,571

Kapazitätsdiode, 56, 80, 183, 184, 186–188,556

Kapazitätskoeffizient, 56, 680Kaskodeschaltung, 399, 400Kathode, 77, 79, 117, 118, 126, 127, 131, 132,

136, 146–148, 201, 203, 421, 423,425–428, 434, 435, 445, 449, 450, 453,455–457

Kenngröße, statische, 224Kennlinie, 1–3, 55, 77, 79–82, 87, 90, 114,

124–129, 140, 141, 153, 159, 161, 164,168–170, 179, 180, 182, 196, 197, 203,205, 207, 224–226, 232, 234, 237, 238,240, 241, 244, 246–249, 251, 252, 289,296, 299, 304, 351, 352, 355, 356, 361,368, 372, 373, 378, 412, 414, 422, 426,432, 433, 435, 446, 447, 451, 459, 461,477, 485, 509, 514, 532, 562

Kennlinie eines Bauelementes, 90Kennlinie, statische, 141, 224Kennlinienfelder, 234, 368Kennwerte, 108, 128, 135, 139, 142, 171, 181,

238, 260, 265, 266, 434, 436, 507, 508,527, 532, 536, 538, 551, 555, 557, 658,659, 663

Keramiksubstrat, 521, 523Kippspannung, 124, 127, 128, 432, 433, 437,

438, 447, 448, 682Kippspannungsdifferenz, 128Klammerdiode, 120Kleinsignal

~ausgangswiderstand, 244, 297, 370, 371,681

~ausgangswiderstand, differenzieller, 380,381

~aussteuerung, 92, 93, 224, 302, 501~betrieb, 252, 289, 297, 300, 383~eingangswiderstand, 237, 297~ersatzschaltbild, 191, 197, 298–300, 379~gleichungen, 297, 298, 301, 380~größe, 225, 488, 501, 502-Kurzschluss, 386~modell, dynamisches, 288, 381, 382~modell, statisches, 93, 295, 296, 379~parameter, 289, 297, 298~stromverstärkung, 224, 245, 274, 275, 278,

280, 297~verhalten, 90, 295, 335, 379, 381, 637~verstärker, 238-Vorwärtssteilheit, 351

Klemmspannung, 121, 682Klirrfaktor, 232, 300, 381, 679Knickfrequenz, 488, 490, 495Kniespannung, 131, 241, 353, 365, 371, 682Kohlenstoff, 5Kohlenwasserstoff, polyzyklischer

aromatischer, 6Kollektor, 220–226, 228–230, 232–234,

238–245, 247, 250–253, 257, 272, 278,280, 281, 285–288, 291, 293, 297–299,304, 317–321, 323, 324, 328, 331,336–338, 353, 394, 406, 409–411,413–415, 418, 423, 429, 430, 509, 510,522, 545, 548, 550, 553, 678–680, 682

~bahnwiderstand, 296~diode, 221–224, 228, 281, 291, 292~restspannung, 241

Stichwortverzeichnis 703

~reststrom, 243, 277~schaltung, 229, 230, 280, 306, 307, 345,

684~sperrschichtkapazität, 285, 286, 677~strom, 223, 228–230, 232, 233, 236–239,

241–243, 245, 246, 251, 257, 273,274, 277–280, 282, 283, 285–287,293, 304, 328, 332–335, 338, 410,413–415, 423, 430, 454, 510, 514,545, 554, 678

~stromschweif, 418Kollektor-Basis

-Durchbruchspannung, 250, 682-Grenzschicht, 240-Reststrom, 226, 243, 678-Spannung, 228, 250

Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, 243, 251, 682-Reststrom, 243, 244, 413, 678, 679-Sättigungsspannung, 223, 241, 293, 336,

414, 682-Spannung, 234, 238, 239, 241, 245, 247,

251, 252, 293, 297, 298, 304, 338,353, 413–415, 418

-Verlustleistung, 252Kommutierung, 439Kommutierungsdiode, 386Kommutierungsspannung, 415, 417Komparator, 472, 476Kompensation, äußere, 495Kompensation, innere, 495Kompensationskapazität, 497Kompensationsstrom, 485Komplementärtechnik, 342Komplementär-Transistoren, 219Kondensatoren, 1, 217, 269, 471, 516, 526,

607, 620Konfiguration, 604, 643, 670, 671, 675, 676Konstantstromquelle, 130, 140, 182, 250, 510,

512, 543Kontakt, Ohm’scher, 75, 116Kontaktierung, 110, 113, 174, 296, 357, 396,

457, 523, 644Koppelstufe, 508, 514–516Kopplung, 14, 305, 463, 591Korrekturfaktor, 87, 680Korrekturkapazität, 496, 498

Kristall, 5, 15, 16, 26, 27, 33, 114, 134, 136,137, 156, 159, 170, 176, 202, 320, 360,546

~defekte, 25~gitter, 6, 11, 13, 15, 17, 22, 28, 32, 33,

128, 132, 142, 176, 202, 320~struktur, 13, 15, 65, 175, 606, 607, 610~temperatur, 27, 681

Kühlkörper, 117, 253–255, 322, 425, 500Kühlung, 66, 117, 162, 253, 425, 564Kunststoff, 6, 117, 146Kupferindiumdiselenid (CuInSe2), 6Kupferindiumgalliumsulfid (CuInGaS2), 6Kupferplumbid (CuPb), 133Kurzkanaleffekte, 378Kurzschluss

~betrieb, 168, 169~festigkeit, 419, 516~sicherung, 504~strom, 169, 171, 177, 181, 182, 412, 536,

679~stromverstärkung, 280

LLadungspumpe, 399Ladungsspeicherungsdiode, 213Ladungssteuerungstheorie, 294Ladungsträger, 17, 20, 24, 26, 28, 30, 31,

33–37, 39–43, 52, 53, 59–62, 64, 67, 68,70, 95, 116, 141, 142, 147, 148, 165,167, 171, 176, 184, 190, 191, 202, 207,211–213, 215, 216, 218, 220, 225, 226,228, 234, 241, 258, 269, 270, 281,285–287, 320, 335, 337–340, 346, 353,355, 357, 358, 361, 364, 365, 369, 375,384, 402, 417, 431, 435, 440, 446, 451,455, 457–459, 548, 554, 599, 601, 603,684

~dichte, 37, 38, 42, 43, 59, 63, 131, 156,402

~dichte, intrinsische, 27, 38~injektion, 409~inversion, 363, 364~lebensdauer, 30~zahl, 37, 409

Lambertstrahler, 139Langzeitdrift, 485, 486Large Scale Integration, 526

704 Stichwortverzeichnis

large signal frequency response, 502Laser

~bedingung, 152, 156~diode, 149, 152, 159–163~licht, 152, 158~methode, 157~schwelle, 153~strahlung, 156, 159

Last~faktoren, 535~gerade, 249, 250, 257, 561~kapazität, 390, 391, 538, 549~minderungskurve, 253, 254, 387~strom, nichtlückender, 415~widerstand, 169, 180, 232, 249, 315, 316,

380, 474, 561, 562, 565, 611, 681~zeitkonstante, 415

latch-up, 410–412, 419Latch-up-Effekt, 569, 570Lateraltransistor, 324Laufzeitdiode, 210, 211Laufzeitmodus, 203Lawinendurchbruch, 61–63, 66, 121, 207, 209,

257Lawineneffekt, 62, 64–66, 130, 173, 207, 210,

212, 252Lawinen-Fotodiode, 172, 173Lawinenlaufzeitdiode, 207Lawinenmultiplikation, 207, 208Lawinenzone, 208, 209LCD, 149LDMOS-FET, 397LDMOS-Struktur, 398leakage current, 121, 122Lebensdauer, 30, 116, 141, 144–146, 148, 190,

191, 213, 214, 445, 590, 595, 596, 676,684

Leckstrom, 362, 375, 387, 445, 565LED, 131, 132, 134–136, 139–141, 144, 147,

152, 156, 159–162flächenemittierende, 137SMD-~, 134weiße, 134

Leerlaufspannungsverstärkung, 469, 473, 474,476, 486, 490, 495, 507–509, 683

Legierungstechnik, 109, 110, 319Leistungs

~anpassung, 169, 180, 181, 244~anschlüsse, 425

~bandbreite, 502~dichte, spektrale, 267, 268~dichtespektrum, 267, 268, 504~dioden, 69, 72, 80, 82, 84, 110, 113, 116,

117~endstufe, 509~gleichrichter, 120~module, 414, 418-MOSFET, 343, 373, 385, 389, 392, 393,

395, 406, 409, 410~schalter, 397, 399

Leitband, 15, 28Leitfähigkeit, 7, 8, 21, 27, 31, 32, 34, 36, 111,

190, 215, 221, 327, 338, 340, 347, 355,362, 372, 399, 402, 414, 415, 454, 458,590, 596, 604, 609, 684

Leitfähigkeitsmodulation, 458, 459Leitung, extrinsische, 32Leitungsband, 6, 15–22, 24–28, 34, 36, 64, 65,

132, 142, 147, 165, 196, 197, 201, 202,604, 678, 680

Leitungsbandkante, 17, 18, 21, 34, 51, 678Leitungselektronen, 16, 24, 176, 197Leitwertmodulation, 416Leitwertparameter, 309Leseverstärker, 587, 608, 611, 617–621, 662Lesevorgang, 577, 584, 602, 605, 608, 612,

615, 620Lese-Zykluszeit, 584, 681Leuchtdiode, organische, 144, 145Leuchtdiode, Standard-~, 136Leuchtdioden, 25, 36, 133, 134, 139–141, 145,

550Licht

~empfindlichkeit, 165, 171~farbe, 132, 134~farben, 133~intensität, 165, 173kaltes, 139~leistung, emittierte, 162~leitfaser, 156monochromes, 139~quant, 22, 131, 178ultraviolettes, 589, 592~verstärkung, 156

Light-Triggered Thyristor, 455limited space charge accumulation mode, 204linearer Mittelwert, 265Linearität, 1–3, 189, 373, 374

Stichwortverzeichnis 705

Linearitätsrelation, 2Linienbreite, 135, 156, 160, 684Linse, 133, 139, 160liquid crystal display, 149Loch, 20, 22, 24, 26, 33, 34, 60, 131, 142, 147,

148, 164–167, 173, 176, 207, 363Löcher

~anteil, 223, 227, 239~dichte, 27, 35, 359, 680~leitung, 33~sperrstrom, 227~strom, 59, 224, 226, 328, 412

Logik, langsame störsichere, 542Logik, positive, 541, 543Logik, ungesättigte, 288, 543Logikblock, 671, 672Logikschaltungen, 119, 344, 401, 545, 546,

564, 629Lookup Tables, 672, 674Löschen, 124, 421, 435, 589, 592–594,

596–600, 602, 676Low-Power-Schottky-Technologie, 552Low-Power-Schottky-TTL, 553, 554, 556Low-Power-TTL, 552Low-Voltage-TTL, 557LSA-Betrieb, 204–206LSI-Schaltungen, 526LSL, 542LSL-Technik, 542LSTTL, 553LTT, 455, 456Luftmasse, 178Lumineszenz, 77, 132LUMO, 147LVS, 644

MMagnetdiode, 215, 216Magnetic Random Access Memory, 603Magnetic Tunnel Junction, 604Magnetowiderstandseffekt, 603Magnetwiderstand, 603Majoritätsträger, 33, 40, 42, 52, 58, 67, 199,

340, 359, 363, 410Makropotenzial, 16, 17, 684Makrozellen, 631, 653, 656, 663, 666, 667, 669Maskenfenster, 113Masken-ROM, 586–589

Masse, effektive, 20, 202, 680Massenwirkungsgesetz, 27Masserückleitpfade, 549Master Mode, 675Materialien, amorphe, 13Materialkonstante, 17, 339Materiewelle, 194Maximum Power Point, 179–181MCM, 520, 525MCT, 452–455MCT-Zelle, 453Medium Scale Integration, 526Mehrschichtdioden, Kennwerte, 128Mehrsegmentanzeigen, 144Memory Address Register, 579Memory Data Register, 579Merkregel, 26, 136, 230Mesatransistor, 319, 320MESFET, 400, 403Mesh-Zahl, 521Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 401Metallatom, 21Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor, 400Metall-Halbleiterkontakt, 19Metall-Halbleiter-Übergang, 56, 114, 119, 401Metallisierung, 111, 648Mikropress-Schweißverfahren, 522Mikrowellen-Technik, 36Mikrowellentransistoren, 401Miller-Effekt, 281, 318, 382, 383, 390, 399, 496Minoritätsträger, 33, 40, 53–55, 60, 67, 68, 70,

359, 364Minoritätsträger-Lebensdauer, 55Mischfarbe, 133Mischkristall, 329MISFET, 340MIS-Struktur, 357Mitkopplung, 2, 376, 451, 454, 473, 476, 486,

491, 493Mittelwert

arithmetischer, 265, 266, 683linearer zeitlicher, 266quadratischer, 265, 267

Mixed-Signal-Anwendungen, 573MNOS-Speicherzelle, 593, 594MOCVD-Prozess, 401Mode, longitudinale, 158Moden, 156MODFET, 401

706 Stichwortverzeichnis

Modulation Doped Field Effect Transistor, 401Modulations

~bandbreite, 161, 680~frequenz, 141, 161, 162, 678~kennlinie, 141

Molekülbildung, 14Molybdän, 113, 116, 424, 425Moment 1. Ordnung, 266Moment 2. Ordnung, 267Momente, 264, 605monochromatisch, 160MOS-Arbeitsplätze, 343MOS-Controlled Thyristor, 452MOSFET, 340–342, 352, 359–362, 366, 368,

369, 372, 373, 375–378, 385, 386, 388,391–394, 397–399, 401, 405, 406, 410,411, 413–417, 452, 453, 509, 514, 527,561–563, 593, 617

MOSFET, n-Kanal, selbstsperrend, 340MOSFET, selbstleitend, 340, 387, 399MOS-ICs, 343, 561MOS-Kondensator, 357–359MOS-Struktur, 357, 406MPP-Tracker, 181MRAM, 603–605MRAM-Zelle, 604MROM, 586MSI-Schaltungen, 526Multi Chip Module, 520, 525Multi-Bit-Zellen, 602Multi-Emitter-Transistor, 546–548, 553Multi-Level-Zelle, 602Multiplexer, 529, 649, 657, 672, 674Multiplikationszone, 172, 173Musterfunktion, 260, 265, 266

NNAND-Flash, 596, 598–600, 602NAND-Gatter, 541, 547, 550–552, 555, 557,

567, 573, 598Netzgleichrichter, 102Netzliste, 630n-Halbleiter, 33, 36, 74, 75, 113, 197Nichtidealitätsfaktor, 87, 680Nichtlinearitäten, 189, 289, 513n-Kanal-IGBT, 406NMOS, 343, 389, 527, 539, 540, 561–564, 568,

590, 641

NMOS-Technologie, 540, 561, 562Noise Figure, 273Non-Punch-Through-Struktur, 406, 408non-volatile RAM, 615NOR-Flash, 596, 597, 599, 602Normalbetrieb, 78, 131, 222, 223, 232, 240,

250, 276, 277, 290–295, 410, 517, 547,596

Normalform, disjunktive, 631, 651normally-off Typen, 341normally-on Typen, 341npn-Transistor, 225, 230, 235, 236, 239, 240,

249, 251, 285, 290, 291, 293–295, 321,323–326, 331, 343, 360, 410, 429, 430,451, 453, 454, 510, 512, 513, 548

NPT-IGBT, 407–409, 414NPT-Struktur, 406, 407, 411NROM-Zelle, 602Null-Kapazität, 50, 677Nullkippspannung, 426, 428, 432–434, 437,

447, 682Nur-Lese-Speicher, 581, 585NVRAM, 615Nyquist noise, 269

OOberflächen-Durchbrüche, 425Oberflächenemitterdioden, 160Oberflächenrekombination, 142Offset

~abgleich, 485~kompensation, 483~spannung, 468, 470, 471, 473, 483–486,

507–509~spannungsdrift, 473~spannungskompensation, 465~strom, 482, 483, 509

OLED, 144–149OLMCs, 656, 663Omnifet, 398One Time Programmable ROM, 588on-state resistance, 376open loop gain, 474Open-Collector-Ausgang, 550, 615Open-Collector-Stufen, 536Operational Transconductance Amplifier, 469Operationsverstärker, 463–469, 471, 474,

476–478, 480–483, 485, 487–491, 493,

Stichwortverzeichnis 707

495, 496, 498, 500, 504, 505, 507, 508,517, 525, 529, 573, 643

Operationsverstärker, idealer, 478, 507Operationsverstärker, Typen, 468Operationsverstärker, zerhackerstabilisierte,

486Optokoppler, 144OPV, Nutzungsgrenze, 488Organisation, 575, 577, 578, 583, 584, 597, 613OTA, 469OTP-ROM, 588OUM, 609, 610Output Disable, 550Output Enable, 550, 582, 662Output Logic Macrocells, 656, 663output resistance, 480Output Swing, 502, 503overload recovery, 504Ovonic Unified Memory, 609Oxidation, 110, 147, 360, 519, 521, 595, 648Oxidschicht, 340, 357, 360, 364, 456, 590, 599,

600, 602, 630

PPaarbildung, 26, 54, 67, 166Pads, 519, 522Page-Mode, 623, 624PAL, 652–663Parameterstreuung, 640partition noise, 272Passivmatrix-Displays, 148Pauli-Prinzip, 14peak current, 252, 386peak pulse power dissipation, 121peak surge forward current, 102peak surge reverse voltage, 102Pegelanpassstufen, 536Pegelanpassung, 509, 536, 550, 582Pegelbereiche, 532–534Pegelverschiebungsdiode, 541, 548–550, 552,

553Pentacen, 6Periodensystem, 5, 6Peripherie-Modus, 675Perowskitstruktur, 607Personalisierung, 631, 674p-Halbleiter, 33, 34, 36, 75, 197phase margin, 494

Phase-Change RAM, 609Phasen

~anschnittsteuerung, 442–445, 448~bedingung, 492, 493~drehung, 490, 491, 493, 495~rand, 494~reserve, 494, 495, 499, 502~spielraum, 494~splitter, 548, 554~splittertransistor, 554~verlauf, 490~verschiebung, 207, 209, 224, 336, 444,

489, 491, 493, 495, 496, 507~wechselspeicher, 609

Phonon, 22Phononen, 22, 25, 26, 202Phononenenergie, 25Phononenerzeugung, 132Photon, 22, 24, 142, 147, 193Photonenemission, 153Photonenreflexion, 155pinch-off voltage, 341Pinch-off-Spannung, 347, 351, 353pin-Diode, 63, 69, 115, 116, 189–192, 208, 414PLA, 531, 652, 654–658Placement, 641, 642Planar-Gate, 418Planartechnik, 109, 110, 113, 133, 324, 350,

407, 424Planartransistor, 320, 324Planck’sches Wirkungsquantum, 28Plasma, 211Platin, 17PLD, 531, 576, 631, 632, 652, 670PLED, 146PMOS, 527, 539, 561, 563, 616, 641PMOS-Technologie, 561, 616pn-Diode, 77, 78, 81, 82, 115, 116, 118, 120,

184, 187, 189, 190, 220, 270, 290, 409pnp-Transistoren, 219, 225, 240, 324, 330, 331,

343, 527, 557pn-Übergang, 19, 39, 43, 44, 50, 52–63, 66–69,

71–73, 77, 80, 82, 88, 95, 96, 109–111,113–115, 118, 124, 132, 136–138, 152,156, 157, 165, 170–172, 174, 182, 184,198, 201, 207, 213, 225, 230, 270, 290,320, 324, 325, 327, 339, 347, 350–352,361, 385, 394, 401, 407, 414, 426–429,437, 446, 451, 456, 458, 459, 588

708 Stichwortverzeichnis

abrupter, 40, 57einseitig abrupter, 57spannungsloser, 51, 56, 59, 677

Pole-Splitting-Verfahren, 496Polverschiebungen, 497Polyacetylen, 6Polymer, 6, 148Polymere, konjugierte, 145Polysilizium, 360, 396, 590, 602Popcorn noise, 271Popcornrauschen, 259, 271Potenzialanpassung, 508Potenzialbarriere, 38, 47, 53, 193, 211, 456,

591, 596power derating curve, 255, 387power supply rejection rate, 473PRAM, 609Präzisionsmessverstärker, 486Precharge-Phase, 571PROFET, 399, 400Programmable Array Logic, 631, 652, 655Programmable Gate Array, 631Programmable Interconnect Point, 674Programmable Logic Array, 531, 631, 652, 654Programmable Logic Device, 531, 576, 631,

652Programmierbare Logik, 531, 631, 634, 652,

658Programmiergerät, 585, 587, 589, 652, 659,

674, 676Programmierimpuls, 587, 588Programmierung, 531, 585, 588, 589, 591–594,

597, 599, 600, 605, 609, 631, 632, 652,653, 656, 659, 666, 669, 674, 676

Programmiervorgang, 589, 593, 674Programmspeicher, 585, 587, 597, 598PROM, 587, 588, 598, 631, 654PROMs, bipolare, 587PROMs, MOS-~, 588propagation delay time, 536Properties, 638, 642Proportionalitätsprinzip, 2Protonen, 193Prozess

stationärer, 259, 266stationärer ergodischer, 266stationärer stochastischer, 266stochastischer ergodischer, 266

Prozesskonstante, 369

Prozessparameter, 640, 641Prüfpfadtechnik, 649psn-Dioden, 115PT-IGBT, 406–409, 414Ptot, 253, 387, 388PT-Struktur, 406Pufferkondensator, 549PUJT, 461Puls

~betrieb, 210, 255, 256, 258, 680~dauer, 190, 252, 256, 386~energie, maximale, 102~frequenz, 102~spitzenleistung, 121, 680~wiederholrate, 252

Pumpenergie, elektrische, 157Pumpstrom, 153punch-through, 61, 67, 68, 240, 407Punch-Through-Struktur, 406Punktmatrixdarstellungen, 144p-Wanne, 406, 410, 411, 418, 568, 593

Qqcw-Betrieb, 162Quanten, 147, 193

~effizienz, 148~hypothese, 22~mechanik, 193~theorie, 13, 14, 193~wirkungsgrad, 166, 167

Quantisierungsrauschen, 259Quarzglasfenster, 592Quarzsand, 5Quarzschicht, 132Quellen, gesteuerte, 2, 217Quellenwiderstand, optimaler, 275, 276quenched-domain mode, 205Querstrom, 500, 566, 569quiescent current, 500

RRadikal-Anion, 148Radikal-Kation, 148Rail-to-Rail-Operationsverstärker, 467Rail-to-Rail-OPVs, 467, 475Rakel, 521Rakeldruck, 521

Stichwortverzeichnis 709

Rakelgeschwindigkeit, 521RAM, dynamisches, 616RAM-Port, 625Random Access Memory, 610random telegraph signals (RTS noise), 271RAS-CAS-Verzögerung, 618, 622RAS-only-Refresh, 622RAS-Vorladezeit, 620–622, 624RAS-Zugriffszeit, 622Raumladungen, 42, 44, 184Raumladungsdomäne, 203, 205Raumladungszone, 39, 43, 48, 49, 53–55, 62,

63, 66–68, 83, 95, 116, 127, 132, 164,170, 172, 174, 184, 186, 191, 205, 207,281, 328, 348, 357–359, 363, 364, 367,392, 401, 407, 408, 410, 427, 456, 457,680

Rausch~leistung, 259, 269, 272, 559~leistungsdichte, 269~maß, 273, 680~quellen, 259, 268, 269, 504–506~quellen, überlagerte, 268~signal, 258, 267~spannung, 258, 260, 269, 270, 504, 505,

507~spannung, effektive, 269, 683~spannungsdichte, 504–506~strom, 172, 258, 269–272, 504~stromdichte, 272, 504, 505~temperatur, 507

Rauschen, 114, 206, 210, 212, 258, 259, 266,268–271, 273, 296, 402, 486, 499, 504,517, 559

Avalanche-~, 272Gate-~, 391Gauß verteiltes, 269Generations-Rekombinations-~, 272Kanal-~, 391rosa, 271thermisches, 259, 269weißes, 268, 273, 274

Rauschzahl, 272–274, 392, 403, 507, 678, 680frequenzabhängige, 275ideale, 391Minimierung, 274optimale, 275, 276spektrale, 273

RCT, 449

RDRAM, 625Reabsorption, 137Read Cycle Time, 584Read Enable, 582Read Only Memory, 585Readback, 675Read-Diode, 207Redoxpotenzial, 148Reduktion, 147, 476, 484, 596, 600, 647Referenzgehäusetemperatur, 253, 681Referenzumgebungstemperatur, 253, 681Reflexion, 157, 158, 170, 178, 609Reflexionskoeffizient, 155Reflexionsverluste, 177Reflow-Lötung, 523Refresh, 571, 622, 623Refresh-Arten, 622Register, 578–580, 625, 636, 639, 649, 650,

655, 659, 670, 673, 675Registertransferbeschreibung, 636Register-Transferebene, 636Regression, lineare, 89Regressionsfunktion, 88, 89Reihenschwingkreis, 97Rekombination, 22, 24–26, 30, 35, 41, 55, 60,

70, 131, 132, 142, 147, 148, 176, 177,216, 272, 286, 287, 327, 363, 364, 440

direkte, 24indirekte, 25, 26nicht strahlende, 132, 142

Rekombinationsstrom, 227, 278Rekombinationszentren, 25, 167, 175Rekombinationszone, 215, 216Rekonfigurierbarkeit, 674, 676repetitive peak forward current, 102, 104repetitive peak reverse voltage, 102, 104Resonanzfrequenz, 188, 189, 205, 678Resonator, optischer, 155Resonatorspiegel, 155Reststrom, 242, 243, 347, 430Restströme, Messung, 243retention, 589Reversdiode, 394reverse current, 83, 105reverse recovery time, 72, 96, 105, 213, 446reverse region, 224reverse voltage, 52, 83, 104, 107reverse-conducting thyristor, 449Reziprozitätsbedingung, 292

710 Stichwortverzeichnis

Richtwirkung, 139rise time, 105, 285ROM, maskenprogrammiert, 586Row Adress Strobe, 618RTL, 538–540, 639Rückflussdämpfungen, 313Rückkopplungsnetzwerk, 476, 493Rückstrom, 96, 327, 439, 440, 445Rückstromfallzeit, 97Rückstromspitze, 441Rückwärts

~betrieb, 224, 394, 414, 449~diode, 199, 200, 361, 386-Durchbruchspannung, 427~erholzeit, 72, 96, 105~sperrspannung, 414-Spitzensperrspannung, periodische, 441~steilheit, 298, 681~strom, 72, 83, 101, 679~stromverstärkung, 224, 290, 291, 677-Übertragungsfaktor, 312

Rückwirkungsfaktor, differenzieller, 247, 297Rückwirkungskapazität, 318, 382, 384Rückwirkungskennlinie, 247Rückwirkungs-Kennlinienfeld, 234Ruhestromkompensation, 482

Ssafe operating area, 257, 387, 393, 415Sägezahngenerator, 460Sägezahnspannung, 128, 460SAMOS, 590SAM-Port, 625Saphir, 215, 216Sättigung, 120, 222, 241, 293, 318, 344, 349,

353, 365, 367, 371, 475, 484, 486, 501,504, 513, 517, 541, 543, 551, 553

Sättigungs~bereich, 223, 233, 241, 288, 353, 368, 370,

371, 381, 414, 513~betrieb, 222, 223, 234-Driftgeschwindigkeit, 401~geschwindigkeit, 203, 209, 212, 384, 401,

683~spannung, 241, 293, 344, 414, 475, 565~wert, 68, 114, 288~zustand, 241

saturation region, 223

SBC-Technik, 324Schalenmodell, 13, 14Schalt

~dioden, 72, 97, 119, 213~frequenz, 284, 390, 415, 423, 450, 452,

538, 549~frequenz, maximale, 537~geschwindigkeit, 278, 324, 405, 409, 415,

445, 449, 461, 573, 629, 639, 640~kreise, integrierte, 3, 388, 463~kreisfamilie, 527, 532, 533, 535, 536, 538,

546, 666~netzteile, 120, 393~spannung, 96, 127, 446, 545~strom, 389, 405, 445~stufe, 388–391, 532, 537, 545, 565, 567~transistoren, 120, 241, 388, 543~verhalten, 69, 94, 284, 327, 334, 335, 389,

397, 415, 457, 536~verluste, 409, 419, 450, 457~vorgänge, 216, 225, 440, 562, 564~zeichen, 78, 79, 331, 405, 421, 450, 453,

455–458, 550~zeiten, 115, 171, 225, 285, 287, 288, 335,

343, 344, 390, 393, 398, 409, 457,520, 527, 536, 537, 542, 546, 548,552, 553, 555, 657

~zeiten, Verkürzung, 287, 288~zustände, 233, 421, 532

Schalten, hartes, 415, 457Schalter, elektronischer, 233, 421, 446Schalterbetrieb, 233, 289, 373, 388, 390Schaltung, integrierte, 109, 149, 320, 443, 464,

471, 519, 573, 627, 628, 630, 643, 646Schaltungen mit Bipolartransistoren,

rauscharme, 275Schaltungen, kombinatorische, 655Schaltungen, sequenzielle, 655Schaltungsfunktionen, 529Schaltungssynthese, 637, 639Scharmittel, 265Schichtschaltungen, 520Schieberegisterspeicher, 610Schleifenverstärkung, 487, 492–496Schleusenspannung, 82, 84, 85, 119, 131, 332,

456, 569, 683Schmelzpunkt, 109Schnittfrequenz, 493, 496Schonzeit, 440, 682

Stichwortverzeichnis 711

Schottky Diode FET Logic, 540Schottky-Diode, Anwendungsbereiche, 120Schottky-Diode, Eigenschaften, 120Schottky-Dioden, 77, 82, 83, 97, 102, 116, 119,

213, 546, 553, 554Schottky-Feldeffekttransistor, 400Schottky-Kontakt, 74, 75, 109, 116, 119, 401,

403Schottky-Logik-Schaltkreise, 120Schottky-TTL, 527, 553, 554, 556, 663Schottky-Übergang, 401Schräganschliff, 425Schreib-/Lese-Speicher, 577, 578, 581, 610Schreib-/Löschzyklen, 599, 600Schreibbefehl, 581, 584, 593Schreibimpuls, Dauer, 584Schreibvorgang, 577, 584, 602, 605, 606, 608,

609, 611, 612, 614, 615, 621Schreibzyklus, 585, 596, 621Schrotrauschen, 259, 270, 271Schrotrauschspannung, 271Schutzdioden, integrierte, 569Schutzfunktionen, 399Schutzgasatmosphäre, 425Schutzschaltungen, 343, 398, 568, 673Schutzschicht, 521Schweifstromverlauf, 418Schwellenspannung, 341, 359, 361, 369, 372,

375, 390, 410, 413, 416, 533, 563, 564Schwellwertschalter, 460Schwellwertspannung, 362–364Schwingbedingung, 491, 493Schwingfrequenz, maximale, 283, 327, 329,

330, 384, 678Schwingkreis, 184, 187, 188, 199, 205, 212Schwingneigung, 198, 470, 495, 516, 517Schwingung

gedämpfte, 97, 493selbsterregte, 492, 493stationäre, 493

Schwingungserzeugung, 199, 203, 476SDFL, 540SDHT, 401SDRAM, 625Sea of Gates, 630, 672secondary breakdown, 252Selectively Doped Heterojunction Field Effect

Transistor, 401Semi-Custom-Entwurf, 629

Settling Time, 502, 503Set-up-Time, 537SHE-Prozess, 591Shockley-Formel, 86, 101, 164shot noise, 270SH-Struktur, 138, 139Sicherheitsabstand, 533Siebdruckverfahren, 520Siebensegmentanzeigen, 143Signal, determiniertes, 258Signal, stochastisches, 258Signaldioden, 79Signallaufzeit, mittlere, 536Signal-Rauschabstand, 273Signalübergangszeiten, 536Signalübertragung, differenzielle, 544Signalverzögerungszeit, 536Silan, 111, 176Silberleitkleber, 522silicon-controlled rectifier, 421Silizium, 5, 7, 10, 12–14, 21, 26, 29, 31, 32, 35,

36, 40, 47, 48, 55, 57, 61, 68, 73, 77, 78,81, 82, 98, 100, 102, 103, 107, 109–111,119, 120, 128, 132, 133, 146, 149, 164,167, 169, 174–176, 178, 184, 213, 215,219, 226, 253, 255, 277, 325, 336, 343,345, 357, 360, 369, 387, 403, 410, 424,524, 539, 562, 587

Siliziumdiode, diffundierte, 111Siliziumnitrid, 593Siliziumpulver, 5Simulation, 294, 378, 633, 637, 639–641, 649Singleheterostruktur, 138Single-Mode-Laser, dynamische, 157Single-Supply-Operationsverstärker, 467SIPMOS-FETs, 397SITh, 456Slave-Mode, 675SLDRAM, 625Slew Rate, 500–502, 508Small Scale Integration, 526small signal current gain, 280Smart Power Devices, 398SMD, 117, 124, 134, 136, 322, 323, 466, 516,

520, 524, 527, 530SMD-Bauteile, 516, 520SMD-Gehäuse, 466, 516, 530SMD-Transistoren, 323SMOLED, 146

712 Stichwortverzeichnis

snap-off diode, 213Solarpanel, 177, 180Solarzelle, 20, 169, 173–177, 179–183, 680

amorphe, 175, 182monokristalline, 175polykristalline, 175

Sonnenlicht, 144, 174, 178Source, 130, 337, 338, 340, 344–346, 348, 349,

351, 359–369, 373, 379–388, 391–393,396, 399, 415, 417, 418, 561, 565, 570,586, 590–594, 597, 602, 608, 682

Sourceschaltung, 344, 345, 379, 381, 382, 510Spaltenleitung, 578, 590, 591, 613Spannungs

~anstiegsgeschwindigkeit, kritische, 437~anstiegsrate, 500, 501, 681~komparator, 476~nachlaufzeit, 96, 439~quelle, spannungsgesteuerte, 304, 480~rauschen, 504–506~rückwirkung, 234, 304, 305~spitzen, 120, 122, 214, 399, 547~stabilisierung, 129~steilheit, 128, 446~steilheit, kritische, 428, 435~steuerkennlinie, 245, 246, 332, 344, 352,

379~steuerung, 238, 250, 338, 344, 389, 393,

468, 469~transienten, 121~verhältnis, inneres, 459~wellen, 311, 312

s-Parameter, 303, 311–313Spare Page, 600Speicher

bitorganisierter, 578~gate, 590~kapazität, 583, 599, 602, 613, 617~ladung, 344, 398, 415~organisation, 577~schaltdiode, 213, 214wortorganisierter, 578~zeit, 72, 96, 97, 285–288, 344, 391, 451,

543, 592, 595, 682~zeitkonstante, 287~zelle, 577, 581, 586, 587, 590–594, 602,

604, 608, 611–614, 618–621, 624,672, 674, 675

Spektralbereich, 133, 134, 139, 143

Spektraldichte, 268, 269Spektrallinien, 156Sperr

~bereich, 52, 55, 73, 77, 78, 80, 83, 84, 87,94, 101, 103, 114, 126, 128, 188,223, 233, 240, 241, 244, 368, 387,446, 542

~betrieb, 69, 71, 84, 85, 116, 190, 192, 213,222, 223, 233, 250, 410, 427, 439,446

~kennlinie, 125, 426, 433, 437~reststrom, 121, 679~richtung, 52, 53, 61, 67, 69, 73, 78, 80, 81,

88, 94, 96, 120, 125–129, 164, 172,184, 209, 211, 213, 222, 224, 226,228, 232, 233, 241, 242, 287, 318,324, 325, 339, 340, 346, 347, 361,386, 414, 426, 427, 430, 439, 682,683

~sättigungsstrom, 54, 55, 61, 73, 83, 96, 99,440, 679

Sperrschicht, 42, 43, 49, 53, 55, 59, 61, 64, 65,67, 68, 70, 96, 102, 105, 108, 114, 132,165, 170, 171, 187, 194–197, 224, 226,253, 254, 257, 281, 291, 298, 317, 337,339–342, 344–348, 350, 353, 355, 361,365–367, 371, 372, 385–387, 398, 400,401, 404, 410, 451, 500, 548, 588, 681

~berührungsspannung, 68~breite, 48, 683~fläche, 56, 57, 114, 115, 174, 242, 677~kapazität, 49, 56, 57, 60, 61, 72, 80, 94,

95, 114, 115, 142, 169, 171–173,184, 186–189, 192, 281, 318, 320,437, 553, 677

~ladung, 95~temperatur, 66, 104, 108, 234, 243, 253,

255, 681~weite, 48–50, 56, 65, 88, 115, 184, 339,

347, 683Sperrschicht-FET, 340–342, 344–347, 353,

361, 366, 372, 385–387Sperrspannung, 53, 54, 56, 61, 62, 64, 67–69,

80, 83, 86, 95–97, 102–104, 114–116,120, 121, 126, 130, 142, 162, 168, 169,171, 172, 184, 186, 188, 191, 214, 224,239, 243, 257, 285, 318, 347, 348, 350,352, 377, 392, 397, 405, 408, 409, 415,

Stichwortverzeichnis 713

421, 424, 426, 427, 439–441, 446, 449,450, 452, 455, 682

Sperrspannung, maximale, 101, 184, 377, 392,683

Sperrspannungsfestigkeit, 409, 554Sperrstrom, 54, 55, 61, 67, 68, 71, 81, 83, 88,

96, 98, 99, 102, 105, 108, 114, 119, 120,126–128, 164, 165, 173, 226, 228, 239,242, 243, 278, 352, 355, 362, 387, 427,432–434, 443, 445, 679

Sperrstrom, temperaturabhängiger, 98Sperrstromanteil, 223, 239Sperrverzögerungszeit, 72, 96, 97, 398, 440,

446, 682Sperrverzugszeit, 96, 213, 440, 682Spin, 605, 606spin coating, 145Spincoaten, 146Spitzendioden, 113–115Spitzenflussstrom, 102, 679Spitzenflussstrom, periodischer, 102, 679Spitzensperrspannung, 102, 104, 107, 434, 683Spitzensperrspannung, periodische, 97, 102,

433, 434, 683Spitzenstrom, maximaler, 386Spitzenströme, 252Spitzentransistor, 318Split-Gate-Zelle, 602SRAM-Speichermatrix, 613SRAM-Speicherzelle, 611SSI-Schaltungen, 526Stabilisierung, 80, 83, 120, 128, 129, 464Stabilitätsbedingung, 493, 495Stabilitätsprobleme, 311, 468Stabilitätsreserve, 494Stacks, 162Standard Burried Collector, 324Standardabweichung, 265–267, 684Standardschaltungen, 531Standard-TTL, 546, 551–554Standardzellen-Design, 629standby current, 121Stand-By Mode, 582stand-off voltage, 121, 122static forward current transfer ratio, 280Static-Induction Thyristor, 456Status-Signal, 399

Steilheit, 153, 246, 298, 309, 318, 344, 353,356, 369–371, 379, 381, 383, 393, 399,416, 417, 439, 470, 471, 502, 678, 681

Steilheitskoeffizient, 369, 679Steilheitsparameter, 369, 372, 375, 514, 679step-recovery-diode, 213Steuer

~elektrode, 228, 337, 338, 351, 384, 425,427, 445, 446

~gate, 590, 591, 597, 599, 602~kennlinie, 245, 352, 353, 355~spannung, 8, 246, 338, 340, 346, 360, 362,

373, 374, 388, 401, 410, 416, 417,427, 434, 436, 446, 591

~strom, 8, 218, 238, 242, 331, 338, 418,429, 432, 435, 436, 447, 448

~winkel, 443Stichprobenraum, 261, 264, 684Stichprobenumfang, 261, 684Stirnflächenreflexion, 157Stochastik, 260Störabstand, 533–535, 539, 551, 565, 570storage time, 285Störatome, 32, 33, 35Störleitung, 32Störniveaus, 25Störsicherheit, 520, 532, 533, 539, 555, 563,

669Störspannungsabstand, 534, 535, 544Störspannungsabstand, statischer, 533, 534Störspannungsspitzen, 549Störstellen

~erschöpfung, 36, 37ionisierte, 402-Leitfähigkeit, 34~leitung, 32, 34–36~reserve, 36, 37tiefe, 25

Stoßionisation, 62, 65, 173, 207Stoßspitzensperrspannung, 107, 116, 434Stoßstrom, 108, 121, 434, 679Stoßstromgrenzwert, 441, 442Strahlungserzeugung, 25, 132Strahlungsfluss, 135Strahlungsleistung, 135, 141, 153, 162, 178Strahlungsleistung, globale, 178Strahlungsleistung, spektrale, 178Strahlungsmessung, 191Streuparameter, 311

714 Stichwortverzeichnis

Streuprozesse, 402Streuung, 178, 229, 266, 267, 336, 402, 684Strom

~anstiegsgeschwindigkeit, 437, 445~anstiegsgeschwindigkeit, kritische, 437~anstiegssteilheit, 428~begrenzung, 129, 252, 398, 409, 448, 480,

518, 546, 598~impuls, 203, 211, 212, 390, 423, 587, 588,

605, 609~quellenbereich, 353~rauschen, 506~richter, 442~schweif, 415, 418~spiegel, 512, 514, 643-Steuerkennlinie, 245, 250, 305~steuerung, 238, 247, 250, 344, 470~tragfähigkeit, 377, 409, 453~übertragungsfaktor, 471~verstärker, 240, 471

Stromverstärkung, 218, 223–225, 229, 234,240, 245, 273, 274, 277–283, 290, 292,294, 298, 299, 303–305, 315, 316, 318,324, 328, 330–336, 344, 383, 410, 412,431, 483, 510, 573, 677, 684

Basisschaltung, 279Emitterschaltung, 280inverse, 224, 291, 677Umrechnung, 281

Stromverteilung, inhomogene, 252, 432Stromverteilungsrauschen, 259, 272, 274Strom-Zeit-Fläche, maximale, 102Struktur

Diamant-~, 13Kristall~, 13, 15, 65, 175, 606, 607, 610Wurtzit-~, 13Zinkblende-~, 13

Strukturdomäne, 636Substrat, 32, 77, 109, 111, 118, 119, 145, 146,

174, 220, 323, 325, 337, 342, 350,357–364, 385–387, 401, 405–407, 410,411, 519, 520, 523, 524, 591, 592, 594,597, 643, 647

Substratdotierung, 38Substrate Hot Electron Process, 591Substratsteuereffekt, 361, 362, 381Super-Beta-Schaltung, 331Superpositionsprinzip, 2supply voltage rejection ratio, 485

Surface Mounted Devices, 527surge current, 108, 121, 122switching diode, 119Symmetrieabweichung, 128Systemkonstanten, 585Systemtabellen, 585

TTabellenspeicher, 575, 585Tailstrom, 409, 415, 418Taktfrequenz, maximale, 658Talspannung, 459, 460Talstrom, 195, 197, 459, 679Technik, biomedizinische, 404TEGFET, 401Teilerverhältnis, 459Telegrafen-Rauschen, 271Temperatur, 7, 9, 18, 21, 26, 27, 29, 35–38, 55,

57, 63, 65, 66, 73, 98–103, 111, 113,128, 131, 145, 159, 162, 179, 180, 186,234, 235, 237, 242, 253, 254, 269, 270,274, 278, 319, 321, 344, 355, 356,375–377, 387, 414, 436, 437, 441, 483,485, 500, 510, 511, 517, 520, 522, 600,643, 651, 681, 684

~abhängigkeit, 29, 30, 36, 37, 55, 66,98–100, 124, 186, 237, 336, 344,355, 356, 375, 409, 436, 484, 511,526, 555

~bereiche, 37, 529~drift, 235, 336, 483, 485, 486, 509intrinsische, 38, 681~koeffizient, 66, 130, 356, 376, 409, 461,

510, 683~kompensationspunkt, 356, 376~messung, 124~spannung, 27, 31, 73, 86, 101, 164, 168,

274, 276, 318, 683~strahler, 139~verhalten, 66, 159, 375, 651

Tempern, 111TEMPFET, 399T-Ersatzschaltbild, 300Test Access Port, 650Testmuster, 645, 648, 649, 651Tetracen, 6Tetraeder, 13TFT-Displays, 405

Stichwortverzeichnis 715

TFT-Transistor, 405thermal noise, 269Thermischer Durchbruch, 61, 66Thermokompressionsbonden, 522, 523Thermosonic-Bonden, 522Thin Film Transistor, 149threshold voltage, 341, 359, 362Through Hole Technology, 527THT, 466, 527Thyratron, 421Thyristor, 399, 410, 411, 421–427, 429, 432,

435, 437–440, 442–446, 448–458, 461,569

asymmetrisch sperrender, 449~dioden, 125, 422-Ersatzschaltung, 411feldgesteuerter, 456lichtgesteuerter, 455MOS-gesteuerter, 452rückwärts leitender, 449~struktur, parasitäre, 412~tetroden, 422, 448, 449~trioden, 422

Thyristoren, abschaltbare, 450Thyristorstruktur, 569Time Dependent Dielectric Breakdown, 595TMR-Element, 605Top-Down-Design, 633, 634Topfet, 398Totem-Pole-Ausgang, 536, 548Totem-Pole-Ausgangsschaltung, 548Trägermaterial, 215, 323, 406, 519, 520Trägerstaueffekt, 96, 440, 446Transfergatter, 570, 621, 626Transil, 124Transimpedanzverstärker, 169, 470Transistor, Rauscheigenschaften, 272Transistoren, integrierte, 220, 294, 320, 323Transistoren, laterale, 324Transistoren, vertikale, 324Transistor-Schaltstufe, 284Transistor-Transistor-Logik, 527, 546transit frequency, 488transit time mode, 203Transitfrequenz, 276, 282, 283, 286, 303, 317,

329, 330, 383, 402, 403, 488, 489, 496,497, 678

Transitgrenzfrequenz, 282, 383, 384transition frequency, 282

Transitzeit, 61, 203–205, 210, 211, 294, 684Transitzeit-Betrieb, 203, 204Transkonduktanz, 369, 469, 470, 679, 681Transkonduktanz-Koeffizient, 369, 679Transkonduktanz-Verstärker, 469, 470Transmissionsgatter, 570Transportmodell, 290, 293, 294Transportstrom, 294Transzorb, 124TRAPATT-Diode, 207, 210, 211traps, 25, 431, 593Treiber, 321, 457, 458, 471, 529, 536, 550, 582Trench-Gate, 418Trench-IGBT, 418Trench-Isolation, 325Trennverstärker, 144, 498TRIAC, 446–448triode alternating current switch, 446Triodenbereich, 351Tri-State-Ausgang, 536, 550, 551, 662, 665Tri-State-Ausgangsstufen, 536TSE-Schutzbeschaltung, 440TTL, 399, 527, 529, 534–536, 539, 543–549,

551, 552, 554, 555, 557–559, 561, 563,566, 573, 582, 658, 659, 673

TTL-Pegel, 534TT-Modus, 204, 205tubs, 568Tunnel

~barriere, 604, 605~diode, 192, 195–199, 203-Durchbruch, 61~effekt, 64, 65, 193, 195, 595~element, magnetoresistives, 605~kontakt, 605~magnetwiderstand, 604~strom, 195, 197, 604~vorgang, 194~wahrscheinlichkeit, 605~widerstand, magnetischer, 604

Tunnel Injection, 602Tunnel Release, 602Tunneling Magneto Resistance Effekt, 604turn off time, 285turn on time, 285TVS-Dioden, 124Two Dimensional Electron Gas Field Effect

Transistor, 402

716 Stichwortverzeichnis

UÜbergänge

abrupte, 56hyperabrupte, 56isotype, 138lineare, 56

Übergangsbereich, 126, 127, 131, 533Übergangskennlinie, 426Übergangszeit, 96, 682Überhitzung, lokale, 327Überkopfzündung, 428, 432, 440Überlagerungsfarbe, 134Überlagerungssatz, 2Überspannungsableiter, gasgefüllte, 124Überspannungsspitzen, 120Übersprechen, 259, 532Übersteuerung, 120, 286, 287, 476, 484, 517Übersteuerungs

~bereich, 223, 240, 241, 285, 475~faktor, 286, 287, 683~grad, 286, 683~grenze, 241

Übertragungs~funktion, 491, 496, 497~gleichungen, 380, 468~kennlinie, 245, 352, 355, 356, 368–370,

372, 376, 413, 469, 470, 474, 475,483, 484, 513, 514, 532–534, 543,553, 566

-Kennlinienfeld, 234~steilheit, 246, 353, 369, 370, 414, 470, 681

UCP-Zelle, 602UJT, 337, 458–461ULSI-Schaltungen, 526Ultraschall, 522Ultrasonic-Bonden, 522Umgebungstemperatur, 143, 177, 253–256,

387, 473, 500, 529, 557, 681Umladestromspitze, 95, 97Umladevorgänge, 391, 548UMOS-Struktur, 396Unijunction-Transistor, 458Unijunction-Transistor, programmierbarer, 461Unipolartransistoren, 219, 337unity gain bandwidth, 488unity gain frequency, 282Unschärferelation, 193, 194Unterniveaus, 15UV-Bestrahlung, 589, 592

VVakuum, 16, 17Vakuumenergie, 17Vakuum-Level, 16Vakuumniveau, 17Valenzband, 15–18, 20–22, 24–28, 35, 36, 65,

132, 147, 165, 196, 197, 202, 328, 678,680

Valenzelektronen, 5, 6, 10, 11, 15, 21, 64, 196Varaktor, 183, 184, 617Varaktordiode, 556Varianz, 265–267, 684Varicap, 184Varistoren, 124VC-OPV, 469, 471VCSEL, 160Verarmungstyp, 340, 341, 360, 364, 366, 367,

372, 394, 562, 594Verarmungszone, 74, 75, 208, 211, 347, 364,

591Verdrahtungskanal, 673Verhalten

Ohm’sches, 365, 367Verhaltensdomäne, 636Verknüpfungslogik, 598Verlustleistung, 66, 68, 69, 94, 102, 104, 118,

161, 223, 252, 253, 255–257, 321, 343,372, 373, 376, 387, 390, 408–410, 427,434, 436, 443, 446, 460, 500, 516, 517,537, 538, 540–542, 544, 545, 553, 560,563, 565, 573, 627, 680

dynamische, 538, 566maximale, 101, 216, 250, 252, 253, 255,

257, 321, 384, 387, 388, 555, 680maximale Ptot, 103maximale thermische, 257statische, 255, 256, 538, 561, 563, 566

Verlustleistung Ptot, 130, 142Verlustleistungshyperbel, 257Verschiebungsstrom, 608Versorgungsspannungsbereich, 500, 564, 633,

640, 641Versorgungsspannungsunterdrückung, 473Verstärker, 3, 158, 192, 199, 217, 228,

231–233, 242, 344, 345, 351, 399, 463,464, 467, 469, 471, 473, 486, 487, 490,492, 493, 499, 505, 513, 517, 529

Verstärker, stromgegengekoppelter, 470Verstärkerbetrieb, 231, 232, 241

Stichwortverzeichnis 717

Verstärkerwirkung, 1Verstärkung, 156, 173, 199, 217, 223, 232, 247,

259, 327, 353, 370, 382, 399, 463, 464,470–473, 475, 476, 478–480, 486–491,493, 495–497, 499, 501, 504, 507, 510,514, 515, 621

Verstärkungs~-Bandbreite-Produkt, 282, 473, 488, 489,

678~bereich, 222, 223, 514~bereich, inverser, 224~betrieb, 224~eigenschaft, 2~führung, 157~reserve, 494

Verteilung, 18, 19, 32, 38, 135, 160, 225, 226,263–265, 272, 320, 326, 600, 641

Verteilungsdichte, 264–266, 680Verteilungsfunktion, 263, 264, 678vertical cavity surface emitting diode, 160Vertikaltransistor, 324Very Large Scale Integration, 526Verzerrungen, 188, 189, 232, 247, 300, 344,

513Verzögerungszeit, 207, 390, 391, 555, 557, 558,

640VHDL, 636, 639, 674Vierpol, 289, 301–303

~darstellungen, 303, 310~gleichungen, 289, 301–304, 309–311~parameter, 238, 244, 247, 301–304, 310,

314~theorie, 301

Vierquadranten-Kennlinienfeld, 248, 249, 305Vierschichthalbleiterbauelement, 406VLSI-Schaltungen, 526VMOS-Struktur, 393, 394, 396Vollaussteuerung, 443, 470, 502Voltage Feedback Operational Amplifier, 468Vorladen, 617, 621, 623Vorladeschaltkreis, 619, 620Vorwärtsbetrieb, 222, 232, 449, 548Vorwärtssperrspannungsstabilität, 413Vorwärtssperrzustand, 406, 408, 410, 413Vorwärts-Spitzensperrspannung, periodische,

440Vorwärts-Übertragungsfaktor, 312Vorwiderstand, 81, 126, 127, 129, 140, 569, 681VRAM, 625, 626

VV-OPV, 468, 471, 507

WWafer, 109, 113, 320, 325, 407, 453, 630,

644–647, 651Wahrscheinlichkeit, 18–20, 25, 194, 202, 258,

262–264, 272, 640, 643, 644, 647, 680Wahrscheinlichkeitsdichte, 264, 680Wahrscheinlichkeitstheorie, 258, 260Wahrscheinlichkeitsverteilung, 263, 678Wannierexziton, 147Wärme

~bewegung, 227, 269~kapazität, 117~lehre, 253, 254~leitfolie, 255~leitpaste, 255~strom, 253~übergangswiderstand, 253~widerstand, 66, 105, 108, 253, 254, 256,

257, 500, 681~zufuhr, 26

Watt peak, 181Wear-Leveling, 599–601Wechselspannungsbetrieb, 140, 446Wechselspannungsverstärkung, 224Wechselspannungswiderstand,

gleichstromgesteuerter, 191Wechselstromeingangswiderstand, 237Wechselstrom-Kleinsignalersatzschaltbild, 94,

317, 379, 381, 382Wechselstromsteller, 443, 444, 448Wechselstromverstärkung, 245, 279, 280, 683Wechselwirkung, 10, 13–15, 17, 25, 28, 142,

202, 603Wedge, 522Wellen

~gruppe, 160~längenunsicherheit, 135~parameter, 311~vektor, 23~widerstand, 206, 311, 544, 683~zahl, 23, 24, 202, 679

Welle-Teilchen-Dualismus, 193wells, 568WE-Signal, 582Widerstand, negativer differenzieller, 197, 426,

432

718 Stichwortverzeichnis

Widerstand, steuerbarer, 339, 351, 354, 373,374

Widerstände, 1–3, 177, 191, 217, 281, 317,335, 377, 388, 389, 397, 448, 482, 487,490, 517, 519, 520, 526, 544–546, 553,560, 637

Widerstandsrauschen, 259, 269, 270Widerstands-Transistor-Logik, 540Wiener-Khintchine-Theorem, 268Wire-Bonden, 522wired AND, 79, 536Wired-OR-Verknüpfung, 544Wirkungsgrad, 139, 153, 161, 175–178, 182,

204, 206, 210–212, 684Wortbreite, 582, 584Wortleitung, 578–580, 586, 591, 592, 594, 601,

606, 611–613, 617, 620, 621, 662Write Cycle Time, 585Write Enable, 582, 619Write Pulse Width, 584

XXIP, 598

YY-Diagramm, 635, 637Y-Leitwert-Matrix, 381ye-Leitwertmatrix, 302y-Parameter, 309, 310, 313, 314, 316

ZZ-Diode, 80, 103, 120, 125, 128–130, 385, 542Zeilenleitung, 578, 590, 613Zeitkonstante, thermische, 255Zenerbereich, 129Zener-Dioden, 65, 66, 80, 83Zenerdurchbruch, 61, 62, 64, 65, 68, 196Zener-Effekt, 64–66, 130Zenerspannung, 79, 128–130, 288, 683ZENER-Tunneln, 65, 196Zentralatom, 13

ZEROPOWER-RAM, 615Zerstörung, 61, 65, 82, 83, 103, 117, 140, 183,

251, 252, 258, 338, 376, 385, 399, 408,413, 588

Zerstörung, thermische, 356, 428, 437, 567Zinkoxid (ZnO), 6Zinkselenid (ZnSe), 6Zinksulfid (ZnS), 6Zone, verbotene, 15, 21, 34, 64, 65, 195, 197,

402Zonenschmelzen, 5Zufalls

~experiment, 260, 262~größen, 259, 265~prozess, 265~signal, 258, 260~variable, 260–265, 683

Zugriffszeit, 583, 584, 590, 593, 597, 598, 602,620, 621, 681

Zünd~ausbreitungszeit, 439, 682~bedingung, 430, 432, 436~bereich, 434, 435~eigenschaften, 446~impuls, 428, 443, 445, 454, 456~impulsdauer, 434~impulsgenerator, 437~impulskette, 434~spannung, 432, 434, 436, 459–461, 570,

682~strom, 426, 432, 434–437, 446~verzögerungszeit, 438, 682~verzugswinkel, 443~verzugszeit, 436, 438, 439~winkel, 443, 444~zeit, 434, 439, 682~zeitpunkt, 442, 443

Zünden, 124, 412, 421, 436, 443, 569Zustandsdichten, effektive, 27, 29, 195Zweitor, 301, 311–313Zweiwegthyristor, 446Zwischenniveaus, 25Z-Zustand, 536