Sn-dotierte ZnO-Nanodrähte mit Inversionsdomänen

POSTER10.1002/zaac.201204035

Einfluss von Selen auf dieEigenschaften desPhasenwechselmaterials Ge3Sb2Te6

Wolfgang Bensch,*[a] and Christine Koch[a]

Keywords: Phasenwechselmaterialien, in-situ Röntgen-beugung, Schichtwiderstandsmessungen

Phasenwechselmaterialien haben sich als optische und elek-trische Speichermedien aufgrund ihrer außergewöhnlichenphysikalischen Eigenschaften in CDs und DVDs durchge-setzt.[1]

In-situ XRD- (Abb. 1) und temperaturaufgelöste Schichtwider-standsmessungen (Abb. 2) zeigen die Phasenübergänge vondem amorphen as-deposited Zustand in eine kubische und wei-ter in eine hexagonale Phase von Ge3Sb2Te4Se2.Mit etwa 170 °C ist die erste Phasenwechseltemperatur höher,die zweite ist mit etwa 260 °C niedriger als die des unsubstitu-ierten Materials (ca. 150 °C und ca. 315 °C). Der elektrischeWiderstand nimmt bei dem 1. Phasen-wechsel um ca. dreiGrößenordnungen ab.

Abbildung 1. Temperaturaufgelöste in-situ XRD Messung eines ca.800 nm dicken Filmes der Zusammensetzung Ge3Sb2Te4Se2.

Abbildung 2. Temperaturaufgelöste Schichtwiderstandsmessung anGe3Sb2Te4Se2.

[1] W. Bensch, M. Wuttig, Chem. Unserer Zeit 2010, 44, 92–107.

* Prof. Dr. W. BenschE-Mail: wbensch@ac.uni-kiel.de

[a] Institut für Anorganische Chemie, Christian-Albrechts UniversitätKiel, Max-Eyth-Str. 2,24118 Kiel, Germany

www.zaac.wiley-vch.de © 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Z. Anorg. Allg. Chem. 2012, 1567–16411584

10.1002/zaac.201204036

Sn-dotierte ZnO-Nanodrähte mitInversionsdomänen

Gunnar Schaan,*[a] and Werner Mader[a]

Keywords: zinc, tin, nanostructures, chemical vapordeposition

Mit Sn dotiertes ZnO ist ein günstiges und vielversprechendesMaterial für Photoanoden in Farbstoffsolarzellen.[1] Sn4+ be-setzt Oktaeder- und trigonal-bipyramidale Lücken im Wurtzit-Gitter, die sich in Form von Basal- und Pyramidaldefektenausordnen. ZnO-Nanodrähte mit einem Sn-Gehalt von etwa2 at-% in periodisch angeordneten Basal- und Pyra-midaldefekten wurden nach dem VLS-Mechanismus herges-tellt. Dazu wurden ZnO und Sn im Verhältnis 100:1 mit Gra-phit zur Reaktion gebracht, bei 1000°C verdampft und bei950°C auf einem mit Au beschichteten SiO2-Substrat abge-schieden.[2]

Abbildung 1. TEM-Aufnahmen eines mit Sn dotierten ZnO-Nano-drahts (a). Der Durchmesser beträgt ca. 160 nm. Die Sn enthaltendenBasaldefekte (b, Inset: FFT) weisen untereinander einen Abstand vonim Mittel ca. 25 nm auf.

[1] Y. Zhang, N. Ye, J. Power Sources 2010, 195, 5806–5809.[2] S. K. Hark, R. Deng, J. Phys. Chem. C 2007, 111, 13013-13015.

* Dipl.-Chem. G. SchaanE-Mail: gschaan@uni-bonn.de

[a] Institut für Anorganische Chemie, Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn, Römerstr. 164, 53117 Bonn,Germany