Ionenstrahl-gestützte Beschichtung und Bearbeitung · 2004. 5. 26. · 1 l 2 l 3 z 1 z 2 z 3 Substrat Schicht C 1 C 2 C 3 Aluminium-beschichtung DC theo.: 10-7 pF DC typ.: 0,1 pF

IonenstrahlIonenstrahl--gestützte gestützte Beschichtung und BearbeitungBeschichtung und Bearbeitung

Bernd RauschenbachBernd Rauschenbach

LeibnizLeibniz--Institut für Oberflächenmodifizierung LeipzigInstitut für Oberflächenmodifizierung Leipzig

Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“

I MI MOO

Teil 2 Teil 2


I MI MOO

• Elementarprozesse bei der Ionen-Festkörper-Wechselwirkung

• Ultrapräzisions-Bearbeitung und Formgebung

• Nanostrukturierung durch Oberflächenerosion (Selbstorganisation)

• Plasma-Immersions-Ionenimplantation

• Grundlagen der Ionenstrahl gestützten Deposition

• Ionenstrahl gestützte Texturmanipulation (Beispiel: TiN)

• Spannungsevolution

• Ionenstrahl gestützte Epitaxie (Beispiel: GaN auf Saphir)

• Multischichten für die EUV-Lithographie

• Anwendung (EUVL, GMR-Sensor, Solarzellen)

Inhalt / 2. TeilTeil 1 : Ionenstrahl gestützte Bearbeitung

Teil 2 : Ionenstrahl gestützte Deposition

Voraussetzung : niederenergetische Ionen, d.h. E < 1 keV ( < 10 keV)


I MI MOO

o

i

VerfahrenssucheGesucht wird ein Verfahren, dass die Vorteile von Depositions- und

Ionenimplantationsverfahren vereint !

• Schichtdicken :• Konzentration :• Kosten :

• Adhäsion :• Dichte :• mechan. Spannung :• Reproduzierbarkeit :• Kontrolle :• Temperatur :

Ionenimplantation Deposition (PVD)

sehr guthoch (kompakt)geringsehr gutsehr gutniedrig

100 nm< 50 At.-%hoch

1 µm0 ... 100 At.-%niedrig

schlechtgeringerhochmittelmittelhoch

IBAD

+

+_

_

Konsequenz : Ionenstrahl gestützte Deposition (IBAD)( Ion Beam Assisted Deposition)


I MI MOO

Deposition dünner Schichten

Schwingquarz

Verdampferquelle

Substrat mit Schicht

Parameter der Deposition:

Ø Substratetemperatur T

Ø Depositionsrate JA

Grundprinzip


I MI MOO

Ionenstrahl gestützte Deposition dünner Schichten

Schwingquarz

Verdampferquelle

Substrat mit Schicht

Parameter der Deposition:

Ø Substratetemperatur T

Ø Depositionsrate JA

Grundprinzip

Parameter der Ionenstrahl Deposition:

Ø Ionenstromdichte J

Ø Ankunftsrate R = J /J

Ø Ionenergie E

Ø Ionenspezies inert, reaktiv

I

I A

Faraday-Becher

Ionenquelle


I MI MOO

Schema einer IBAD-Anlage und typische Parameter

• Ionenenergie : 100 ... 3000 eV

• Atomfluß : 10 ... 10 atoms/cm² s

• Druck : 10 ... 10 mbar

• Ionenstromdichte : 0.1...100 µA/cm²

• Ion-zu-Atom Verh.: 0.2 ...2

• Wachstumsrate: 0.01 ...10 nm/s

11 15

-9 -6

42


I MI MOO

Präparations-kammer

Spektrale Ellipsometrie

Depositionskammer mit Ionenquellen

UHV-AFM

XPS/AES Kammer

Zentral-händler

Energie- und massenselektiver Plasmamonitor

UHV-IBAD-Anlage


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Restgasatome (~ 0,02 eV)

verstärkte Diffusion

Prozesse bei der Ionenstrahl-gestützten Deposition

Zerstäubung

Ionen (~200 eV)

Atome, Moleküle (~ 0,2 eV)

SUBSTRAT

SCHICHT

Wachstumsrichtung


I MI MOO

o

i

Wahl des Verfahrens zur Deposition Verfahrensvarianten:

• thermisches Verdampfen: durch resistives Heizendurch Nutzung der Elektronenstrahlheizungdurch Einsatz einer Knudsen- oder Effusionszelle

• Zerstäubung• Laserablation

Beispiel : CuBoltzmann-Verteilung

E = 0,3 eV

max o

max Thompson-Regel:

E = U /2 = 1,75 eV

(unabh. von Sputter-ionenenergie)

fällt mit 1/E²


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Elementarprozesse bei der Niederenergie-Ionenbestrahlung

Reichweite (N GaN):2

+

150 eV : 3.0 ML GaN 100 eV : 2.2 ML GaN

50 eV : 1,8 ML GaN

Implantation in die Oberfläche

Bildung einer kontinuierlichen Schicht

Wachstum der Schicht

R

R

R

Kon

zent

rati

onTiefe

Ionen (Atome)

Richtung des Wachstums

Wachstums-zone

? R

2?R

Interface

(MD-Simulation, Müller 1987)

Einfluß des I/A-Verhältnisses :

ohne Ionenbestr., nur Ni-Deposition

50 eV Ar, I/A=0,04

50 eV Ar, I/A=0,16


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Änderung der bevorzugten Orientierung

Wechsel der bevorzugten O

rientierung von (111) nach (001)

TiN

B1 (NaCl)

IBAD von TiN: Beispiel Texturevolution


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XRD-Texturmessung (Polfigur-Interpretation)

• χ entspricht der Verkippung gegen

die Normale auf das Substrat

• ϕ entspricht der Verdrehung um die

Normale auf das Substrat


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Bevorzugte Orientierung – Fasertextur – biaxiale Textur

10 µA/cm² 150 µA/cm²

(111)-Fasertextur (001)-Fasertextur

biaxiale Textur

(aus der „Sicht“ des Ionenstrahls)12 µA/cm²

χ=70,5° χ=54,7°

Oberfläche

54,7°

Ionenstrahl

Aufdampf-material

[001][111]


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Ionenenergie : 1,5 keV

Ionenstromdichte : 95 µA/cm²

Temperatur : RT

Winkel zwischen Ionenstrahl u. Oberfl.-Normale = 45° (≡Winkel zwischen [001] und [011])

Beispiel für (011) biaxiale Texturierung


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(a) (b) (c)

Abhängigkeit der Textur von der Schichtdicke

50 nm 200 nm 1000 nm

(001)-Textur (001)/(111)-Textur (111)-Textur

gemessen mit Synchrotronstrahlung


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l1

l2

l3

z1 z2 z3

SubstratSchicht

C1 C2 C3Aluminium-beschichtung

∆Ctheo. : 10-7 pF∆Ctyp. : 0,1 pF∆Ztheo. : 0,05 nmrtyp. : 11,25 m∆r : 18 µml1 : 4 mmZ1 : 0,2 mm

Ionen und Atome

Zugspannung

Druckspannung

Schichtdicke [nm]0 50 100 150

Spa

nnun

g σ

[GP

a]

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

Endspannung

In-situ Messung von mechanischen Spannungen

rddE

Schicht

Substrat

Substrat

Substrat 161

2

⋅−=

νσ

Stoney-Beziehung : (1909)

Auswertung unter der Voraussetzung eines biaxialen Spannungszustand !


I MI MOO

o

i

Evolution der Spannung durch in-situ Messungen

Druckspannung

Zugspannung

Schichtdicke [nm]0 2 4 6 8 10

Spa

nnun

g*S

chic

htdi

cke

[Pa

*m]

-10

-5

0

5

10

15

20

25

E = 500 eVTsub = 300 °CI/A = 0,5

BN auf Silizium

rddE

Schicht

Substrat

Substrat

Substrat 161

2

⋅−=

νσStoney-Beziehung :

mittels IBAD hergestel. Schichten stehen unter mechan. Spannungen ( Druckspann.)


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o

i

sin2χ

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

(dhk

l − d

0)/d

0 [%

]

-1

0

1

2

(104)(006)

(205)(105) (114)

(203)(202)

(302)

Indizesder Reflexe

χ- Neigungswinkel des reziproken Gittervekors des (hkl)-Refelxes gegen die Oberflächennormale

++++−−+−−

=%36,1%05,0%04,0

%05,0%63,0%07,0

%04,0%07,0%65,0

e

++++−−+−−

=GPa84,3GPa06,0GPa05,0

GPa06,0GPa35,1GPa08,0GPa05,0GPa08,0GPa40,1

s

Beispiel : Ionenstrahl-gestützte Laserstrahl-Deposition von AlN (500 eV N-Ionen)

Hochauflösende Spannungsmessung mittels XRD

Messfehler : 0,1 ...0,01 %


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o

i

∆c/c [%]

0 1 2

∆a/a

[%]

-1

0 uniaxial

biaxial

−2 GPa 0 0

σ = 0 −2 GPa 0

0 0 +4 GPa

Spannungstensor :

Das Verhältnis von der Dehnung der c-Achse zur Stauchung der a-Achse liegt zwischen den Grenzfällen einer uniaxialen und einer biaxialen Spannung

+

+

=0000000

0000000

000000

s therm

therm

biax

biax

hyd

hyd

hyd

σσ

σσ

σσ

σPunktdefekte biaxiale Spann. therm. Spannung

Gleitebene senkrecht zur Grenzfläche

Interpretation der Spannungsmessungen


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o

i

Physikalische Ursache für die Spannungsbildung bei der Ionenstrahl-gestützten Deposition

These: Spannung ∝ Punktdefektkonzentration, d.h. bestrahlungsinduzierte Spannung

( )RNQ

EE

kktNnN

NEN

NNnN

ENN

TiN

i

d

D

n

dD

dD

D

31

exp1)0,(

)(1)0,(

)()0,1(

0)0,0(

≈−−≈

−−=

=

===

A) Punktdefektgeneration B) spontane Ausheilung bei T > 0 K

.

.

.

i

[ ][ ]

−−≈

−=

−=

==

TkE

rNnN

NTnN

rnr

nrVnV

nVTTnN

TnN

B

LSADiD

DD

D

iD

D

exp31)0,(),(

)0,(

)0,()0,(

)0,(),()0,(

3

3

λ

δδ

[ ])exp(1),(

ktN

TnN iD −−=α

α

==

λ3ln

2r

kE

TTB

LSA

c

krit. Temperatur unterhalb der keine Defekte ausheilen

NTnNY D ),(

1

−=

υγσY - E-Modul, ? - Poisson-Zahl,

? - Skalierungsfaktor


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Ionenstrahl-gestützte Epitaxie: Beispiel GaN auf Saphir

Ga N, N

2+

+

Effusionszelle

Ionenquelle

c-Saphir-Substrat

genutzte Ionenquellen :

800 eV ≥ E ≥ 50 eV : Kaufmann Ionenquelle150 eV ≥ E ≥ 25 eV : begrenzte Glühentladungs-

Plasma-Ionenquelle

%33−=−

=Saphir

SaphirGaNo a

aaf

Gitterfehlpassung :

%163

30 +=−

=°Saphir

SaphirGaN

a

aaf


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Energieabhängigkeit der Textur

o

i

34 35 362θ [°]

FWHM=0.08°25 eV

100 eV

50 eV

150 eV

mit sinkender Ionenenergie :

• Schichten werden phasenrein

• Defektkonzentration sinkt

• Mosaizität (Verkippung, Verdrehung) sinkt

• Epitaxie wird verbessert


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Topographie und Defekte

Random-SpektrumRichtungsspektrum

Ga

Al

O

N

χ <1%min

2.5 MeV He-Channeling in [0001]

Ø perfekt orientierte GaN-Schichten

ØDefekt-KonzentrationsgradientB

acks

catt

erin

g Y

ield

[a.

u.]

Energy [MeV]

AFM-MessungenE = 150 eV

E = 50 eV

rms = 14 nm

rms = 4 nm

1 µm


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Mikroskopische Charakterisierung

10 nm

4 nm

Fourier Filter

Rücktransformation

Schicht

Grenzfläche

GaN

Interface

Saphir

(hochauflösendes XTEM)

Øgeringe Versetzungsdichte

Øglatte Grenzfläche

Økeine amorphe Genzschicht


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Atome & Ionen Ion mit Energie Eo

Restenergie:E = E - ∆E

R o ML

Energieverlust in der 1. ML : ∆E

ML

Varianten :

E < E ⇒ keine VerlagerungenE > E Verlagerungen in der 1. MLE < E (notwendige Voraussetzung für Epitaxie)

E > E ⇒ Verlagerungen in 1. ML und Volumen

O d

O d

R d

R d

Ionenstrahl-gestützte Epitaxie: Beispiel GaN auf Saphir

OF

OF

Vol

Vol

(Verlagerungsenergie: E ≈ ½ E )OF Vol

⇒

Epitaxiefaktor X

Zahl der verlagerten Atome in der 1.ML

Zahl der verlagerten Atome im Volumen=

E

MLxR?(E)E

(E)DF

)R(EdN

)MLE(dN

EX =∆

=

Energiefenster für die Ionenstrahl gestützte Epitaxie von GaN

15 eV ... 40 eV


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Roadmap der Halbleiterindustrie

350

250

180130

10070 50 35

050

100150200250300350400

1995 1997 1999 2002 2005 2008 2011 2014

Jahr

Min

ima

le l

ate

rale

S

tru

ktu

rbre

ite

[n

m]

Lithographieniveaus

• Gegenwart (2002) :130 / 248 und 193nm optische Lithographie

• 2011...2014 :50 nm / 35 nm EUV-Lithographie

aggressive Zeitpläneder Halbleiterindustrie

Entwicklungstool für50 nm wird 2006 benötigt !

Internationale Technologie-Roadmap der Halbleiterfertigung

Lithographie im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUVL)

Quelle: SEMATECH 9/00


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Probleme / Forderungen der EUVL:

• Strahlungsquelle bei 13,4 nm(Synchrotron or laser, plasma)

• hohe Reflektivität bei 13,4 nm• Defektniveau der Maskblanks(EUV-Maske : 1 Defekt/ in²)

• Multilayeroptiken bis 300 mm• Defektfreiheit der Multilayer

(~1 nm PV, ~0.1 nm RMS)• Vakuumanpassung

• Zuverlässigkeit der Optik

• Defektkontrollmeßtechnik

• Equipmentkosten (CoO)Der optische Aufbau besteht u.a. aus sechs optischen Multischicht-Elementen unterschiedlicher Größe, Gestalt (konkav, konvex) und Konstruktion.

Jedes Element erfordert einen anderen, atomar präzisen Depositionsprozess.

Quelle :

NGL-Workshop, Pasadena 08/2001

( Übergang : diffraktiven reflektiernden optischen Elementen )

Ionenstrahl-gestützteDeposition


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Reflexion an Grenzflächen : Konstruktion des EUV-Optik :

Braggsche Reflektionsbedingung

nλ=2d sin ϑ

1234567

ϑd

Verstärkung durch konstruktive Interferenz

für: ϑ = 90° λ = 13,4 nm

d = λ /2 = 6,7 nm

erforderliche Anpassung der Multischichtperiode d an Bragg-Winkel ϑ und Wellenlänge λ

Substrat (mask blank) : Ø ≥ 6 inchSi, Zerodur, UBL

50 M

o/Si

Dop

pels

chic

hten

2,7

nm M

o / 4

nm

Si

50 nm Cr-Maske

Ulta

präz

isio

ns-

glät

tung

(0,1

nm

rm

s)

belichtende 13,4 nm Strahlung (senkrecht)

reflektierte Strahlung ca. 65...69 %


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100 nm

50 Perioden: 2.7 nm Mo/ 4.0 nm Si auf 6” Si-Wafer

sehr gute Reproduzierbarkeit der Filmdicke

stabile Periode von 6.7 nm

002

220

111-

-000

Reflexe des

Mo/Si-Systems

nahe (000) Si

5 nm

Siα-Si

Mo


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0 100 200 300 Depth [nm]

ResultatØ hervorragende Periodizität

Ø Schichtqualität auch durch Messungen der Rön-tgenreflektivität unter streifenden Einfall mitCuKα Strahlung nachgewiesen

ResultatØ Bei 13,4 nm und nahezu senkrechten

Einfallswinkel (1.5 grad) wurde eineReflektivität von 67,5% gemessen

Röntgenreflektivitäts-Messungen unter nahezu senkrecht einfallender Röntgenstr.

Flugzeit-SIMS-Messung an einem Stapel von 50 Mo/Si-Doppelschichten auf einem Si-Wafer

Nor

mal

ised

Int

ensi

ty

67.5 % at 13.4 nm !

Messung mit Synchrotronstrahlung bei variabler Wellenlänge


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Anwendung der Ionenstrahl gestützten Deposition

Cyberite (weltweit erste kommerzielle IBAD-Anlage)

Herstellung von Mehrfachschichtsystem für die EUV-Lithographie

Nutzung des „X-beliebigen Magnetowiderstandes“ XMR als Sensor und Datenspeicher

Dünnschicht-Solarzellen auf flexiblen Kunststoffen


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Substrat-halter

Target-trommel

ECR-Ionen-quellen

HANDLER

MODUL 1

MODUL 2

CYBERITE IBAD (Ion Beam Assisted Deposition)System of unaxis Deutschland GmbH and IOM Leipzig

Sputter-quelle

Assist-Quelle

Substrat auf rotierenden Halter

Sputterquelle Assistquelleerste Anlage bei IBM / San Josè (2000)


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Riesenmagnetowiderstand, XMR (GMR)

Ferro-magnet

Ferro-magnet

Zwischen-bereich

Magnetisierungen sind antiparallel

bei Durchgang durch Zwischenbereich werden aus Majoritäts- dann Minoritäts-ladungsträger

daraus folgt starke Spinstreuung der Elektronen

wenn die Magnetisierung durch äußeres Magnetfeld parallel erzwungen wird, folgt große Widerstandsänderung

XMR-Effekt

XMR-Leseköpfe in Festplatten-laufwerken

MRAM

Magnetic Random Access Memories - MRAM


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ResultateØ Deposition von FeNi Spin-Valves (FeMn - Antiferromagnet, NiFe -

Ferromagnet, Co - Diffusionsbarriere, Cu - Sensorschicht)

ØWiderstand und Homogenität der Cu-Schicht sehr wichtig !

Ø Empfindlichkeit der Widerstandsänderung (∆R/R) und möglicherDetektionsbereich (He<Hx<Hc) kann weiter verbessert werden

2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,70

2

4

6

8 40

0

10

20

30

Mag

netis

che

Feld

stär

ke [

Oe

]

He

Hc

∆R/R

∆R/R

[ %

]

Cu-Dicke [ nm ]

CYBERITE System wird bei IBM / San Josè zur GMR-Sensor-Produktion eingesetzt (85 % der Weltproduktion) !-60 -40 -20 0 20 40 60

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

in Ionenstrahlrichtungsenkrecht zur IonenstrahlrichungSp

ez. W

ider

stan

d [ Ω

/cm

]

radiale Position [ mm ]

GMR-Spin Valve Sensor


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Beispiel : Solarzellen auf Polymerfolien

Konventionelle CIGS Pro-zesse benötigen Tempera-turen > 500°C für Solar-zellen hoher Photoneneffiz.

Polyimide sind Temperatur-resistent bis ≤ 400°C füreinige Minuten.?

ein neuer Tieftemperatur CIGS Process : die Ionenstrahl gestützte Deposition von Solarabsorber-Schichten !

• es besteht extremes Interesse an der Herstellung von leichten, flexiblen CIGS-Schichten auf Kunststoffen

• polykristalline Cu(InGa)Se2 (CIGS) Dünnschicht-Solarzellen auf Mo/GlasSubstrates zeigen eine Photoneneffizienz von max. 18,8 %


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Cu In

Glas0.5 µm Mo

CuInSe2, ...500°C

Abscheidung von Cu, In(Ga)-Schichten bzw. Seleniden durch PVD, Magnetron-sputtern, elektrochemische Verfahren.

„Selenisierung“ in Se-haltiger Atmosphäre bei erhöhter Temperatur

Sequentielle oder simultane Abscheidung Probleme

zu hohe Temperaturen

Selenisierungschlecht steuerbar

hoch toxischer Prozeß

Se-Überschuß

LL

LL

Wünsche

Temperaturen < 400 °C

gut steuerbar

schnell (>150 nm/min)

wenig toxische Abfälle

Se, H2Se


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Se

Plasma

Se+, Se2+ Se(+), Se2

(+), ...

1.Ofen für die Se-VerdampfungT = 175...190 °Cp = 0.01 mbar

2.

Konstruktion einer Breitstrahl-Selen-Ionenquelle

3.Entwicklung eines Gitter-systems zur Extration des Se aus dem Plasma

E = 100...300 eV

J = 0.1 ... 0.5 mA/cm²


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Cu In,Ga

Se-Ionen-quelle

- Se Partialdruck < 10 mbar

-Mehrfach-Elektronenstrahlverdampfer: Cu, Ga, In

- Se Ionenquelle : 200 - 300 eV, 0.2-0.5 mA/cm2 (gut kontrollierbar)

- 330°C - 350°C Substrattemperatur

- Substrat: Mo-beschichtete 25 µm UPILEX-S (UBE) !!!

kristalline Schichten von Cu(In,Ga)Se2aber auch CuIn3Se5, CuxSe, In2Se3

experimentelles UHV-System


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vom Solarabsorber zur Solarzelle auf einer Polymerfolie

1 µm ZnO:Al Frontkontakt

50 nm CdS Anpass-Schicht

1,5 µm CIS-Absorberschicht

Cu(In,Ga)Se2

500 nm Mo Rückkontakt

25 µm Polymerfolie

AufsichtPolymerfolie Mo Rück-

kontakt

AbsorberschichtCdS Anpass-Schicht

ZnO:Al Frontkontakt

Querschnitt


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Herstellung eines Solarabsorbers für Dünnschicht-Solarzellen durch

ionenstrahl-gestützte Deposition bei tiefen Temperaturen ( < 400 °C)

• einfache, exakt kontrollierbare und kostengünstige Herstellung

• hervorragend langzeitstabil (selbststabilisierend unter Lichteinstrahlung)

• extrem dünn ( < 20 µm)

• hoch flexibel

• leichter als Papier (50 g/m²)

• Wirkungsgrad : ca. 10 %

• Strompreis : ca. 0,05 €/kWh

• Rolle-zu-Rolle-Technologie


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Thermische Vorbehandlung

Sputtern Rückkontakt

CIGS:Na I B A D-Prozeß

Nachbehandlung, weitere Prozeßschritte

Solarion GmbHPhotovoltaik

Stand und Perspektive : - Basis: Euro-Patent - Firma gegründet (Invest.-volumen ca. 6 Mio DM) - 1000 m² (im Jahre 2001); 5000 m² (2002)(im kontinuierlichen Prozess :Rolle-zu-Rolle)

- wissenschaftl. Begleitung „INNOCIS“

Geschäftsführer: Dr. G. Lippold


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Weiterführende Literatur

• Ultrapräzisionsbearbeitung

A. Schindler u.a., Proceed. SPIE 4440 (2001) 217

A. Schindler, u.a., OSA Technical Digest, Washington, 2000, 135

• Nanostrukturierung

F. Frost u.a., Phys. Rev. Lett. 85 (2000) 4116

F. Frost, B. Rauschenbach, Appl. Phys. A (2002), im Druck

• Plasmaimmersions-Ionenimplantation

B. Rauschenbach, The Enzyclopedia of Materials, Science and Technology, Elsevier Science Oxford 200, Vol. VII, p. 7023

S. Mändl, B. Rauschenbach, Biomed. Technik, 45 (2000) 193

R.A. Yankov, S. Mändl, Ann. Phys. 10 (2001) 279

• Ionenstrahl-gestützte Deposition

B. Rauschenbach, Advances in Solid State Physics, Vol. 40 (2000)

B. Rauschenbach, J.W. Gerlach, Cryst. Res. Technol. 35 (2000) 675


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Danksagung

• Ultrapräzisionsbearbeitung: A. Schindler, T. Hänsel, H. Neumann

• Nanostrukturierung: F. Frost, G. Wagner

• Plasmaimmersions-Ionenimplantation: S. Mändl

• Ionenstrahl-gestützte Deposition: J.W. Gerlach, S. Sienz, T. Chassè

Autor: Prof. Dr. habil. Bernd Rauschenbach Tel.: (0341) 235 2308Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Fax: (0341) 235 2313Permoserstr. 15 Email: [email protected] Leipzig Web: www.iom.uni-leipzig.de

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Ionenstrahl-gestützte Beschichtung und Bearbeitung · 2004. 5. 26. · 1 l 2 l 3 z 1 z 2 z 3 Substrat Schicht C 1 C 2 C 3 Aluminium-beschichtung DC theo.: 10-7 pF DC typ.: 0,1 pF