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1 Cryst. Res. Technol. I 28 I 1993 1 6 1 824 Book Review J. P. NOUGIER (ed.) 111-V Microelectronics (European Materials Research Society Monographs Vol. 2) North-Holland, Elsevier Science Publishers B. V., Amsterdam 1991. 514 S., 294 Abb., 9 Tab. ISBN 0-444-88990-6 Das Buch enthalt 11 Beitrage, die aus Vortragen auf der Europaischen Sommerschule JII-V Microelectronics" im November 1990 in Strasbourg hervorgegangen sind. Fiinf Beitrage sind ubergreifender Art und gehen auf die folgenden Fragestellungen ein : grundlegende physikalische Mechanismen des Ladungstragertransports in Halbleitern und Halbleiterbauelementen einschliel3lich der wichtigsten theoretischen Beschreibungsmethoden; die aus heutiger Sicht wohl wichtigsten Epitaxieverfahren fur die Herstellung von Bauelementen (MOVPE, MBE) rnit einer Behandlung der auftretenden Probleme am Beispiel der MOVPE von GaAs und AIGaAs; Bauelementsimulation mit ihren verschiedenen Techniken und Naherungen; Auswirkung von inneren Spannungen in Epitaxie- schichten und von Fehlanpassungsversetzungen auf die Eigenschaften der Schichten und auf Bau- elemente mit experimentellen Daten fur das Materialsystem Gap-GaAs; Rauschen in Halbleitern und Halbleiterbauelementen einschliel3lich einer Behandlung der Moglichkeiten fur die theoretische Modellierung und der sich bei Submikrometer-Bauelementen ergebenden spezifischen neuen Aspekte. Die sechs verbleibenden Beitrage sind konkreten Bauelementvarianten gewidmet und behandeln die Technologie, Eigenschaften und Modellierung von Feldeffekttransistoren, Heterostrukturbauelemen- ten mit zweidimensionalen Elektronengasen, monolithische integrierte Systeme fur den Mikrowellenbe- reich, Bipolartransistoren auf der Basis von Heteroiibergangen und schlieSlich auch optoelektronische und photonische integrierte Schaltkreise. Das Buch ist sowohl in der Forschung als auch in der Praxis tatigen Wissenschaftlern und Ingenieuren zu empfehlen, die sich in eine der genannten Problemstellun- gen einarbeiten wollen. Die zu jedem Beitrag vorhandenen recht umfangreichen und aktuellen Literaturverzeichnisse bieten aul3erdem die Moglichkeit fur ein tieferes Eindringen in konkret interessierende Fragen. SchlieBlich wird die Nutzung des Buches durch ein alle Beitrage erfassendes umfangreiches und detailliertes Sachverzeichnis wesentlich erleichtert. H. NEUMANN

J. P. Nougier (ed.). III-V Microelectronics. (European Materials Research Society Monographs Vol. 2). North-Holland, Elsevier Science Publishers B. V., Amsterdam 1991. 514 S., 294

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1 Cryst. Res. Technol. I 28 I 1993 1 6 1 824

Book Review

J. P. NOUGIER (ed.)

111-V Microelectronics

(European Materials Research Society Monographs Vol. 2)

North-Holland, Elsevier Science Publishers B. V., Amsterdam 1991. 514 S., 294 Abb., 9 Tab. ISBN 0-444-88990-6

Das Buch enthalt 11 Beitrage, die aus Vortragen auf der Europaischen Sommerschule JII-V Microelectronics" im November 1990 in Strasbourg hervorgegangen sind. Fiinf Beitrage sind ubergreifender Art und gehen auf die folgenden Fragestellungen ein : grundlegende physikalische Mechanismen des Ladungstragertransports in Halbleitern und Halbleiterbauelementen einschliel3lich der wichtigsten theoretischen Beschreibungsmethoden; die aus heutiger Sicht wohl wichtigsten Epitaxieverfahren fur die Herstellung von Bauelementen (MOVPE, MBE) rnit einer Behandlung der auftretenden Probleme am Beispiel der MOVPE von GaAs und AIGaAs; Bauelementsimulation mit ihren verschiedenen Techniken und Naherungen; Auswirkung von inneren Spannungen in Epitaxie- schichten und von Fehlanpassungsversetzungen auf die Eigenschaften der Schichten und auf Bau- elemente mit experimentellen Daten fur das Materialsystem Gap-GaAs; Rauschen in Halbleitern und Halbleiterbauelementen einschliel3lich einer Behandlung der Moglichkeiten fur die theoretische Modellierung und der sich bei Submikrometer-Bauelementen ergebenden spezifischen neuen Aspekte. Die sechs verbleibenden Beitrage sind konkreten Bauelementvarianten gewidmet und behandeln die Technologie, Eigenschaften und Modellierung von Feldeffekttransistoren, Heterostrukturbauelemen- ten mit zweidimensionalen Elektronengasen, monolithische integrierte Systeme fur den Mikrowellenbe- reich, Bipolartransistoren auf der Basis von Heteroiibergangen und schlieSlich auch optoelektronische und photonische integrierte Schaltkreise. Das Buch ist sowohl in der Forschung als auch in der Praxis tatigen Wissenschaftlern und Ingenieuren zu empfehlen, die sich in eine der genannten Problemstellun- gen einarbeiten wollen. Die zu jedem Beitrag vorhandenen recht umfangreichen und aktuellen Literaturverzeichnisse bieten aul3erdem die Moglichkeit fur ein tieferes Eindringen in konkret interessierende Fragen. SchlieBlich wird die Nutzung des Buches durch ein alle Beitrage erfassendes umfangreiches und detailliertes Sachverzeichnis wesentlich erleichtert.

H. NEUMANN