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Ziel im Projekt ist es, neuartige leistungsfähige Photomischer und Gunn- dioden für den Terahertz (THz)-Bereich zu entwickeln. Hierfür wurden ein- dimensionale Nanoelemente sowie leistungsstarke Verbindungshalbleiter wie Galliumnitrid-Materialien zur Herstellung von Photomischern mit höchsten Grenzfrequenzen und GaN-Gunn dioden mit hohen Ausgangs- leistungen eingesetzt. Diese Bauelemente ermöglichen auch den Bau einer stabilen THz-Quelle, die eine sehr einfache Systemarchitektur erlaubt. Innovative Terahertz-Komponenten und -Systeme eröffnen attraktive Mög- lichkeiten für neue Sicherheitsanwendungen wie bildgebende Messungen von versteckten Objekten, Spektroskopie von gefährlichen Substanzen sowie abhörsichere drahtlose Breitbandkommunikation. Nanostrukturierte Terahertz-Quellen PD Dr.-Ing. habil. Oktay Yilmazoglu* (Gunndiode) [email protected] Dr.-Ing. Shihab Al-Daffaie** (Photomischer) [email protected] Prof. Dr.-Ing. Franko Küppers [email protected] Technische Universität Darmstadt Merckstraße 25 64283 Darmstadt * FB ETIT, FG Höchstfrequenzelektronik ** FB ETIT, Institut für Mikrowellentechnik und Photonik www.hfe.tu-darmstadt.de Laser Antenna Vertical Photomixer GaN Gunn Diode Terahertz a Erzeugung hoher THz-Leistung a Anregung eines breiten THz-Frequenzspektrums a Bessere Temperaturstabilität und Zuverlässigkeit a Kompakte Bauweise und flexibler Einsatz der THz-Strahlungsquelle a Kostengünstige THz-Systeme

Laser Antenna Vertical Photomixer Terahertz GaN Gunn · PDF fileZiel im Projekt ist es, neuartige leistungsfähige Photomischer und Gunn - dioden für den Terahertz (THz)-Bereich zu

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Ziel im Projekt ist es, neuartige leistungsfähige Photomischer und Gunn-

dioden für den Terahertz (THz)-Bereich zu entwickeln. Hierfür wurden ein-

dimensionale Nanoelemente sowie leistungsstarke Verbindungshalbleiter

wie Galliumnitrid-Materialien zur Herstellung von Photomischern mit

höchsten Grenzfrequenzen und GaN-Gunn dioden mit hohen Ausgangs-

leistungen eingesetzt. Diese Bauelemente ermöglichen auch den Bau

einer stabilen THz-Quelle, die eine sehr einfache Systemarchitektur

erlaubt.

Innovative Terahertz-Komponenten und -Systeme eröffnen attraktive Mög-

lichkeiten für neue Sicherheitsanwendungen wie bildgebende Messungen

von versteckten Objekten, Spektroskopie von gefährlichen Substanzen

sowie abhörsichere drahtlose Breitbandkommunikation.

Nanostrukturierte Terahertz-Quellen

PD Dr.-Ing. habil. Oktay Yilmazoglu*(Gunndiode)[email protected]

Dr.-Ing. Shihab Al-Daffaie**(Photomischer)[email protected]

Prof. Dr.-Ing. Franko Kü[email protected]

Technische Universität DarmstadtMerckstraße 2564283 Darmstadt

* FB ETIT, FG Höchstfrequenzelektronik** FB ETIT, Institut für Mikrowellentechnik und Photonik

www.hfe.tu-darmstadt.de

Laser

Antenna Vertical Photomixer

GaN Gunn DiodeTerahertz

a Erzeugung hoher THz-Leistung

a Anregung eines breiten THz-Frequenzspektrums

a Bessere Temperaturstabilität und Zuverlässigkeit

a Kompakte Bauweise und flexibler Einsatz der THz-Strahlungsquelle

a Kostengünstige THz-Systeme