Literat urverzeichnis

[1) Hilpert,H.: [2) Spenke,E.:

Halbleiterbauelemente. Stuttgart 1972. Elektronische Halbleiter, 2.Auflage. Berlin 1965

[3) Shockley, W.: Electrons and Holes in Semiconductors. New Yorck 1950

[4] Schottky, W.(Hrsg.): Halbleiterprobleme, Bd. I-IV. Braunschweig 1954-1958

[5) Unger, H.-G., Schultz, W.: Elektronische Bauelemente und Netzwerke 1., 3.Auflage 1985

[6) Le Can, C., Hart, K. und de Ruyter, C.: Schaltungseigenschaften von Dioden und Transistoren. Philips 1963

[7) Paul, R.: Transistoren, Physikalische Grundlagen und Eigenschaften. Braunschweig 1965

[8) Meinke, H., Gundlach, F.W. (Hrsg.): Taschenbuch der Hochfrequenztechnik, 4. Auflage. Berlin 1986

[9) Tietze, U., Schenk, Ch.: Halbleiter-Schaltungstechnik, 9. Auflage. Berlin 1989

[10) Valvo-Fachbuch: Transistor-Kompendium I, 2. Auflage.

[11] Mielke, H.: Hamburg 1967 Der Zusammenhang zwischen B und (3 bei Transistoren. Internat. Elektron. Rund­schau 1965, Heft 6

[12] Kulp, M.: R5hren- und Transistorschaltungen, Teil IV-V, Transistortechnik. G5ttingen 1970

[13] Telefunken-Laborbuch, Band 2, 5. Auflage 1969 [14] Valvo-Fachbuch: Transistor-Kompendium III, Nieder-

frequenzverstarker. Hamburg 1970 [15] Telefunken-Laborbuch, Band 5, 1971 [16] St5ckle, H.: NF-Verstarker. Stuttgart 1965 [17] Rusche, Gl., Wagner, K., Weitzsch, F.:

Flachentransistoren. Berlin 1961 [18] RCA-Handbuch: Halbleiterschaltungen der Leistungs-

235

elektronik. Hamburg 1971 [19] Siemens AG.: Halbleiter-Datenbuch [20] AEG-Telefunken: N achrichtentechnische Tabellen und

[21]

[22]

[23] [24] [25] [26]

Kirschbaum:

Kirschbaum:

H.Gad/H.Fricke: Wiistehube,J.: Gad,H.: Texas Instr.:

Berechnungen. Elitera Berlin 1976 TransistorversUirker Band 2, Schaltungs­technik Teil 1, Teubner, 3. Auflage 1985 TransistorversUirker Band 3, Schaltungs­technik Teil 2, Teubner, 2. Auflage 1983 Grundlagen der Verstarker, Teubner 1983 Feldeffekt-Transistoren, Valvo-Fachbuch 1968 Feldeffektelektronik, Teubner Stuttgart 1976 Das FET-Kochbuch, Miinchen 1977

236

Formelzeichen

Die Formelzeichen sind weitgehend nach den Festlegungen in DIN 41785 Blatt 1 aufgebaut. Das Aufbau-Schema fUr die Kurzzeichen und Indizes geht aus den nachstehenden Tabellen hervor:

Kurzzeichen fur Spannungne und Strome

Kennbuchstabe Kleinbuchstabe GroBbuchstabe Augenblickswerte zeitlich Werte zeitlich konstanter veriinderlicher GraBen GraBen (Gleichwerte) Ausnahme:

Scheitelwerte 0" i. Buchstaben im Index

Kleinbuchstaben GroBbuchstaben Wechselwerte Gesamtwerte (von arithmetischen (vom Wert Null an geziihlt) Mittelwert an geziihlt)

K urzzeichen fur Widerstiinde und Leitwerte

Kennbuchstabe Kleinbuchstabe GroBbuchstabe Hal bleiter bauelement Halbleiterbauelement ohne iiuBere Schalt- mit iiuBeren Schaltelementen, elemente iiuBere Schaltung

Buchstaben im Index Kleinbuchstaben GroBbuchstaben Wechselwerte Gleichwerte Kleinsignal werte GroBsignalwerte

Einzelne, wenige verwendete Formelzeichen sind hier nicht aufgefiihrt; sie sind im Text erliiutert. Bei den wenigen Zeichen, die in mehrfacher Bedeutung auftreten, sind Verwechslungen praktisch ausgeschlossen.

237

A Gleichstromverstarkung der Basis-Schaltung B Gleichstromverstarkung der Emitter-Schaltung B N inharentes Gleichstromverhiiltnis C Kapazitat Cth Warmekapazitat Dr Drossel ei StrommaBstabsfaktor eu SpannungsmaBstabsfaktor f Frequenz hUe Kurzschlufi-Eingangswiderstand der Emitter-Schaltung h12e Spannungsriickwirkung der Emitter-Schaltung h 21e Kurzschlufi-Stromverstarkung der Emitter-Schaltung h22e Leerlauf-Ausgangsleitwert der Emitter-Schaltung I Gleichstromm leBO Kollektorreststrom bei offener Basis lQ Querstrom durch Basis-Spannungsteiler

Wechselstrom j A imaginare Einheit L Induktivitat m Geradensteigung P Leistung Ptot Transistor-Gesamt-Verlustleistung R, r Widerstand Rg Innenwiderstand des Steuergenerators Rth Warmewiderstand rw Basis-Bahnwiderstand riw wirksamer Innenwiderstand der Steuerquelle rlw wirksamer Lastwiderstand S aufiere Steilheit S' innere Steilheit T Transistor U Gleichspannung UB Betriebsspannung UT Temperaturspannung u Wechselspannung Vi Betriebsstromverstarkung Vu Betriebsspannungsverstarkung

W Z a

rlh {)

elektrische Energie Impedanz

238

K urzschluBstromverstarkung der Basis-Schaltung KurzschluBstromverstiirkung der Emitter-Schaltung Niederfrequenzwert von j3 KurzschluBstromverstiirkung der Kollektor-Schaltung Warmekontaktwiderstand Temperatur

P MaBstabsfaktor dimensionslos PR MaBstabsfaktor Einheit Ohm r.p w

Potential, Phasenwinkel Kreisfrequenz

Indizes

Man beachte die Indizes-Liste auf Seite 160 fUr die Transistorreststr6me

A Arbeitspunkt B, b Basis EI, bl innerer Basispunkt C, c Kollektor E, e Emitter G, g Gehause, Generator I inverser Betrieb J Sperrschicht K Kiihlblech, -korper k KurzschluB max Maximalwert mm Minimalwert N normaler Betrieb, N-Zone 0 Oberflache p P-Zone sat Sattigungswert U Umgebung 0 Leerlauf 1 Eingang 2 Ausgang

Sonstige Zeichen

Amplitude

239

komplexe Grof3en sind unterstrichen ~ entspricht ~ angeniihert gleich i= nicht gleich < kleiner als > grof3er als -< sehr viel kleiner als ~ sehr viel grof3er als ~ Differenz, Anderung 1r 3,14 II Parallelschaltung von Widerstanden -+ gegen, nahert sieh, strebt naeh

Die innerhalb eines Rechenganges teilweise iiber den Gleiehheitszeichen angegebenen Nummern kennzeichnen die verwendete Gleiehung.

Die Zahl hinter dem Sehragstrieh bei DIN-Angaben bezeiehnet die Blatt­Nummer der betreffenden DIN-Vorsehrift, z.B. DIN 41785/1.

Sachregister

Abblockkondensator .......... 34 Basis .......................... 9 Abschniir- -Siittigungsspannung ....... 202

-bereich FET ............... 217 -Schaltung ................... 25 -grenze FET ................ 217 -Bahnwiderstand .......... 52,88 -spannung FET ........ 216,223 -Spannungsteiler .. 176ff,192f,196

AquivalenzgroBen ............ 129 -Vorwiderstand ............ 186f AuBere Beschaltung ........... 28 Batteriepolung ................ 32 Aktiver Bereich .............. 199 Betriebs-Aktiver Betrieb ............... 13 -Ausgangswiderstand ........ 66 Anpassung ................ 71,173 -Eingangswiderstand ......... 69 Anreicherungstyp FET ....... 225 -Stromverstiirkung ........... 79 Arbeits- Bezeichnungsschema .......... 56

-bereiche .............. 199f,209f bipolarer Transistor .......... 213 -gerade ................... 107ff Bootstrap-Schaltung ......... 182

-Gleichstrom .............. 107 Bulk ......................... 212 -Wechselstrom ........... 113ff

-kennlinie .................. 121 -punkt ......... 15,168ff,182,211

-einstellung FET .......... 227 -Stabilisierung ........ 29,168ff

-mit einer Diode ........ 196f Auffangerelektrode ............ 15 Ausgang ...................... 25 Ausgangs-

-kennlinie .................... 38 -Basis-Schaltung ........... 43 -Emitter-Schaltung ......... 38 -FET ..................... 217

-spannung ................... 25 -strom ....................... 25 -widerstand

-Gleichstrom ............... 75 -MeBschaltung ............. 59

Defektelektronen ............. 16 Deratingkurve .............. 138ff Dichtegefiille .................. 14 Diodenstabilisierung ......... 197 Drain ........................ 212 Drain-Gate-Durchbruch ...... 219 Drain-Source-

-ICurzschluBstrom ........... 217 Drainstrom .................. 213 Durchbruch ................ 202ff

-erster ...................... 203 -Spannung ................. 204

-FET ..................... 219 -zweiter .................... 208

DurchlaBrichtung ............. 11 DurchlaBspannung ............ 11

-Wechselstrom ............ 58ff

241

Dynamische- Gegenkopplung ... 29,123,124,176 -Eigenschaften ............... 37 Gehause--Kenngro:Ben ............... 58ff -formen .................... 132 -Kennlinie ................ 121ff -temperatur ............ 130,137

Gleichstrom-

E · 25 -Arbeitsgerade .. " ......... 107f Ingang ...................... A 'd d 75

E. - usgangswl erstan ....... . mgangs-k 1·· 52 -Eingangswiderstand ......... 75

- enn Inle .................... G 1 ff 25 - egenkopp ung ........... 176

-spannung ................... hiil . . h 161 -strom ....................... 25 -ver" tkllls,m iirentes ....... 76

r 71 -verstar ung ................ . -stule ........................ G ff -widerstand renzdaten ................. 202

-FET ..................... 218 G-FETfr······················· 2319 Gl . h 75 renz equenz ................ 5 - elC strom .............. .

Grenzleistungsdiagramm .146,209 -Me:Bschaltung ............. 69 G d hal 25ff W h 1 68ff run sc tungen .......... .

E. - chealc se strom ............ 171 -FET ...................... 214£ ms tstrom .............. .

Einschnlireffekt .............. 205 Emissionselektrode ............ 15 Ralbe Speisespannung ....... 174 Emitter ........................ 9 Hei:Bleiter .................... 193

-diode ....................... 11 -folger ....................... 33 -Schaltung ................... 25

Erster Durchbruch ........... 203 Exemplarstreuungen ...... 77,184

Federgewichtskiihler ......... 149 Feldeffekttransistoren ....... 212ff Flu:Bspannung ................. 11 Flu:Brichtung .................. 11

Gate ........................ 212 Gate-Source-

-Kurzschlu:B-Reststrom ..... 218 Gatestrom ............... 218,222

Inharentes Gleichstromverh. . 161 Innenwiderstand,wirksamer ... 28 Instabilitat, therrnische .. 171,175 Inverser Betrieb ............... 26 Impedanzwandler ............. 72 Impulsbetrieb ................ 210 Isolierscheibe ................ 133

Kenngro:Ben--dynamische .............. 58,92 -statische .................... 58

Kennlinie, statische ........... 37

242

Kennlinien- Niiherungsformeln ....... 94ff,104 -feld ......................... 38 Normaler Bereich ............ 199 -konstruktion ................ 41 Normaler Betrieb .......... 13,25 -schreiber .................... 48 NTC-Widerstand ........... 192ff

Kleinsignalbetrieb ......... 63,116

Klirrfaktor ................... 123 Ohmscher Bereich PET .. 216,217 Kniespannung ............... 202

-PET ....................... 216 Kollektor ...................... 9 Parameter .................... 37

-Basis-Widerstand ......... 188f pinch off PET ............... 216 -diode ....................... 11

-reststrom .................. 158 Reduzierungskurve,therm .... 139 -strom,maximaler ........... 203 R k b· t· 16 e om ma IOn ..•••••••..•.... -Schaltung ................ 25,32

Konvektion .................. 132 Koppelkondensator ........... 34 Kristalltemperatur ......... 126ft'

Restspannung ................ 201 Reststrome ................. 158ft' Riickkopplungsvierpol ...... 28,29

Kiihlblech .................. 134ft' Kiihlfahne ................... 140 Siittigungs-Kiihlkorper ................. 142f -bereich .................... 200 Kiihlstern .................... 140 -PET ..................... 217 KurzschluB- -spannung .................. 201

-Ausgangswiderstand ........ 66 -strome ..................... 158 -Eingangswiderstand ......... 69 Schalterbetrieb .......... 199,200 -Stromverstiirkung ......... 79ft' Schleusenspannung .... 52,183,197

Schwellenspannung PET ..... 224 selbstleitender PET .......... 225

Lastwiderstand,wirksamer ..... 28 lb t d PET 225 se s sperren er ....... . Lawinendurchbruch .......... 204 S I kt" Y, t" k 174 Leerlauf- e e lye ers ar er ......... .

Source ....................... 212 -Ausgangswiderstand ........ 66 S pannungs--Eingangswiderstand ......... 69 . .. 122 -empragung ............... .

Locher ........................ 16 G d t 205f - renz aen .............. . -riickwirkung ............. 53,89f

~eBparameter ................ 37 -steuerung .................. 122 MOS-PET .............. 213,222ft' -verstiirkung ................. 25

243

Speisespannung- Temperatur--Prinzip der halben ........ 174ff -Abhiingigkeit,Strom ....... 164f

Sperr- -Gehiiuse ................... 130 -bereich ................ 158,199 -Spannung ............... 95,181 -richtung .................... 11 -Sperrschicht ............... 127 -schicht ...................... 11 -Umgebungs ................ 130

-FET ................. 212,213f -verhalten FET ............ 226f -schichttemperatur ..... 127,137 Therm. Gleichgewicht ... 136,169 -spannung ................... 11 Thermische-

Statische- -Instabilitat ............ 171,175 -Eigenschaften ............... 37 -Reduzierungskurve ......... 139 -Kenngrof3en ................. 58 -SelbstzerstOrung .......... 168ff

Stabilisierung,Arbeitspunkt . 168ff Tragermultiplikation ......... 204 Steilheit ...................... 86f Transistorsymbol ............... 9

-auf3ere ...................... 87

-FET ...................... 220f Uberbriickungskondensator ... 34 S -inner~ k' .. d' ................ 87 Ubersteuerungsbereich ....... 200

teuere e tro e ............... 15 Ubertragungs-Steuerkennlinie-

FET -kennlinie FET ......... 218,223 - ............... 214,218,223 . 1 25 S -Vlerpo ..................... .

- pannungs .................. 45 U b 130 S mge ungstemperatur ...... . - trom ...................... 49 unipolarer Transistor ........ 213

Steuerleistung ................. 71 StoBionisation ............... 203 Streubereich .................. 48 Verarmungstyp FET ........ 225 Stromrichtung,konventionelle .. 10 Vergleichtabelle, Transistor-Stromsteuerung .............. 123 -typ ......................... 57 Stromverstarkung ............ 79ff Verlusthyperbel .............. 145

-Basis-Schaltung ............. 84 Verlustleistung ............. 126ff -differentielle ................ 81 -FET ....................... 227 -Emitter-Schaltung .......... 79 -stationare ................. 136f -Kollektor-Schaltung ......... 85 -zulassige ................... 138

Substratgate ................. 212 Verlustleistungshyperbel ..... 144f Versionsbuchstabe ............ 57 Versorgungsspannung

-konstante ............ 168ff,172f Vierfelderkennlinien ........ 52.91

244

Vorzeichen .................... 17

Wiirme--Ersatzschaltbild ........... 130 -Kapazitiit ................. 128f -kontaktwiderstand ......... 133 -leistungsstrom ............. 128 -leitpaste ................... 133 -widerstand ................ 128f

-iiuBerer ................... 131 -Gesamt- .................. 132 -innerer ................... 131

Wechselstrom--Arbeitsgerade ........ 113ff,116 -Ausgangswiderstand ....... 58ff -Eingsangswiderstand ...... 68ff -Verstiirkung ............... 79ff

Widerstandsgerade ....... 109,196 Wirksamer-

-Innenwiderstand ............ 28 -Lastwiderstand ............. 28

Wirkungsgrad ....... 193,209,211

Ziihlrichungen ............... 10ff Zweiter Durchbruch .......... 208

TEUBNER STUOIENSKRIPTEN (TSS) UNO LEHRBUCHER FuR INGENIEURE

- Eine Auswahl fur den Elektrotechniker -

Elektronik

Freitag, EinfOhrung in die Zweitortheorie 3., neubearbeitete Auflage

Gad, Feldeffektelektronik

Gad/Fricke,* Grundlagen der Verstarker

Kirschbaum, Transistorverstarker Band 1: Technische Grundlagen

4., vollig neubearbeitete und erweiterte Auflage

Band 2: Schaltungstechnik, Teil 1 3., durchgesehene Auflage

Band 3: Schaltungstechnik, Teil 2 2., durchgesehene Auflage

Paul, Elektronische Halbleiterbauelemente

Schildt,* Grundlagen der Impulstechnik

Ulbricht, Netzwerkanalyse, Netzwerksynthese und Leitungstheorie

Oigitale Nachrichtentechnik

Gotz, EinfOhrung in die digitale Signal-

(TSS) OM 19,80

(TSS) OM 21,80

Kart. OM 54,--

(TSS) OM 23,80

(TSS) OM 20,80

(TSS) OM 21,80

(TSS) OM 23,80

Kart. OM 68, --

(TSS) OM 18,80

verarbeitung (TSS) ca. OM 28,--

Hess, Oigitale Filter (TSB) OM 39,--

Kammeyer/Kroschel, Oigitale Signalverarbeitung Filterung und Spektralanalyse (TSB) OM 38,--

Optische Nachrichtentechnik

Borner/Trommer, Lichtwellenleiter

Borner u.a., Elemente der integrierten Optik

KneubOhl/Sigrist, Laser 2., neubearbeitete Auflage

*Moeller, Leitfaden der Elektrotechnik

TSS: Teubner Studienskripten (12,7 x 18,8 cm) TSB: Teubner StudienbOcher (13,7 x 20,5 cm)

(TSS) OM 21,80

(TSS) ca. OM 25,--

(TSB) OM 42,--

(Preisanderungen vorbehalten)