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Praktikum-Organische Elektronik
25. Mai AlOx + SAM / OLED Messung
1. Juni Planarisierung / Einführung in IC-CAP Messprogramm
15. Juni Source,Drain Au ätzen/ Einführung in R
22. Juni 11.00Uhr 1. Gruppe Halbleiter spincoaten,
Passivierung, Halbleiter strukturieren
22. Juni 15.00Uhr, 1.Gruppe Messung Transistor
29. Juni 11.00Uhr, 2. Gruppe Halbleiter spincoaten,
Passivierung, Halbleiter strukturieren
29. Juni 15.00Uhr, 2. Gruppe Messung Transistor
6. Juli Diskussion der Ergebnisse
Feynmanbau Raum 313 11:00 Uhr
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OLED Messung
OLED vom Fraunhoferinstitut Dresden
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-2 -1 0 1 2 310
-7
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
JA [
A/c
m2]
VAK
[V]
10-1
100
101
102
103
104
105
0
20
40
60
80
0
1
2
3
4
5
6
RP [M
Oh
m]
f [Hz]
UAK = -1V
CP [n
F]
IU-Kennlinie Impedanzmessung
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OFET-Technologie
AlOx+SAM
P3HTS D
Al
Querschnitt
Substrat
Au-Kontakt
Gate
Gatekontaktierung
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Gatekontakt
Substrat
nach Lift-offAu
aufgedampft
strukturierter
PR
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Gatestruktur
Gatekontakt strukturierter
PR
Al
aufgedampftnach Lift-off
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Querschnitt Transistor
Substrat
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Technologieschritte
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1. Praktikum Gateoxid
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Sauerstoffplasma
Vakuum 10-6 mbar
Unterlage aus Aluminium
Parallele Kondensatorplatten
Leistung 200W / Dauer 30s
O2-Fluss: 98 sccm
typische Spannung: 433V
AlOx –Schicht 4nm
SAM
Tetradecylphosphonsäure (TDPA)
1 mM TDPA:Isopropanollösung
4h bei Raumtemperatur
AlOx + SAM –Schicht 5,5nm
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Technologieschritte
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2. Praktikum Planarisierung
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BCB strukturierenBCB spincoaten
BCB - Benzocyclobuten
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Technologieschritte
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3. Praktikum Source/Drain Gebiete
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Source/Drain Metallisierung Fotolack Source/Drain
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3. Praktikum Source/Drain Gebiete
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Au ätzen Fotolack entfernen
Au-Ätzer:
KI:I 1:5 H2O verdünnt
Dauer 4-5 Minuten
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Technologieschritte
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4. Praktikum Halbleiter/ Passivierung
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Halbleiter spincoaten Passivierung spincoaten
Halbleiter: P3HT
0,35 m/m Lösung
1000rpm, d≈40nm
Passivierung: BCB
Cyclotene 4022-25
1:3 in Mesithylene
5000rpm, d≈500nm
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4. Praktikum Halbleiter/ Passivierung
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Passivierung strukturieren Halbleiter strukturieren
BCB Negativlack
Dosis 25mJ/cm2
Entwickler:
1,3,5-Triisopropyl-
benzol
Argonplasma P=30W
typische Spannung
240V
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Messung des hergestellten Transistors
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Transferkennlinie
Ausgangskennlinie Drainleitwert
Steilheit
