Mikroelektronik – zwischen Wirtschaftlichkeit und Technik

Mikroelektronik – zwischen Wirtschaftlichkeit und TechnikSS 2010Prof. Dr. H. Gesch

Kap 3, Folie 1

3 Chipherstellung: Dotiertechniken

Was heißt „Dotieren“?

• Einbau eines Fremdatoms an einen Si-Gitterplatz (substitutionell)• Fremdatome stammen aus der III. oder V. Gruppe im PS• Anzahl der Fremdatome pro cm³ ist definiert• Profil der durch Fremdatome bedingten Verunreinigung im Si-Gitter

ist definiert• die Dotierung modifiziert die elektronische Struktur des Festkörpers• durch die Dotierung bleibt die Kristallstruktur des Wirtsgitters

erhalten• Dotieren ist ein chemisch/physikalischer Prozess


Kap 3, Folie 2


Was heisst „Dotieren“?

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

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+

durch Elektronenleitung entsteht ein n-Halbleiter durch Löcherleitung entsteht ein p-Halbleiter

Einbau eines Fremdatoms (Phosphor oder Bor) an einen Si-Gitterplatz (substitutionell)


Kap 3, Folie 3


Was heisst „Dotieren“?Ausschnitt aus dem Periodensystem

I II III IV V VI VII VIIIH 1

1,008He 2

4,002

Li 36,94

B 510,82

C 612,01

Ne 1020,18

Na 1122,99

Al 1326,97

Si 1428,06

P 1531,02

S 1632,06

Ar 1839,94

Ga31

69,72

Ge 3272,6

As 3374,91

Cd 48112,41

In 49114,76

Sb 51121,76

Akzeptoren Donatoren


Kap 3, Folie 4


Wozu benötigt man „Dotierung“?

• Einstellen der Leitfähigkeit im Halbleiter in weiten Grenzen• Aufbau eines pn-Überganges• Herstellen eines elektrischen Kontaktes

Wozu benötigt man einen pn-Übergang?

• zur Gleichrichtung des Stromes (Diode)• zur gegenseitigen Isolation von monolithisch integrierten Bauelementen (im IC)• zur Vermeidung/Verringerung von Leckströmen (im IC)• zur Steuerung des Stromes (im Bipolartransistor)


Kap 3, Folie 5


Welche Anforderungen werden an eine Dotierung im Halbleiter gestellt ?

• hoher Grad an Homogenität über die HL- Wafer und von Wafer zu Wafer• Reproduzierbarkeit der Parameter (von Charge zu Charge)• hoher Grad an Reinheit der Dotierstoffe

(Vermeidung von unerwünschten Elementen)• Schonung des Kristallgitter• vorhersagbare, mit technologischen Mitteln einstellbare Leitfähigkeit• akkurat einstellbare Schichtparameter (Profil, Tiefe)• möglichst geringe Beeinflussung der Schichtparameter durch nachfolgende

Technologieschritte (Temperatur)• Kompatibilität zu anderen Schichtmaterialien (Ausdiffusion)


Kap 3, Folie 6


Welche Verfahren gibt es?

• Legieren• Diffusion• Ionenimplantation• Kernumwandlung


Kap 3, Folie 7


Diffusion: Fick‘sche Gesetze

dxdNDJ −=

xJ

tN

∂∂

−=∂∂

1. Fick‘sches Gesetz

2. Fick‘sches Gesetz

Mit: J = Flussdichte in 1/cm² AsN = Konzentration in 1/cm³D = Diffusionskonstante in cm²/s


Kap 3, Folie 8


Legieren: Beispiel Ge-In System

Quelle: I. Ruge, H. MaderHalbleitertechnologie, Serie Halbleiterelektronik Serie 4Springer Verlag


Kap 3, Folie 9


Diffusion: bei unterschiedlichen Randbedingungen

Diffusion aus unerschöpflicher Quellez.B. im Reaktor bei konstantem Gasdruck

Diffusion aus erschöpflicher Quellez.B. aus dotierter Oberflächenschicht (Zwei-Schritt-Verfahren)

Verlauf der Dotierung an einer Konzentrationsstufez.B. Grenzschicht zweier dotierter Schichten

Diffusionsprofil bei Oxidation der Oberflächez.B. bei thermischer Oxidation der Si-Oberfläche

Flussbegrenzung durch Kristalloberflächez.B. Begrenzung des Materialflusses durch Kristalloberfläche

Ausdiffusionz.B. Dotierstoffe verlassen Kristall in den Gasraum


Kap 3, Folie 10


Diffusion: Diffusionskonstanten in monokristallinem Si

Dotierstoffe (Schwer-) Metalle, Sauerstoff


Kap 3, Folie 11


Diffusion: praktische Durchführung

• Ampullendiffusion: Closed Tube Verfahrenz.B. Herstellung von Thyristoren: Eindiffusion von Ga

• Durchström-Verfahren: Open Tube Verfahrengängigstes Verfahren, weil ...

einfache BeschickungMehrfach-Diffusion in einem Prozessgang möglichbeste ReproduzierbarkeitSteuerung der Oberflächenkonzentration

• Film-Verfahren: Paint-On VerfahrenDotiermaterial wird direkt auf die Oberfläche aufgetragen

elektrolyt. Abscheidung, Vakuumbedampfung, Aufsputtern, CVD

Reaktionen im Temperaturbereich zw. 800°C und 1250°C


Kap 3, Folie 12



Beispiel: Durchströmverfahren

a) Feste Quelleb) Flüssige Quellec) Gasförmige Quelle



Kap 3, Folie 13



Forderungen an den Diffusionsprozess

• Homogenität des Diffusionsprozessesüber die Scheibenoberflächeinnerhalb einer Charge

• SauberkeitVermeidung unerwünschter Dotierungen

• Schonung des Kristallsgeringe Versetzungsdichteungestörte Oberflächekeine Bedeckung durch unlösliche Niederschläge

• Steuerbarkeit der SchichtparameterDiffusionstiefe, Oberflächenkonzentration

• Reproduzierbarkeit der Parameter


Kap 3, Folie 14


Diffusion: Wahl der Dotierstoffe

Hinsichtlich: Größe der Diffusionskonstantenmaximaler FestkörperlöslichkeitMaskierung durch eine Oxidschicht

Feststoffe bei Zimmertemperatur Temperaturen zur Erzeugung der benötigten Dampfdrücke

Boroxid B2O3 600 bis 1200°C

Element. roter Phosphor P 200 bis 300°C

Phosphorpentoxid P2O5 200 bis 700°C

Ammonium Monophoshat NH4H2PO4 500 bis 700°C

Arsentrioxid As2O3 500 bis 700°C

Antimontrioxid Sb2O3 500 bis 700°C

Antimontetraoxid Sb2O4 500 bis 700°C

Gase bei Zimmertemperatur Temperaturen zur Erzeugung der benötigten Dampfdrücke

Bortrichlorid BCl3 Zimmertemperatur

Diboran B2H6 Zimmertemperatur

Bortrifluorid BF3 Zimmertemperatur

Phosphin PH3 Zimmertemperatur

Phosphortrifluorid PF3 Zimmertemperatur

Arsin AsH3 Zimmertemperatur

Arsentriflurorid AsF3 Zimmertemperatur


Kap 3, Folie 15


Diffusion: Getterung

Einsammeln von Metallen in unschädlichen Bereichen, Schichten

• GetterschichtenPhosphor- und Silikatglasschichten

• Bereiche hoher FehlstellendichteLäppen der Si-Wafer RückseiteDislocation Sponge

• Elektron – Loch GleichgewichtseffektLöslichkeit von Metallen nimmt mit der Donatorkonzentration zu


Kap 3, Folie 16


Diffusion: einige praktische Probleme

• ungleicher Dampfdruck des Dotierstoffes• unkontrollierte Eindiffusion durch Oxidniederschläge• unregelmäßiger Silikatglasbelag infolge Feuchtigkeitsspuren• Bildung unlöslicher Niederschläge• Verminderung der Kristallqualität• lange Erwärmungszeiten auf über 1000°C• gering einzubringende Atomanzahl• On-line Kontrolle nur schwer durchführbar• Berechnung des Konzentrationsverlaufes nur schwer durchführbar• Diffusionskonstante nicht isotrop• Diffusionskonstante i.a. abhängig von der Versetzungsdichte

und der Grunddotierung


Kap 3, Folie 17


Ionenimplantation: Überblick

• Einschuss ionisierter Dotieratome mit Hilfe eines Teilchenbeschleunigers

• Charakterisierung der Dotier-Eigenschaften

• Eindringverhalten der Ionen

• Anzahl der eingebrachten Ionen

• Restaurierung des Kristallgitters


Kap 3, Folie 18


Ionenimplantation: Implanter

Quelle: S. M. SzeVLSI Technology, John Wiley&Sons


Kap 3, Folie 19



Ad 1: gasförmige Quelle (BF3 oder AsH3)ventilgesteuerter Gasfluss zur Ionenquelle

Ad 2: Spannungsversorgung zur Ionisation des Gases

Ad 3: Extraktion und Fokussierung des IonenstrahlsIonen: +As75, +B11, +BF2

49

Druck: ~ 10-4 Pa (>10-6 Torr )Potenzial der Quelle: 3 ... 800kV

Ad 4: Massenseparator

Ad 5: Beschleunigungskammer

Ad 6: Sägezahngenerator, X-Y Scan

Ad 7: Target Kammer


Kap 3, Folie 20





Kap 3, Folie 21


Ionenimplantation: unerwünschte Effekte

• Ladungsaustausch

• Sekundärelektronen

• Absputtern von der Blende

• Absputtern vom Target

• Oberflächenkontamination

• elektrische Aufladung (z.B. von isolierenden Schichten)

Stören Dosis und Gleichförmigkeit


Kap 3, Folie 22


Ionenimplantation: Einflüsse auf Medium

• amorphes MediumIon erleidet Streuung im MediumWeg charakterisiert durch: totaler Weg R

projected range RPstatistische Reichweitenstreuung )RPsenkrecht z. Einfallsrichtung )R⊥ (lateral struggle)

Gauss‘scher Verlauf des Profils

• mono-kristallines SubstratChannellingGauss‘scher Verlauf des ProfilsStrahlenschädenRestaurierung des Kristallgitters

Unterscheidung nach Art des Mediums (Substrates)


Kap 3, Folie 23





Kap 3, Folie 24




Einfluss des „lateral struggle“an einer Maskenkante


Kap 3, Folie 25




Profilverlauf in mono-kristallinemMedium in Abhängigkeit von derIonen-Einfall-Energie


Kap 3, Folie 26





Kap 3, Folie 27



Strahlenschädenschwere bzw. leichte Ionen verursachen unterschiedliche Strahlenschäden

RestaurierungAusheilen der Strahlenschädenelektrische Aktivierung des implantierten Ionspraktische Durchführung

• Leerstellen• Versetzungen• Amorphisierung


Kap 3, Folie 28


Ionenimplantation: Bewertung

• sehr genau einstellbare Dotierungskonzentration

• Einstellbarkeit des Dotierungsprofils über Einschussenergie und Dosis

• steilere Profilflanken möglich als bei Diffusion

• einfache Maskierung (Fotolack, Oxid, Metalle ...)

• Implantationsvorgang schneller als Diffusion (t in sec ... min)

• hohe Reinheit des Implantats


Kap 3, Folie 29


Kernumwandlung: physikalischer Vorgang

Silizium-Isotope: 28Si, 29Si, 30Si

nach Bestrahlung mit thermischen Neutronen:→ 29Si, 30Si, 31Si : davon sind 29Si, 30Si stabil

31Si ist radioaktiv, nach $-Zerfall entsteht 31P30Si (n,() 31Si 31P + $-

2,6 h

wg kurzer Halbwertzeit von 31Si ist Radioaktivität nach 3 Tagen abgeklungen32P hat wesentlich kürzere Halbwertzeit


Kap 3, Folie 30


Kernumwandlung: physikalischer Vorgang

Erzielbare Si-MengeVerweildauer in Reaktor

Erzielbare HomogenitätDer Dotierung



Kap 3, Folie 31


Abschließende Bewertung

Diffusion

• thermisch bedingter Ausgleichsvorgang

• abhängig von der Chemie (Löslichkeiten von Stoffen)

• Dotierungsprofile haben zwangsläufig Maximum an der Oberfläche

• nur Gauss- oder erf-Profil möglich

• eingeengte Variationsmöglichkeiten (hins. Tiefe und Gesamtkonzentration)

• steigende Störstellenkonzentration bei Umdotierungen

• Anzahl der Umdotierungen begrenzt (wg. Löslichkeit)

• hohe Temperaturbelastung

• lange Prozeßdauer


Kap 3, Folie 32



Ionenimplantation

• Einschuss von Teilchen → Nichtgleichgewichtsprozess

• Reichweite, Anzahl d. eingeschossenen Ionen, Temper-Zyklenbestimmen Dotierung, Profil u. Aktivierung

• Maximum des Profils (Gauss) im Inneren möglich

• fast jede Profilform einstellbar, auch Doppelprofile

• steilere Profile erzielbar, da mit niedrigeren Temperaturen gearbeitet wird

• laterale Profilverteilung kleiner

• Überlagerung mehrerer Profile ohne Umdotierung (Mehrfach-Implantation)

• hohe Reinheit der Dotierung durch Massenseparator

• hohe Homogenität der Dotierung über Si-Scheibe

• wirtschaftliches Verfahren


Kap 3, Folie 33



Kernumwandlung

• nach Neutronenbeschuss Umwandlung von Si in P

• nur n-Dotierung möglich

• extreme Homogenität des Si- Einkristalls erzielbar

• Dotierung ist nicht selektiv, keine Profile herstellbar

• sehr teuer, nur für Spezialanwendungen geeignet


Kap 3, Folie 34


How many Ion Implant Steps does a DRAM have?

Quelle: 3. Dresdner Sommerschule MikroelektronikDr. Ruf, Dr. Glawischnik, Infineon Technologies


Kap 3, Folie 35

3 Chipherstellung: Schichten

• Isolierschichten

• Epitaxie

• Chemical Vapor Deposition (CVD)

• Kathodenzerstäubung (Sputtern)

• LOCOS (Local Oxide on Silicon)

• andere Materialien

Übersicht


Kap 3, Folie 36


Isolierschichten: Übersicht

Schichtmaterial:

Zweck:

Verfahren:

• Silizium-Dioxid (SiO2)• Silizium-Nitrid (Si3N4)

• Maske für örtlich gezielte Dotierung• Dielektrikum• Passivierung

• thermische Oxidation• CVD – Techniken• Sputtern (Kathodenstrahlzerstäubung)


Kap 3, Folie 37


Isolierschichten: thermische Oxidation

Quelle:Dr. J.-U. Sachse, Infineon Technologies AG3. Dresdner Sommerschule Mikroelektronik 2002


Kap 3, Folie 38





Kap 3, Folie 39



Trockene Oxidation

nasse (Dampf-) Oxidation

Reaktion: Sifest + O2 gasf. → SiO2 fest Eigenschaft: wächst langsamer

höhere Dichtehöhere Durchbruchfeldstärke

Reaktion: Sifest + 2H 2O → SiO 2 fest + 2H 2

Reaktionsgleichungen und Eigenschaften


Kap 3, Folie 40




Erzielbare Schichtdicken als Funktion der Oxidationszeit


Kap 3, Folie 41


Isolierschichten: thermische Oxidation, Oxidationsofen



Kap 3, Folie 42


Isolierschichten: thermische Oxidation, RTP-Anlage



Kap 3, Folie 43


Isolierschichten: thermische Oxidation, Vergleich



Kap 3, Folie 44


Isolierschichten: Verwendung von Oxidschichten

Dünne Oxide ( 5 ... 100 nm)

• Schutzschicht, Diffusionsbarriere, Streuoxid• Anpassungsschicht• Gate-Oxid

Dicke Oxide (100 nm ... 1 µm)

• Feldoxid, Isolation• Dielektrikum


Kap 3, Folie 45


Isolierschichten: Verwendung von Oxidschichten



Kap 3, Folie 46


Epitaxie: Übersicht

Einkristalline Schichten aus der Gasphase (Gasphasenepitaxie)

• herstellbare Schichten: Si und GaAs• Schichtdicken: 1µm bis 100µm

Einkristalline Schichten aus der Flüssigphase (Flüssigphasenepitaxie)

Molekularstrahlepitaxie (MBE)

• herstellbare Schichten: fast nur III/V-Halbleiter (GaAs)• Schichtdicken: einige µm

• herstellbare Schichten: überwiegend III/V-Halbleiter (GaAs), Superlattices• Schichtdicken: einige Atomlagen


Kap 3, Folie 47


Epitaxie: Gasphasenepitaxie

Siliziumtetrachlorid-Epitaxie:SiCl4 + H2 SiCl2 + 2 HCl

2SiCl2 Si + SiCl4

Silian-Epitaxie:

2SiH4 2Si + 2H2

Temperatur des Arbeitspunktes: 1150°C .. 1250°C

Temperatur des Arbeitspunktes: 600°C .. 1000°C


Kap 3, Folie 48



Siliziumtetrachlorid-Epitaxie:

• Reaktion reversibelSchichtwachstum und Abtragung möglich

• Abtragung, wenn HCl-Anteil überwiegt→ Gasätzung

• auch polykristallines Wachstum möglich• gleichzeitige Dotierung (Diboran, Phosphin)• Ausdiffusion vom Substrate

wg hoher Wachstumstemperatur


Kap 3, Folie 49



Silian-Epitaxie:

• keine ätzende Reaktion• Reaktion weitgehend irreversibel• deutlich niedrigere Prozesstemperatur• einkristallines Wachstum auch auf anderen Substraten möglich

(Saphir, Spinell, SiO2 ) (Heteroepitaxie)• bei nicht einkristallinem Substrat: polykristallines Wachstum• Silan ist sehr gefährlich• Silan-Epitaxie findet breite Anwendung


Kap 3, Folie 50


Weitere Schichttechnologien: Klassifizierung

Quelle: 3. Dresdner Sommerschule MikroelektronikDr. Jens Hahn, Infineon Technologies

Epitaxie


Kap 3, Folie 51


Weitere Schichttechnologien: Klassifizierung

Quelle: 3. Dresdner Sommerschule MikroelektronikDr. Mirko Vogt, Infineon Technologies


Kap 3, Folie 52


Chemical Vapor Deposition (CVD)

Verfahren basiert auf thermischer Zersetzung chem. Verbindungen ...Substratoberfläche zeigt katalytische Wirkung

Verschiedene technische Verfahren bekannt:• Plasma-Enhanced CVD (PE-CVD)• Low-Pressure CVD (LP-CVD)• Physical Vapor Deposition (PCD)

... oder läuft in einem Plasmaprozess abGlimmentladungRF Entladung

Herstellbare Schichten:• Silizium-Dioxid• Siliziumnitrid• Polysilizium

• Metalle (W, Al, Cu)• Silizide


Kap 3, Folie 53


Chemical Vapor Deposition (CVD)



Kap 3, Folie 54


Chemical Vapor Deposition (CVD): Groth Rate Limitations



Kap 3, Folie 55


Chemical Vapor Deposition (CVD): Anwendungen



Kap 3, Folie 56





Kap 3, Folie 57





Kap 3, Folie 58


Chemical Vapor Deposition (CVD): Equipment



Kap 3, Folie 59


Chemical Vapor Deposition (CVD): Equipment



Kap 3, Folie 60


Kathodenstrahlzerstäubung (Sputtern)



Kap 3, Folie 61


Kathodenstrahlzerstäubung (Sputtern)

Inertes (passives) Sputtern• Abzuscheidendes Material liegt als Targetmaterial vor • Trägergas: Ar• zerstäubtes Targetmaterial schlägt sich Moleküllagen-weise auf Substrat nieder

Reaktives Sputtern• chemische Reaktion zwischen zerstäubtem Material und Molekülen im Gasraum• Trägergas (Ar) und Reaktionsgas• z.B. Al als Target-Material, O2 als Reaktionsgas, Schicht: Al2O3

Technische Realisierung: RF-Sputtern• im Hochfrequenzfeld (13,56 MHz) entsteht Plasma• nach der Zündung entstehen mehr Elektronen als Ionen• Ionen folgen nicht dem HF-Feld, treffen beschleunigt auf Target• sowohl elektrisch leitende oder isolierende Target-Materialien möglich


Kap 3, Folie 62


Local Oxide on Silicon (LOCOS)

Quelle: J. A. AppelsPhilips Res. Rep. 25, p. 118, 1970 a) b) c)

a) „partly countersunk oxid into the silicon“

b) „flat LOCOC Structure“

c) „mesa structure“


Kap 3, Folie 63


Local Oxide on Silicon (LOCOS): Bipolartransistor

Quelle: J. A. AppelsPhilips Res. Rep. 26, p. 166, 1971

• Si-Inseln von SiO2 umgeben• flache Oberflächen erreichbar• auf SiO2 lassen sich weitere Strukturen bauen• Verringerung der Kapazitäten• Grundstruktur für Bipolartransistoren und FET‘s• Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit


Kap 3, Folie 64

3 Chipherstellung: Strukturierung

Fotolithographie

• Grundlagen der Fotolithographie• Lack-Technologie• Projektionsbelichtung

Ätztechnologien

• nass-chemische Ätzen• reaktives Ätzen (RIE)


Kap 3, Folie 65


Fotolithographie: Übersicht

Lacktechniken• single/multilayer resist• resist processing

Belichtung• Stepper Prinzip• optisches Konzept• Lichtquellen

Masken


Kap 3, Folie 66



Quelle: 4. Dresdner Sommerschule Mikroelektronik, 2003Dr. Markus Dilger, AMTC GmbH & Co, KG


Kap 3, Folie 67



Quelle: 3. Dresdner Sommerschule Mikroelektronik, 2002Thomas Zell, Infineon Technologies


Kap 3, Folie 68





Kap 3, Folie 69




FotolackZu strukturierende Schicht

Wafer

Maske


Kap 3, Folie 70


Fotolithographie: Fotolack-Typen



Kap 3, Folie 71


Fotolithographie: Fotolack-Prozessführung


Increases resist adhesion

spinning on resist film

stabilizes resist film

stabilizes resist film

Allows diffusion of photoactive compounds

structurization of the resist

Increases etch resistitity


Kap 3, Folie 72


Fotolithographie: Fotolack-Prozessführung


Temperature Control : "0,2°C

Humidity Control: "0,5%

During resist processing:


Kap 3, Folie 73


Fotolithographie: Fotolack-Eigenschaften



Kap 3, Folie 74


Fotolithographie: Fotolack-Interferenzphänomene



Kap 3, Folie 75


Fotolithographie: Fotolack -Interferenzphänomene



Kap 3, Folie 76


Fotolithographie: Maskenherstellung

Quelle: 4. Dresdner Sommerschule Mikroelektronik, 2003Dr. Markus Dilger, AMTC GmbH


Kap 3, Folie 77


Fotolithographie: Maskenherstellung



Kap 3, Folie 78


Fotolithographie: Belichtung


verkleinernde Abbildung des Maskenbildes


Kap 3, Folie 79





Kap 3, Folie 80





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Kap 3, Folie 83





Kap 3, Folie 84





Kap 3, Folie 85





Kap 3, Folie 86


Fotolithographie: Abbildungsfehler



Kap 3, Folie 87


Fotolithographie: Abbildungsfehler



Kap 3, Folie 88


Fotolithographie: Belichtungsmaschine



Kap 3, Folie 89


Ätztechnologien: Übersicht

Unterscheide:

• isotropes Ätzen - anisotropes Ätzen• nass-chemisches Ätzen - Trockenätzen

Trockenätzen kann anisotrop sowie isotrop durchgeführt werdenmit Methoden des reaktiven Ionenätzens durchgeführt

Nasschemisches Ätzen wirkt i.a. isotrop


Kap 3, Folie 90


Ätztechnologien: Nasschemische Ätzen



Kap 3, Folie 91


Ätztechnologien: Dry Etch

Quelle: 3. Dresdner Sommerschule Mikroelektronik, 2002Stephan Wege, Infineon Technologies


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Kap 3, Folie 95





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Kap 3, Folie 97





Kap 3, Folie 98





Kap 3, Folie 99





Kap 3, Folie 100

3 Chipherstellung: Produktivität

Quelle: Thomas Leitermann, Infineon Technologies

How to handle Hydra: Productivity increase


Kap 3, Folie 101



How to handle Hydra: fundamental departments


Kap 3, Folie 102



How to handle Hydra: who works in production


Kap 3, Folie 103



How to handle Hydra: shift model


Kap 3, Folie 104



How to handle Hydra: training


Kap 3, Folie 105



How to handle Hydra: training elements


Kap 3, Folie 106



How to handle Hydra: fab facilities


Kap 3, Folie 107



How to handle Hydra: SMIF Concept


Kap 3, Folie 108



How to handle Hydra: Open versus SMIF


Kap 3, Folie 109



How to handle Hydra: CR Concept


Kap 3, Folie 110



How to handle Hydra: CR Operating Data


Kap 3, Folie 111



How to handle Hydra: Wafer Transport System


Kap 3, Folie 112



How to handle Hydra: Wafer Transport System cont‘d


Kap 3, Folie 113



How to handle Hydra: 300mm Wafer Transport System


Kap 3, Folie 114


Quelle: Uwe Gäbler, Infineon Technologies AG

Design for Manufactoring: from idea to chip


Kap 3, Folie 115



Design for Manufactoring: Yield


Kap 3, Folie 116



Design for Manufactoring: Benchmark


Kap 3, Folie 117



Design for Manufactoring: Yield Learning


Kap 3, Folie 118



Design for Manufactoring: Product coast vs lifetime


Kap 3, Folie 119



Design for Manufactoring: Yield potential


Kap 3, Folie 120



Design for Manufactoring: key activities

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Mikroelektronik – zwischen Wirtschaftlichkeit und Technik