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Grundlagen der Mikroskopie Eine stark vereinfachte populärwissenschaftliche Darstellung Prof. Dr. - Ing. habil. L. Spieß

Grundlagen der Mikroskopie - Startseite TU Ilmenau · Auflösungsvermögen des Auges Menschliches Auge hat bei 25 cm Sehweite ein Auflösungsvermögen von zwei benachbarten Punkten

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Grundlagen der Mikroskopie

Eine stark vereinfachte populärwissenschaftliche Darstellung

Prof. Dr.-Ing. habil. L. Spieß

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Auflösungsvermögen des Auges

Menschliches Auge hat bei 25 cm Sehweite ein Auflösungsvermögen von zwei benachbarten Punkten von 1 Minute (Winkel), d.h. bestenfalls 0,07mm (70 µm)

Vergrößerung bedeutet Vergrößerung des Sehwinkels

Vergrößerung im LichtmikroskopVMikroskop=VObjektiv*VOkular

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Auflösungsvermögen

Auflösungsvermögen bei gerader BeleuchtungABBE´sche Gleichungλ=400...800 nm

Förderliche VergrößerungV=500*AObj ... 1000*Aobj

Lichtmikroskop amin.=300 nm

αλλ

sinmin nAa

Obj

==

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Vergrößerung und Apertur eines Objektives

V=5x

A=0,13

Vges=50x

V=20x

A=0,4

Vges=200x

V=10x

A=0,20

Vges=100x

V=50x

A=0,70

Vges=500x

Okular: V=10x

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Vergrößerung und Apertur eines Objektives -förderliche Vergrößerung

V=5x

A=0,13

V/A=3846

V=20x

A=0,4

V/A=1250

V=10x

A=0,20

V/A=2500

V=50x

A=0,70

V/A=714

alle Teilbilder auf V=500 x vergrößert

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Elektronenmikroskopie

De Broigle Wellenlänge eines beschleunigten Elektrons

AeeUmh

2=λ

0 200 400 600 800 10000

10

20

30

40

50

Beschleunigungsspannung [kV]

Fehl

erni

chtre

lativ

istis

che

Ges

chw

indi

gkei

t[%

]

0,002

0,004

0,006

0,008

0,010

Wellenlänge

[nm]

Fehler in %

200 kV

λ=2,508 pm

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Elektronenmikroskop

ca. 1932 Ruska und Ardenne erste Elektronenmikroskope gebaut, sogenannte Transmissionselek-tronenmikroskopeDurchstrahlung dünnster Objekte mit Dicke d [nm]= UA[kV]-50

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Strahlengangbeim Licht-mikroskopund Trans-missions-elektronen-mikroskop

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Kathode und Probenhalter TEM

nur sehr kleine Bereiche untersuchbar

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Transmissionselektronenmikroskop

Auflösung bis 0,1 nm,

Vergrößerung bis zu 1 Million

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Atomare Auflösung im TEM

5 nm5 nm

nm

500

520

540

0 1 2nm

0.374 nmSiO2

Silicon

ROI-FFT and inverse FFT

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Rasterelektronenmikroskop

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Rasterelektronenmikroskop ca. seit 1963 Nutzung von Sekundärelektronen sehr hohe Tiefenschärfe V= 10x ... 400000x meist leitfähige Probe notwendig

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Rasterelektronenmikroskop Beschleunigungsspannung bis 30 kV,

Auflösung bis ca. 3 nm

Zinnkugeln

Goldpartikel

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Beispiele aus der Biologie Fliege

Menschliche Haare

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Beispiele aus der Biologie

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Beispiele aus der Materialwissenschaft Schneide eines Hartmetallfräsers und Struktur des

Wolframcarbides

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Oberflächen von Werkstoffen

Zink-PhosphatschichtReineisenoberfläche

Nitrierte StahloberflächeKeramikoberfläche