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Hochauflösendes Rasterelektronenmikroskop MIRA 3 XMU (TESCAN, Brno, Tschechien) Allgemeine Informationen: § Feldemissionskathode § Große Probenkammer § Hoch- und Niedrigvakuum-Modus möglich Detektoren: § Abbildende Detektoren § Sekundärelektronen (SE)-Detektor § InBeam-SE-Detektor § Rückstreuelektronen (BSE)-Detektor § Transmissionselektronen (TE)-Detektor § Low-Vakuum SE (LVSTD)-Detektor § Analytische Detektoren § EDAX-TSL Pegasus – TEM EDX & EBSD APOLLO X SDD 10 mm², < 129 eV Zusätzliche Einrichtungen: § In situ Verformungsmodule (Kammrath&Weiss) Kenndaten: Feldemissionskathode: Schottky-Feldemitter Auflösung: § Hochvakuum-Modus § Sekundärelektronen (SE)- Detektor: 1.2 nm bei 30 kV 2.5 nm bei 3 kV § In-Beam SE-Detektor: 1.0 nm bei 30 kV 2.0 nm bei 3 kV § Transmissionselektronen (TE)-Detektor: 0.8 nm bei 30 kV § Rückstreuelektronen (BSE)-Detektor: 2 nm bei 30 kV § Niedrig-Vakuum-Modus § LVSTD-Detektor: 1.5 nm bei 30 kV 3 nm bei 3 kV Vergrößerung: 1-fach bis 1.000.000-fach Maximales Sichtfeld: 20 mm bei Arbeitsabstand 30 mm Beschleunigungsspannung: 200 V bis 30 kV Strahlstrom: 2 pA bis 200 nA Elektronenoptik Arbeitsmodi: Resolution – Hochauflösungsmodus Depth – Modus mit erhöhter Tiefenschärfe Field – Vergrößertes, verzerrungsfreies Sichtfeld Wide Field – Extra großes, verzerrungsfreies Sichtfeld bei kleinst möglicher Vergrößerung Channelling – Erzeugung von Electron channelling pattern (ECP) Vakuumsystem: § Kammer Vakuum: Hoch-Vakuum Modus: < 5 × 10 -4 Pa Niedrig-Vakuum Modus: 7 – 500 Pa § Kathoden-Vakuum: < 3 × 10 -7 Pa § Pumpzeiten nach Probenwechsel: < 3.5 min Kammer: 300 × 300 × 330 mm (Türöffnung: 280 × 330 mm) Aktive Schwinungsdämpfung Probentisch: compuzentrisch, vollmotorisiert X = 130 mm (–50 mm to +80 mm); Y = 130 mm (–65 mm to +65 mm); Z = 100 mm Rotation: 360° kontinuierlich Tilt: –30° bis +90°

Hochauflösendes Rasterelektronenmikroskop MIRA 3 XMU ... · Focal Plane Array Spektralbereich: 7.5 – 14 µm Geometrische Auflösung: 640 × 480 IR-Pixel (1280 × 920 IR-Pixel)

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Page 1: Hochauflösendes Rasterelektronenmikroskop MIRA 3 XMU ... · Focal Plane Array Spektralbereich: 7.5 – 14 µm Geometrische Auflösung: 640 × 480 IR-Pixel (1280 × 920 IR-Pixel)

HochauflösendesRasterelektronenmikroskopMIRA3XMU(TESCAN,Brno,Tschechien)

AllgemeineInformationen:§ Feldemissionskathode§ GroßeProbenkammer§ Hoch-undNiedrigvakuum-Modusmöglich

Detektoren:§ AbbildendeDetektoren

§ Sekundärelektronen(SE)-Detektor§ InBeam-SE-Detektor§ Rückstreuelektronen(BSE)-Detektor§ Transmissionselektronen(TE)-Detektor§ Low-VakuumSE(LVSTD)-Detektor

§ AnalytischeDetektoren§ EDAX-TSLPegasus–TEMEDX&EBSD

APOLLOXSDD10mm²,<129eV

ZusätzlicheEinrichtungen:§ InsituVerformungsmodule(Kammrath&Weiss)

Kenndaten:• Feldemissionskathode:Schottky-Feldemitter• Auflösung:

§ Hochvakuum-Modus§ Sekundärelektronen(SE)-Detektor: 1.2nmbei30kV

2.5nmbei3kV§ In-BeamSE-Detektor: 1.0nmbei30kV

2.0nmbei3kV§ Transmissionselektronen(TE)-Detektor: 0.8nmbei30kV§ Rückstreuelektronen(BSE)-Detektor: 2nmbei30kV

§ Niedrig-Vakuum-Modus§ LVSTD-Detektor: 1.5nmbei30kV

3nmbei3kV

• Vergrößerung: 1-fachbis1.000.000-fach• MaximalesSichtfeld:20mmbeiArbeitsabstand30mm• Beschleunigungsspannung:200Vbis30kV• Strahlstrom:2pAbis200nA• ElektronenoptikArbeitsmodi:Resolution–Hochauflösungsmodus

Depth–ModusmiterhöhterTiefenschärfeField–Vergrößertes,verzerrungsfreiesSichtfeldWideField–Extragroßes,verzerrungsfreiesSichtfeldbeikleinstmöglicherVergrößerungChannelling–ErzeugungvonElectronchannellingpattern(ECP)

• Vakuumsystem:§ KammerVakuum: Hoch-VakuumModus:<5×10-4Pa

Niedrig-VakuumModus:7–500Pa§ Kathoden-Vakuum: <3×10-7Pa§ PumpzeitennachProbenwechsel:<3.5min

• Kammer: 300×300×330mm(Türöffnung:280×330mm)AktiveSchwinungsdämpfung

• Probentisch: compuzentrisch,vollmotorisiertX=130mm(–50mmto+80mm);Y=130mm(–65mmto+65mm);Z=100mmRotation:360°kontinuierlichTilt:–30°bis+90°

Page 2: Hochauflösendes Rasterelektronenmikroskop MIRA 3 XMU ... · Focal Plane Array Spektralbereich: 7.5 – 14 µm Geometrische Auflösung: 640 × 480 IR-Pixel (1280 × 920 IR-Pixel)

InsituPrüfungenimRasterelektronenmikroskopZug/Druck-Verformungsmodul(Kammrath&Weiss):Kenndaten: ±10kNKraftmessbereich ±6mmVerfahrweg(Zug/Druck)

bzw.12mmmax.VerfahrweginZug max.20µm/sMotorgeschwindigkeit Steuerungseinheit,Steuerungscomputer SoftwarezurVersuchsdurchführungundDatenerfassungProbengeometrie: Flachproben L×B×H:50×10×3mmZusatzeinrichtungen: Extensometer Probenheizung(max.800°C)inkl.Kühlsystem Temperiereinheit(+100°Cbis-100°C) Thermoelement AdapterfürEBSD-MessungenBiege-Modul(Kammrath&Weiss):Kenndaten: ±200NKraftmessbereich 0–5mmBiegeweg 0.5bis150µm/sMotorgeschwindigkeit Steuerungseinheit,Steuerungscomputer SoftwarezurVersuchsdurchführungund

Datenerfassung 3-Punkt-BiegungProbengeometrie: Flachproben L×B×H:40-50×10×4mmZusatzeinrichtungen: AdapterfürEBSD-MessungenBesonderheit: WahlweiseDraufsichtbzw.SchnittansichtderProbemöglich

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InsituCharakterisierungmittelsInfrarot-Thermographie

Infrarot-ThermokameraVarioCam®HRhead(Infratec,Dresden)

Kenndaten: Detektortyp: ungekühlterMikrobolometer FocalPlaneArray

Spektralbereich: 7.5–14µm GeometrischeAuflösung:640×480IR-Pixel (1280×920IR-Pixel) ThermischeAuflösung: 0.03K(bei30°C) Temperaturmessbereich: -40°Cbis1200°C Bildfrequenz: 60Hz Messgenauigkeit. ±1°C Bildfeld: Normalobjektiv: 30×23pxl(Brennweite30mm) Mikroskopobjektiv: 16×12pxl(Pixelgröße25µm) A/D-Wandlung: 16bit Schnittstellen: Firewire

InsituCharakterisierungmittelsSchallemission

2SchallemissionssystemevonPhysicalAcoustics

Kenndaten: 2-Kanal-AEBoard(PCI-2) PC-System AEWinSoftware Oszilloskop Vorverstärker AE-Sensoren Breitbandsensoren: WD(100–900kHz,-65°Cbis140°C)

Pico(200–750kHz,-65°Cbis140°C) Hochtemperatur-Sensor: D9215(50–650kHz,-200°Cbis540°)