Literatur

H. Schaumburg (Hrsg.) "Werkstoffe und Bauelemente der Elektrotechnik"

Verlag B. G. Teubner, Stuttgart

[0.1] Band 1: "Werkstoffe", (1990)

[0.2] Band 2: "Halbleiter", (1991)

[0.3] Band 3: "Sensoren", (1992)

[004] Band 4: "Quanten" * [0.5] Band 5: "Keramik", (1993)

[0.6] Band 6: "Polymere", (1993)

[0.7] Band 7: "Datenspeicherung" * [0.8] Band 8: "Sensoranwendungen" (1993)

[0.9] Band 9: "Bipolare integrierte Schaltungen" * [0.10] Band 10: "Metalle" * [0.11] Band 11: "Physik" * [0.12] Band 12: "Integrierte MOS-Schaltungen" *

Abschnitt 1

* in Vorbereitung

[1.1] M. Aionso und E. J. Finn, "Physik", 2. Auflage, Addison-Wesley Publishing Company, Bonn, München, Reading, Mass., Menio Park, Ca., New York, Don Mills, Ontario, Wokingham, England, Amsterdam, Sydney, Singapore, Tokyo, Madrid, San Juan (1988)

M. Aionso und E. J. Finn, "Quantenphysik", 2. Auflage, Addison-Wesley Pu­blishing Company, Bonn, München, Reading, Mass., Menio Park, Ca., New York, Don Mills, Ontario, Wokingham, England, Amsterdam, Sydney, Singa­pore, Tokyo, Madrid, San Juan (1988)

220 Literatur

[1.2] C. E. Mortimer, "Chemie", Georg-Thieme-Verlag, Stuttgart (1976)

[1.3] C. J. Smithells (ed.), "Metals Reference Handbook", 6th ed., Butterworth London, (1983)

[1.4] P. M. Miller, "Chemistry: Structures and Dynamics", McGraw-Hill, New York, St. Louis, San"Francisco, Toronto, London, Sydney, 185 (1984)

[1.5] R. E. Dickerson und I. Geis, "Chemie", VCH-Verlagsgesellschaft, Weinheim (1986)

[1.6] P. Haasen, "Physikalische Metallkunde", 2. Aufl., Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo (1984)

Abschnitt 2

[2.1] M.F. Ashby und D.R.H. lones, "Ingenieur-Werkstoffe", Springer-Verlag Ber­lin Heidelberg New York Tokyo (1986)

[2.2] E. Hombogen, "Werkstoffe", Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo (1983)

[2.3] W. F. Smith, "Principles of Materials Science and Engineering", McGraw­Hill, New Y ork, St. Louis, San Francisco, Toronto, London, Sydney (1986)

[2.4] W. v. Münch, "Elektrische und magnetische Eigenschaften der Materie", B. G. Teubner, Stuttgart (1987)

W. v. Münch, "Werkstoffe der Elektrotechnik", 6. Aufl., B.G. Teubner, Stuff­gart (1989)

[2.5] l. P. Hirth und 1. Lothe, "Theory of Dislocations", McGraw-Hill, New York, St. Louis, San Francisco, Toronto, London, Sydney (1968)

[2.6J D. R. Askeland, "The Science and Engineering of Materials", Van Nostrand Reinhold International, (1988)

[2.7] P. Guillery, R. Hezel und B. Reppich, "Werkstoffkunde für Elektroingenieu­re", Vieweg, Braunschweig-Wiesbaden (1983)

[2.8] C. Kittel, "Einführung in die Festkörperphysik", 6. Aufl, Oldenbourg-Verlag München (1983)

[2.9] K. Nitzsche und H. J. Ullrich, "Funktionswerkstoffe", Dr. Alfred Hüthig Ver­lag, Heidelberg, (1986)

[2.10] F. P. MisselI llnd B. B. Schwartz, "Sllpercondllcting Materiais" . in M. Gray­son (Hrsg.) "Encyclopedia of Semicondllctor Technology". 1. Wiley & Sons, New York-Chichestcr-Brisbane-Toronto-Singapore (1984)

Literatur 221

Abschnitt 3

[3.1] H. Reichl, "Hybridintegration", Hüthig-Verlag Heidelberg (1986)

H. Reichl, "AVT für die Sensorik" in "Technologietrends in der Sensorik", Untersuchung im Auftrag des Bundesministeriums für Forschung und Tech­nologie, VDINDE Technologiezentrum Informationstechnik GmbH(1988)

[3.2] S.M. Sze, " Semiconductor Devices, Physics and Technology", J. Wiley & Sons, New York-Chichester-Brisbane-Toronto-Singapore (1984)

[3.3] D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich, "Technologie integrierter Schaltun­gen", Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo (1988) .

Abschnitt 4

[4.1] Landolt-Bömstein, "Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaft und Technik", lIl, 17a-c, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo (1984)

[4.2] M.B. Prince, "Drift Mobility in Semiconductors I, Germanium", Phys.Rev. 120,1951 (1960)

[4.3] W.F. Beadle, J. c.c. Tsai und RD. Plummer, "Quick Reference Manual for Semiconductor Engineers", J. Wiley & Sons, New York-Chichester-Brisba­ne-Toronto-Singapore, (1985)

[4.4] R Paul, "Elektronische Halbleiterbauelemente", B.G. Teubner Stuttgart (1989)

[4.5] J. Binder, "Piezoresistive Silizium-Drucksensoren", in H.Reichl (Hrsg.) "Halbleitersensoren", expert verlag, Ehningen bei Böblingen, 147 (1989)

W. Germer und G. Kowalski, "Drucksensoren mit integrierter Auswerteelek­tronik für einen Einsatz unter erschwerten Umweltbedingungen", Poster-Ses­sion zur 3. Fachtagung "Sensoren", Bad Nauheim, 4 (1986)

[4.6] H. P. Baltes, L. Andor, A. Nathan und H.G. Schmidt-Weinmar, IEEE Trans. Electron. Devices ED-31, 996 (1984)

[4.7] U. v. Borcke, "Hall-Effekt und Widerstandseffekt", in A. Lacroix, T. Motz, R Paul, C. Reuber (Hrsg.),"Handbuch der Informationstechnik und Elektronik", Band 8, C. Reuber (Hrsg.), "Sensoren und Wandlerbauelemente", Dr. Alfred Hüthig Verlag Heidelberg (1989)

[4.8] "Sensoren", Herausgeber Philips Components Untemehmensbereich Bauele­mente, Verlag Boysen und Maasch, Hamburg (1980)

222 Literatur

Abschnitt5

[5.1] D. Sautter und H. Weinerth, "Elektronik und Mikroelektronik", VOl-Verlag Düsseldorf (1990)

[5.2] W. D. Kingery, H. K. Bowen und D. R. Uhlmann, "Introduction to Cera­mics", J. Wiley & Sons, New York-Chichester-Brisbane-Toront~ingapore (1976)

[5.3] K. H. Martini, "Piezoelektrische und piezoresistive DruckmeBverfahren", in K. W. Bonfig, Bartz, Wolf (Hrsg.), "Technische Druck- und Kraftmessung", expert-Verlag, Ehingen (1988)

Abschnitt6

[6.1] R. E. Dickerson und I. Geis, "Chemie", VCH-Verlagsgesellschaft, Weinheim (1986)

[6.2] G. Arlt, "Werkstoffe der Elektrotechnik", RWTH Aachen (1989)

[6.3] "Kunststoffe - Werkstoffe für die 90er Jahre", Kunststoffe 80, 1069 (1990)

[6.4] Unterlagen der Firma Bayer AG, Leverkusen

Abschnitt 8

[8.1] J. Koch und K. Ruschmeyer, "Permanentmagnete", Broschüre der Firma Phil­ips Components, Verlag Boysen und Maasch, Hamburg (1983)

AnhangA Dimensionen und Formelzeichen

SI-Einheiten Als Dimensionen werden die vom International System of Units (SI) zugelassenen verwendet:

Länge

Masse

Zeit

elektrischer Strom

thermodynamische Temperatur

Materialmenge

Lichtintensität

m (Meter)

kg (Kilogramm)

s oder sec (Sekunde)

A (Ampere)

K (Kelvin)

Mol

cd (Candela)

Für die Energie ergibt sich die zusammengesetzte Einheit:

1 J (Joule) = 1 N·m = 1 kg·m2js2 = 1 W·s

mit der zusammengesetzten Einheit für die Kraft:

1 N (Newton) = 1 kg·mls2

Wegen der speziellen Bedeutung in der Physik und Elektrotechnik ist weiterhin als Dimension für die Energie zugelassen:

eV (Elektronenvolt), wobei gilt:

1 J = 6,2421·1018eV, 1 eV = 1,602.10-19 J

Die Temperaturangabe kann in °C (Grad Celsius) erfolgen, wobei gilt:

IOC = IK + 273,2K

Auf dem Gebiet der Halbleiterphysik erfolgt in der älteren Literatur häufig noch eine Längenangabe in cm (Zentimeter).

224 Anhang A: Formelzeichen und Dimensionen

Weiterhin werden die folgenden zusammengesetzten GröBen verwendet:

Präfixe:

Beispiel:

Leistung

elektrische Spannung

elektrische Ladung

Kapazität

mechanische Spannung

magnetischer~uB

magnetische InduktionsfluBdichte

Multiplikationsfaktor Präfix

1018 exa 1015 peta 1012 tera 109 giga 106 mega 103 kilo 102 hecto 10 deka

10-1 dezi 10-2 centi 10-3 milli 10-6 mikro 10-9 nano 10-12 pico 10-15 femto 10-18 atto

1 MPa = 106 N/m2 = 1 N/mm2

Mit der Erdbeschleunigung g = 9,81 rnIs2 gilt:

1 W (Watt) = 1 Jls = 1 V·A

1 V (Volt) = 1 WIA

1 C (Coulomb) = 1 A·s

1 F (Farad) = 1 eN

1 Pa= 1 N/m2

1 Wh (Weber) = 1 V·s

1 T (Tesla) = 11 V·s/m2

Symbol

E P T G M k h da

d c m )l

n p f a

9,81 MPa = I g·kg/mm2= lkp/mm2= 100 at

Anhang A: Formelzeichen und Dimensionen 225

(kp ist die früher verwendete Krafteinheit Kilopond, at die technische Atmosphäre als Druckeinheit). In der angelsächsischen Fachliteratur wird auch noch die Einheit psi (pound per square inch) verwendet:

1000 psi = 6,89 MPa

Früher verwende Dimensionen :

Länge

Kraft

Druck

Energie

Leistung

ViskosÏtät

1 A (Angström) = 1O-10m

1 Lichtjahr = 9,461·1015m

1 mil (tausendestel Inch) = 2,54·1O-5m

1 kp = lkg·9,81 mls2= 9,81 N

1 dyn = 10-5N

1 atm (Atmosphäre) = 760 mrn Hg = 760 Torr

= 1,033 kp/cm2= 0,1013 MPa

1 Torr = 133,3 Pa

1 kp/mm2 = 9,81 N/mm2= 9,81 MPa

1 bar = 0,1 MPa

1 mbar = 1 hPa (Hektopascal)

1 psi (pound per square inch) = 6,895·103Pa

1 Btu (international) = 1,055·103J

1 cal (Kalorie) = 4,185 J

1 e VIAtom'" 96 kJlMol '" 23 kcallMol

1 kWh (Kilowattstunde) = 3,6 MJ

1 PS (Pferdestärke) = 0,745 kW

1 Poise = 0,1 Pa·s

magnetische Feldstärke 1 Oe (Oerstedt) = 79,58 Alm

magnetische Induktions- 1 G (GauB) = 10-4 T fluBdichte

226 Anhang A: Formelzeichen und Dimensionen

Formelzeichen

Formelzeichen Dimension Bedeutung

a m Gitterabstand

8(x,y,z) m Basisvektor im Gitter (in x,y,z-Richtung)

A m2 Fläche

A 1 Anisotropieverhältnis

B,B m2/eV s magn. InduktionsfluSdichte

B m2/eV s (thermodyn.) Ladungsträgerbeweglichkeit

c m Gitterparameter im hexagonalen Gitter

c % Fremdatomkonzentration in Atomprozent

C F Kapazität

CF F/m2 Kapazität pro Fläche

c1h Ws/K Wärmekapazität

d m Breite, Abstand

d C.m Dipolmoment

D m2/s Diffusionskoeffizient

E,Ë Vlm elektrische Feldstärke

E Pa Elastizitätsmodul

F eV freie Energie

Fchem N chemische Kraft auf ein Teilchen

G lIm3s Erzeugungs- oder Generationsrate

G1h J/s·K Wärmeableitungskoeffizient

g lIm reziproker Gittervektor

I A elektrischer Strom

j Nm2 elektrische Gesamtstromdichte

jn Nm2 elektrische Stromdichte für Elektronen

jp Nm2 elektrische Stromdichte für Löcher

F I/m2s Teilchenstromdichte ·T ln lIm2s Teilchenstromdichte für Elektronen ·T lp lIm2s Teilchenstromdichte für Löcher

k Boltzmann-Konstante, s. Anhang B

ï m Vektor einer Atomposition im Gitter (Gittervektor)

m kg Teilchenmasse

Anhang A: Formelzeichen und Dimensionen 227

n 1 Anzahl der Fremdatome

N 1 Teilchenzahl, Gesamtzahl der Atome

Ne 1 Entmagnetisierungsfaktor

NL m-3 effektive Zustandsdichte des Leitungsbandes

Nv m-3 effektive Zustandsdichte des Valenzbandes

p p-Ieitender (mit Akzcptoren dotierter) Halbleiter p+ stark p-dotierter Halbleiter p- schwach p-dotierter Halbleiter p As/m2 elektrische Polarisation p W Leistung

Q As elektrische Ladung

ilQ J,eV (zugeführte) Wärmemenge

R Q elektrischer Widerstand

Rth KJW Wärmewiderstand

S eV/K Entropie

s Zeit

T K,oe Temperatur

U V elektrische Spannung

Ua V angelegte äuJ3ere elektrische Spannung

UT V Einsatzspannung

W eV gesamte Energie weid eV Feldenergie pro Teilchen

WB eV Energiebarriere

WD eV Energie eines Donatorniveaus

WF eV Fermienergie = chemisches Potential von Elektronen

Wg eV Bandabstand

Wi eV Energie der Bandmitte zw. Valenz- und Leitungsband

Wkin eV kinetische Energie pro Teilchen

Wp01 eV potentielIe Energie pro Teilchen

WL eV Energie der Leitungsbandkante

Wv eV Energie der Valenzbandkante

Wvak eV Vakuumenergie

x,y,Z,r m Länge, Ort

xB m Ort einer Barriere

228 Anhang A: Formelzeichen und Dimensionen

(Jspn

(Js/

(JQ

(JQn

(JQp

r

<a>

m

m

11K

1

1

m2Ns

m2Ns

V

11m3

11m3

11m3

11m3

11m3

11m3

Qm

A s/m3

11m2

lIQm

lIQm

A s/m2

A s/m2

A s/m2

s

s

s

s

Breite der Raumladungszone in einem n-Halbleiter

Breite der Raumladungszone in einem p-Halbleiter

Temperaturkoeffizient

Inkrement

Verlustwinkel

relative Dielektrizitätskonstante

(elektrische) Elektronenbeweglichkeit

(elektrische) Löcherbeweglichkeit

elektrisches Potential

Volumendichte (Menge pro Volumen)

Akzeptorendichte pro Volumen

Donatorendichte pro Volumen

intrinsische Ladungsträgerdichte

Tei1chen-, Elektronendichte pro Volumen

Löcherdichte pro Volumen

spezifischer Widerstand

Volumen-Ladungsdichte

Flächendichte (Menge pro Fläche)

spezifische Leitfáhigkeit für Elektronen

spezifische Leitfähigkeit für Löcher

Flächen-Ladungsdichte

Elektronen-Flächen-Ladungsdichte

Löcher-Flächen-Ladungsdichte

Relaxationszeit, Abklingzeit, Lebensdauer

Minoritätsträgerlebendauer für Elektronen

Minoritätsträgerlebendauer für Löcher

mittlere Stojjzeit

Mittelwert der GröBe a

Nabla - Operator, angewendet auf eine Variabie a: Va =

da dX da dy da dz

Anhang B: Naturkonstanten 229

Laplace - Operator, angewendet auf eine Variabie a:

2 a2a a2a a2a Lla=Va=-+-+-ax2 ay2 az 2

Andere Verwendung von d: Inkrement (z.B. ist dQ die Zunahme der Wärme)

Doppelpunkt: a: = b bedeutet, daB a durch die bekannte GröBe b definiert wird.

AnhangB Naturkonstanten

Loschmidt-Zahl L 6,022·1023/mol

Boltzmannkonstante k 1,381·1O-23W·s/K = 8,62034.10-5 eV/K

Ladung des Elektrons Iql 1,602·1O-19As

Ruhemasse des freien Elektrons mo 9, 108· 1O-31kg

Influenzkonstante Eo 8,854.10-12 A ·s/(V·m)

Lichtgeschwindigkeit c 2,998·108m1s

Plancksches Wirkungsquantum h 6,626.10-34 W·s2 = 4,13539·1O-15eV·s

Zusammengesetzte Grö8en:

EJlql 5,5268107/(V·m)

kT bei Raumtemperatur (T= 300 K) 25,861·1O-3eV = 25,861 meV

Iql/mo 1,758.1011 As/kg = 1,758.1011 m2/(s2·V)

~~lev =4,19.105m mo s

(1)

C Teilchenbewegung und Teilchenstrom

Cl Ballistische Bewegung einzelner Ladungen

Wir betrachten die Bewegung einzelner geladener Tei1chen (z. B. Elektronen) in ei­nern Plattenkondensator rnit dern Plattenabstand d, wobei das Dielektrikurn zwi­schen den Platten aus dern Vakuurn oder einern (schwach) leitfàhigen Werkstoff be­steht. Bild Cl zeigt die Ortsabhängigkeit der elektrischen und rnechanischen Kenn­gröBen für diesen Fall.

Spannung u.<p [Volt]

Metall ~ 0""'-_....1.-_-'-_--1. __ .1...-_ x -PolO d +Pol

elektrische Feldstärke E [V/cm]

o

-Eo f----~"-----1 -I~1

-Pol +Pol

Kraf! au! ein Elektron F [eV/cm]

F =-Iql E = Iql Ua d

= +Iql dU dx

-Pol

-- F,v

~O---------d+---X

+Pol

a)

b)

c)

Anbang C: Teilchenbewegung und Teilchenstrom 231

potentielIe Energie WL = Wpot, n [eVl pro Teilchen

F =_ dWL

dx

~ ________________ ~d~~x d)

} Gesamtenergie

konstant (Energieerhaltung)

dU =+Iql­

dx

} kinetische Energie

potentielle{ W kin, n Energie WL

-lqlUa '--___ --" ____ --'::w

-Pol

x ~ WL = -lqIU(x) = -lql,Ua'd

m 2 X Wkin, n = '2V- = +lqIU(x) = +lql.Ua,. d

Elektronen­Geschwindigkeit

v(x) = y2Iq~(X)

Y2IqIUJ.X) md

V [m/sek)

+Pol

e)

Bildel Ballistische Bewegung von Elektronen in einem Plattenkondensator. Dargestellt ist die Ortsabhängigkeit folgender GröBen:

a) elektrische Spannung U (= Differenz der elektrischen PotentiaIe 'P zwischen den Kondensatorplatten)

b) elektrische Feldstärke

c) Feldkraft auf die Elektronen

d) kinetische und potentielIe Energie pro Elektron e) Elektronengeschwindigkeit

Die Zeitabhängigkeit der Elektronengeschwindigkeit ergibt sich durch

F . dv =mv=m-

dt

=>V(t)=!F m

(Cl-I)

(Cl- 2)

232 Anhang C: Teilchenbewegung und Teilchenstrom

dx 1 v(t) = = -F·t

V(I=O) = 0 dt m

~x(t) = _1_F.t 2

V(I=O) = 0 2m

~2F.X ~ v(t)= --(CI-3,4) m

C2 Teilchenstromdichte

(Cl- 3)

(Cl- 4)

(Cl- 5)

Teilchen mit der Volumendichte p durchströmen mit der konstanten Geschwindig­keit v senkrecht eine Fläche A (Bild C2). In der Zeit t durchlaufen alle Teilchen, die sich in dem Quader mit dem Volumen (v· t)· A befinden, die Fläche A, das sind

N=p·(v·t)·A (C2 -1)

Teilchen. Die Teilchenstromdichte list die Anzahl der Teilchen, welche die Flä­che A in der Zeit t durchströmen, also

BildC2

.T N } =-=p·v t·A

dreidimensional: ;r = p . v

Teilchendichle p

0-- v. =:v

Teilchen­slromdichle

Fläche A

_-'-_______ -Y -----<.~ x

\,.,--- -----) V

Laufweg v· I der Teilchen in

der Zeil I

Modell zur Berechnung der Teilchenstromdichte

(C2 - 2)

(C2 - 3)

Anhang C: Tei1chenbewegung und Tei1chenstrom 233

C3 Kontinuitätsgleichung

Die Teilchenstromdichten, welche die Stirnflächen A in dem Modell in Bild C2 durchströmen, sind in Bild C3 gesondert dargestellt. Dabei wird zwischen den Stromdichten für hinein- und herausströmende Teilchen unterschieden. In der Zeit­spanne !!t ist die Differenz MV zwischen den Anzahlen herein(N(x»- und heraus­(N(x+Lix))-strömender Teilchen:

MV = N(x) - N(x + Lix)

= [jT (x) _ [jT (x) + !!x djT (X)]). k!!t Taylor-Entw. dx

djT (x) = ---!!x. k !!t

dx

(C3 -I)

(C3-2)

(C3-3)

(C3-4)

Die Teilchenzahländerung bewirkt eine Änderung der Teilchendichte im betrachte­ten Volumen:

Bilde3

MV !!p = -- (C3 - 5)

k!!x

j (x)- j(x+ x)-

/ /

F -r- r- F

V / 1... ____ --. ~--..... )

V x t

in der Zeil ;'.1 slrömen N(x) = j(x)·F· t

Teilchen durch die Fläche bei x

in der Zeil I strömen - N(x + x) = j(x + x) ·F

Teilchen aus der Fläche F heraus

Modell zur Berechnung der Kontinuitätsgleichung

x

234 Anhang C: Teilchenbewegung und Teilchenstrom

Damit ergibt sich als Teilchenzahländerung AN pro Volumen !!.x·A und Zeit At (Änderung der Teilchendichte rnit der Zeit):

AN Ap op. ojT !!.x. A . At (C3:'4,5) Tt .1~O at = P = - ox

(C3 - 6)

dreidimensional: IJ = - ~ + -y +-2L (O·T ojT O·T 1 ox oy oz

(C3 -7)

Diese Gleichungen werden als Kontinuitätsgleichungen bezeichnet und sind ty­pisch für Systeme, bei denen eine GröBe (in diesem Fall die Teilchenzahl) erhalten bleibt.

Index

0,2-Dehngrenze 51 Ammoniak 11

1. Ficksches Gesetz 72 amorphe Metallegierungen 207

2. Ficksches Gesetz 122 amorphe Phase 25

3d-Schale 190, 192 amorphe Struktur 148

amorphes Netzwerk 173

A amphoteres Verhalten 146

Abgleitgeschwindigkeit 51 Amplitudenpermeabilität 198

Abkühlen 30 anelastischer Bereich 52

Abkühlungsgeschwindigkeit 39 Anfangspermeabilität 198,215

AbkühlungsprozeB 148 angelegte Spannung 93

ABS 176,179 anharmonische Verzerrung 43

Abschirmtechnik 212 Anion 2,5,14

Abschirmung 207 anisotrop 18,22,104,205

Abschnürung des Kanals 133 Anisotropieenergie 196,199,200

Absorption 140, 143 Antiferromagnetismus 190, 191

abstoBende Kraft 41 Antifluoritgitter 14

Acrylnitril-Butadien- Antistatika 173 Styrol-Copolymerisate 176,179 anziehende Kraft 41

Additive 173 Äquipotentialflächen 138 AFK 186 Aramide 179 Aggregatzustand 8, 12 Aramidfaser 186 Aktivierungsenergie 30 aramidfaserverstärkter Kunststoff 186 Aktor 211 Argon 6 Aktuator 170,211 Atom Akustik 218 Atomabstand 10 Akzeptor 116, 125 Atomdurchmesser 4 Al20 3-Keramik 100 Atomkem I Alkaligläser 151, 154 Atommasse 4 AlkalimetalIe 8 Atomrumpf 16,71 allgemeine Gaskonstante 65 Atomschwingungen 65 Alnico-Legierungen 209,210,217 Ätzlösung 103 Aluminat 145 ÄtzprozeB 100, 103, 151 Aluminium 33 Ätzrate 104 Aluminiumnitrid 156 Aufdampfverfahren 103 Aluminiumoxidkeramik 155, 156 Aufheizung 167 Alumosilikatgläser 154

236 Index

Aufmagnetisierungskurve 205 Benetzung 105 Ausdehnungskoeffizient 149 Berylliumbronze 108 Ausgangskennlinienfeld 132 Beschleunigermagnet 82 Ausgangswiderstand 132 beschleunigte Bewegung 70 Auspuffgas 167 Bestrahlung 124 Ausscheidung 37,39,40,55,199 Beton 185 Ausscheidungsform 210 Betriebsspannung 158, 159 Ausscheidungshärtung 54,209 bewegliche Ladung 86 Ausscheidungsteilchen 39 Beweglichkeit 135,146 äuBerer Photoeffekt 139, 140, 141 Bewegungs-Energie 64

äuBere Spannung 126, 127 Bewegungsmelder 170 äuBere Stromquelle 126 Biegeumformen 98 A vogadro-Konstante 4 Bildungsenergie 39

Bildungsreaktion 172

B binäre Legierungen 32,36 Bindemittel 182

~-Messingphase 34 Bindungsarme 9,116 Ball-Bondverfahren 99 Bindungsenergie 11

Ballistische Bewegung 230 bipolarer Transistor 130,131 Band-Band-Übergang 141 Blasverfahren 175 Bandabstand 83, 141, 146 Blei 33 Bändermodell 75,120,121,143 Bleialkaligläser 151 Bandkante 126 Bleizirkonat -B leititanat 168, 169 Bandleitung liS Blends 173 Bandlücke 140 Blindwiderstand 93 Bandverlauf 125, 127 Blochwand 194,207 Bariumoxid-Titandioxid 145 Blochwandbeweglichkeit 196,199 Bariumtitanat 145,147,159,161,168 Blochwandbewegung 198,200 Barrierenhöhe 127,128, 129, 143 Blochwanddicke 194 Basis 130 Blochwandenergie 194,195 Basisebene 23 Blochwandverschiebung 195, 197 Basisspannung 130 Bohrsches Magneton 188,192 Basisstrom 130 Boltzmann-Konstante 30,65 basiszentrierte Struktur 21 Bond-Kontaktfläche 99 Basquin-Beziehung 60 Bondverfahren 99 Batteriegehäuse 178 Borate 151 Baue1emente 106,107 Boride 145 Bauelementsockel 152 Bomitrid-Tiegel lOl

Bauxit 155 Borosilikatgläser 154 bedingt zerstörungsfreie Brandschutz 165

Prüfverfahren 61 Bravais-Gitter 20 begrenzte Quelle 29 Bruch 56 ... 58

Bruchdehnung 51, 186

Bruchlastspielzahl 60 Bruchzähigkeit 60, 185, 186

Burgersvektor 47,49

Butan 171

C Cäsiumchlorid 13 CD-Platten 180

Cermets 185

CFK 185, 186

Chemikalienbeständigkeit 179

chemische Anziehungskräfte 9 chemische Ätzverfahren 104

chemische Bindung 8

chemische Reaktion 19

chemische Verbindung 7

Chemisorption 20

Chip 134

Chip-on-board-Technik 106

Chlor 8,9

Chloropren 172

Cobalt 191,202

Coble-Kriechen 57

Cordierit 154, 155

Curie-Temperatur 164,165,191, 195, 199,215

Cyclopentan 171

D Dampfdruck 101

Dauergebrauchstemperatur 181, 182

Dauermagnete 217,200

Debye-Länge 129 Defektelektronen 116

Dehngrenze 51

Dehnungsempfindlichkeit 113, 135

Desorption 20

diamagnetisch 189

Index 237

diamagnetischer Beitrag zur Suszeptibilität 188

Diamant 93

Diamantkristall 171

Diamantstruktur 15, 116

dichteste Kugelpackung 16, 17

dichteste Packung 16

Dichtungen 180

Dickfilmpaste 100

Dickschichtpaste 101,161

Dickschichtschaltung 100

Dickschichttechnik 100, 107, 109

Dickschichtverfahren 100

Dielektrika 157,183

Dielektrikum 87,91,162,168,170

dielektrischer Durchschlag

dielektrische Eigenschaften

dielektrische Keramiken

dielektrische Polarisation

dielektrische Suszeptibilität

dielektrischer Verlustfaktor

dielektrische Verschiebungsdichte

dielektrische Verluste

dielektrische Werkstoffe

Dielektrizitätskonstante

156

83

152

84, 89

88,90

156

90,91,168, 188

161

188

159, 183, 184

Dielektrizitätszahl 158,160 ... 162,180

diffundierte pn-Diode 131

Diffusion 26,39,40, 115, 151

Diffusion durch das Kom 57

Diffusion entlang der Korngrenze 57

Diffusionsanteil 124

Diffusionskraft 122, 167

Diffusionskriechen 56

Diffusionslänge 129

Diffusionsmechanismen 27

Diffusionsmodell 129

Diffusionsstromdichte 72

Diffusionsstrom 122

Diffusionstiefe 29

Diode 116, 129

Dipolflächenladungsdichte 88

238 Index

Dipolmoment 85,86,159 Dünnschichtteclmik 76, 100, 107, 109, 130, 133

Dipoloberflächenladung 89 Dünnschichtverfahren 103

Dipolvolumenladungsdichte 86,89 DurchfluBrichtung 127

Dipolvolumenladungsschicht 89 DurchlaBstrom 127, 129

Dispersionshärtung 54 Durchschlagfeldstärke 83,84,182

Dissoziation 11,20 Durchschlagfestigkeit 83, 178, 184

DMS 116, 136 Durchstecktechnik 109

Domäne 195 ... 197 Duromer 174, 177, 182

Donator 116 Durornermatrix 186

Doppelbindung 171

Doppeloperationsverstärker 134

Dotierung 115,134 E Dotierungsatome 116,117,119,125 €-Messing 34

Dotierungskonzentration 118, 162 easy glide 52

Draht 202 Edelgas 6, 71

Draht -Bondtechniken 107 EdelmetalIe 106

Draht -Bondverfahren 99 effektive Zustandsdichten 120

Draht-SchweiBverfahren 99 Eichfähigkeit 110

Drahtbonden 99,106 Eichfáhigkeit 163

Drahtlacke 178, 182 einachsige Kompression 44,47

Drahtummantelungen 177,180 Einbrennen der Paste 100

Drahtwendel 111 Einbruchsicherung 170

Drahtwiderstand 208 eindimensionaler Gitterfehler 49

Drahtziehen 98 Eindringtiefe 29

Drain 132 Einfachbindung 171

Drain-Elektrode 132 eingeschobene Ha1bebene 48,49

Drainspannung 133 Einheitszelle 20, 192

Drehmoment 43,85,86 Einsatzspannung 132

DrehprozeB 195,197 Einsatztemperatur 112

Dreistoff-Legierung 36 Einschnürung 51,57,58

Dreistoffdiagramm 216 Einstein-Beziehung 122

Driftbeweglichkeit 117 Einzelverdrahtung 100

Driftgeschwindigkeit 70, 72 Eis 33

Drosselventil 102 Eisbad 112

Druckmembran 136 Eisen 4,191,202,204

Drucksensor 136 Eisenblech 205

Drucksensorgehäuse 136 elastisch deformierter Körper 42

Druckversuch 49,50 elastische Verformung 41,47,52,116

duktiler Werkstoff 55,58, 186 elastische Verzerrung 42,43

Dunkelraum 102 elastische Dehnung 116

dünne Schicht 74 elastische Konstante 43

Dünnschichtsensor lil elastischer Modul 43

Elastizitätsmodul

Elastomer

44,60,177

41, 108, 174, 177, 183

elektrisch neutraI 2 elektrische Eigenschaften 70

elektrische Feldstärke 231

elektrische Leitfáhigkeit 76, 93, 115

elektrische Polarisation 86, 88, 169

elektrische Spannung 73, 167,231

elektrische Stromdichte 72, 121, 122, 123

elektrischer Widerstand

elektrischer Dipol elektrische Feldstärke

elektrische Leitfáhigkeit

elektrische Polarisation

elektrisches Potential

elektrischer Durchschlag

elektrischer Strom

Elektrode

elektrolytische Leitfáhigkeit Elektrolytkondensatoren

elektromotorische Kraft Elektron-Loch-Paar

Elektron-Loch-Paarerzeugung

Elektronegativität

Elektron

Elektronenbahn

Elektronendichte

73, 74, 77

85 83, 143

96,100

85,89

121, 143

83 73

167

167

158 143

124, 143

123 8,9

1,72,73

137

118

Elektronengas 16,71,74, 115, 119

Elektronengeschwindigkeit 231

ElektronenhülIe 5,86

Elektronenkonfiguration 5, 190, 192

Elektronenkonzentration 126

elektronenleitender Werkstoff 74

Elektronenleitung 70,117,138

ElektronenschaIe 190

Elektronensee 16

Elektronenspin 9 Elektronenstrahl 101

Elektronenstrom 122

Elektronenübergang 125

Elektronenwolke 10,11

Elektronik 81

elektronische Polarisation Elementarladung

Elemente ElementhaIbleiter

Elementwerkstoffe

Emission

Emitter-Basisspannung

Emitterstrom

EMK

Endgruppen Energiebänder

Index 239

86 ... 88

15

25

141

131

130

143

172 75, 76

Energiebarriere 127 ... 129,130,140,195

Energiefreisetzungsrate

Energieniveau

Energiespeicher

Energietechnik

Energiezustand Entfestigung

entrnagnetisierendes Feld

Entmagnetisierungsfaktor

Entrnagnetisierungskurve

Entsorgung Entstörung

EP

59,60 2, 75, 76

81

81

2 52

209

209

208 173, 178

159

177

172 Epoxid

Epoxidharz

Erdmagnetfeld

Erholung

ErmüdungsriB

100, 177, 178, 182, 186

212

52

62

Ermüdungsversuch 61

ErsatzschaItbild 203

Erschöpfungsbereich 119

Erweichungspunkt 149

Erweichungstemperatur 182

Erzeugungsrate 123

Ethylen 172

Eutektikum 40

eutektische Konzentration 33

eutektische Temperatur 33,38,40

eutektisches Zustandsdiagrarnm 32,33,97

eutektisches Gefüge 40

eutektoid-eutektoides Zustandsdiagramm 34

240 Index

eutektoid-peritektoides Zustandsdiagramm 34 Festelektrolyt-Sensor 167

extrinsische Absorption 140 fester Aggregatzustand 12

Extrudieren 175 feste Dipolladung 87

Festkörperdiffusion 26

F Festkörperoberfläche 19, 198

Festkörperphase 197

Farbe der Strahlung 140 Festkörperzustand 12

Farbstoffe 173 Feststoffelektrolyt 74, 166, 167

Fasem 185 Feuchtesensor 183

FaserriB 186 Filter 159

fee 18 Flächenladung 86, 169

Federkontakte 108 flächenzentrierte Struktur 21

Federkörper 116 Flammschutzmittel 173

Federwerkstoff 108 FlieBgrenze 51,52, 185

feine Dispersion 40 Fluoritgitter 14

Feldanteil 124 Fluorpolymere 176

Feldenergie 208 flüssige Phase 30

Feldkraft 10,70, 120,231 flüssiger Aggregatzustand 12

Feldplatte 139 Flüssigphase 148

Feldplatten-Magnetsensor 139 FluBkennlinie 130

Feldspat 154 FluBlinie 79

Feldstärke 121 FluBspannung 129

Feldstrom 120, 122 FluBstrom 127

Feldstromdichte 72, 120 Flux -gate-Verfahren 213

Fermienergie 76, 112, 119, 120, 122, Folie 168 124, 126, 127, 142, 143 Folienkondensator 158, 183, 184

ferrimagnetisch 188 ... 190 Folientechnologie 116 ferrimagnet. Keramikwerkstoffe 215 Formanisotropie 202,209 ferrimagnetische Ordnung 192 Forsterit 154, 155 Ferrimagnetismus 191 freie isolierte Ladung 70 Ferrite 145,192,215 freie Ladungsträger 119 Ferroelektrika 85 Fremdatom 26,55,134,148,198 ferroelektrisch 159, 169 Fremdatomkonzentration 97 ferroelektrische Keramik 168 Fremdphase 198 ferroelektrischer Werkstoff 87 Frenkel-Defekt 26 ferromagnetisch 188 ... 190 Frequenzabhängigkeit der ferromagnetisches Metall 191 elektrischen Polarisation 88

ferromagnetische Werkstoff 159,193,194 Frequenzabhängigkeit der Polarisation 86

Ferromagnetismus 191 Fritten 147

Fertigungstechnik 98, 144 Füllstoff 173

feste Lösung 26 Fusionsmagnet 82

feste Phase 30

G GaAs 93 Gadolinium 202 Galliumarsenid 117 galvanische Trennung 83 galvanischer Effekt 143 Gase 84 gasförmig 12 Gasplasma 102 Gassensorik 166 Gaszünder 170 Gate 132 Gate-Metall 132 Gateelektrode 132 Gatespannung 132 GauBsche Glockenkurve 28 gebundene Ladung 86 Gefügestruktur 202 Gehäuse 177,179,180 gemeinsame Elektronenwolke 9 Generationsrate 124 Generator 81, 82 geometrischer magnetoresistiver Effekt 139 gerichtete Ausscheidung 209 Germanate 151 Germanium 15,31 Gesamtmagnetisierung 198,202 gesättigte Polyester 176 gesteuerte Energiebarriere 132 getaktetes Schaltnetzteil 216,217 Gewichtsverringerung 217 GFK 185, 186 GieBharze 182 Gitter-Leerstelle 26 Gitterdiffusion 56 Gitterfehler 94, 196, 198, 199 Gitterfehlerstruktur 110 Gitterinhomogenitäten 198 Gitterkonstante 68 Gitterperiodizität 38 Gitterschwingung 66

Index 241

Glas 47,83,93,144,148,154,173 Glasblasen 152 Glasfaserleiter ISO

Glasfaser 185 glasfaserverstärkter Kunststoff 185, 186 Glasfaserverstärkung 178 Glasfritte 100 Glasgehäuse III

glaskugelverstärkte Polymere 185 Glasphase 154 Glassorten 149 Glastemperatur 173, 176, 177 Glasübergangstemperatur 174 Glaszustand 25, 174 Gleichgewichtsabstand 11 Gleichgewichtsdiagramm 32 Gleichgewichtsphase 40 Gleichrichter 127 Gleichrichterwirkung 129 Gleitebene 47,48 Gleitmittel 173 Gleitstufe 47 .. .49 Gleitvermögen

Glimmer

Glühkathode

Gold

Goss-Textur

Gradient

Gradientenfaser

Granat

Graphit

GrenzfIächenenergie

grobe Dispersion

GröBe der Atome

Gummi gummiartige Polymere

H Haftstellen

Haftvermittler

Halbleiter

179 93, 158

101 31,99

205,206 122 ISO 215 93 39 40 5

41 177

196 173

76,77, ll5, 121

242 Index

Halbleiter-DehnungsmeBstreifen

Halbleiter-Drucksensor

Halbleiter-Magnetfeldsensor

Halbleiter-Metall-Übergang

Halbleiter-PTC-Widerstand

Halbleiterbauelemente

Halbleiterchip

Halbleiterkristall

Halbleiterlaser

Halbleiter Silizium

Halbleiterscheiben

Halbleitersensoren

Halbleitertechnologie

136 135 137 129 135

118,124 133

133,134 140, 141

75 101 134 130

124, 126, 135 Halbleiterübergänge

Halbleiterwerkstoffe

Halbmetall

55,115,134,136,141 77

Hallbauelement

Halleffekt

Hallfeld

Hallkoeffizient

Hallspannung

Halogene

Halogenlampe

harte Kugeln

Härte nach Brinell

Härte nach Knoop

Härte nach Rockwell

Härte nach Vickers

Härteeindruck

Härtemessung

Härteskala

Hartferrite

Hartlot

139 137,138 137,138

138 138

8 181

11 62 62 62 62 62 62 63

214,217 105

196,201,203,208,213 Hartmagnete

hartmagnetisch

hartmagnetischer Werkstoff

Hartmetall

Hartpapier

Härtung

Harze

Hauptgleitebene

hcp

199 201,203,209

185 182 209 177

51 18

hdp

HDPE

Hebelgesetz

HeiBleiter

HeiBpressen

Heizleiter

Heizleitermaterialien

Heizleiterwerkstoffe

Heizschicht

Heizwendel

Helium

Herstellungsverfahren

heterogene Ausscheidung

heterovalent

Hexaferrit

hexagonal dichteste Kugelpackung

hexagonal dichtgepackt

hexagonale Struktur

hexagonale Ferrite

hexagonale Symmetrie

HF-Kabel

Hindernisse

Hochfrequenzanregung

Hochfrequenzantenne

Hochleistungskabel

hochpermeabler Werkstoff

Hochspannungstechnik

Hochtemperatur-Supraleiter

Hochtemperaturthermoplaste

hohe Temperaturen

Hohlraurnresonatoren

Holz

homogene Ausscheidung

homogener Halbleiter

homogener Werkstoff

18 178

35,38 163 156

108,109 109,110

109 165

101,165 6

131 39 14

217 18 18

21, 199 216

16 178 52

102 81 81

203,207 154 82

181 12 81

185 39

135 72

Hooke'sches Gesetz

Hopping-Leitung

52, 113, 116

Hundsche Regel

Hybridorbitale

Hybridschaltung

Hydrolysebeständigkeit

hydrostatische Kompression

115, 163 190

15 107 180 45

hydrostatischer Druck

Hysterese

Hysteresekurven

45 111,208

198,200,201,205

Hysteresekurven weichmagnetischer Werkstoffe 197

Hystereseverluste 207

I idealer Kondensator

Imprägnieren

Imprägnierungen

Impulsdrahtsensoren

InduktionsfluBdichte

Induktionsspule Induktionsverstärkung

Induktivität

induzierte Polarisation

Infrarottechnik

95 183

182

213

194,203,208 203,204,212

211 203,204,204

85 170

inkohärent 40

inkohärente Ausscheidungen 54

innerer Photoeffekt 139, 140

integrierte Schaltung 116, 129, 133

integrierter Temperatursensor

interatomare Kraft

intergranulare Ausscheidung

intermediäre Phase

intrinsischer Bereich

intrinsische Absorption

intrinsischer Halbleiterwerkstoff

intrinsischer Isolatorwerkstoff

Inversionschicht

Ionen

ionenimplantierte Diode

Ionenkristall

ionenleitende Kerarnik

ionenleitende Sensoren

lonenleiter lonenleitfáhigkeit

lonenleitung

lonenradius

lonenstrahlätzen

112

41 148

34

119

140

115

115

132 2,74, 104

131

192

168

166

74

166

70, 166

6,7

104

Index 243

ionische Bindung 2,9

ionische Polarisation 86 ... 88

Isolation 178

Isolationsschicht 106

Isolationswiderstand 156

Isolator 76,77,83,152

Isolatorkeramik 83

Isolatorwerkstoff 84

isolierende Schicht 183 Isolierfolie 181

Isolierstoff 176

Isopentan 171

Isotope 1

isotopes Hookesches Gesetz 44

isotrop 104 isotrope elastische Konstanten 46

isotrope Elastizitätstheorie 43

Isotropie 18

J Joulesche Wärme 109

K Kabelummantelung 177, 180, 183

Kadmium-Schwefel-Selen-Verbindungen 142

Kadmium-Verbindungen 142

Kaltleiter 165

Kaolin 154

Kapazität 92, 157, 158, 184

Kapazitäts-Variationsdiode 127

Kappenisolator 155

Karbid 145

Katalysator 20

katalytische Reaktion 172

Kathode 102

Kathodenfall 102

Kathodenzerstäubung 103

Kation 2,5,14

~-Faktor 113

Keil-Bondverfahren 99

244 Index

Keimbildung 38 Kollektorspannung 130,132

Keim 38 Kollektorstrom 130,132

Keimwachstum 38 kombiniertes Zustandsdiagramm 34

Keramik 45,55,144,185 Komplement der GauBschen Fehlerfunktion29

Keramik -Legierungen 147 Kompressionsmodul 45

Keramikgehäuse 111 Kondensator 91,157,181

Keramiksubstrat 100 Kondensatorkeramik 83

keramische Hartmagnete 217 Konnektor 108

keramische Isolatoren 154 Kontakt 106

keramische Kondensatoren 158 Kontaktierung 106

keramische Magnetwerkstoffe 215 Kontaktschicht 106,138

keramische Sensoren 162, 165 Kontaktwerkstoff 106

keramische Weichmagnete 215 Kontaktwiderstand 106

keramische Werkstoffe 115, 144, 162 Kontinuitätsgleichung 122,233,234

keramischer Schmelztiegel 101 Kontinuitätsgleichungen für Halbleiter 123

keramischer Supraleiter 78,80 Koordinationszahl 18

keramisches Werkstoffgefüge 148 Kopplung 159

keramische Verbindungen 144 Kömer 86

keramisches Mikrofon 170 Komgrenzen 37,38,38,54

Kerbschlagversuch 64 Komgrenzendiffusion 56

Kemkräfte 1 Komgrenzeneigenschaften 162

Kemspin 188 Komgrenzenphasen 148

Kemspinresonanz 81 Komorientierung 206

Kettenaufbau 173 Korrosionsbeständigkeit 102

kfz 18 Korrosionseinflüsse 110

Kfz-Technik 212 Korund 144

kinetische Energie 64,231 Korundstruktur 14

Klebemitte\ 177 kovalente Bindung 9,11,116,171

Klebstoffe 182 Kraft -Dehnungs-Kurve 50

Kobalt 204,205 Kraftaufnehmer 169

Koerzitivfeldstärke 199,204,213,217 Kraftsensor 50, 169, 170

Koerzitivkraft 197,201,202 Kriechkurve 56

kohärent 39 Kriechmechanismen 57

kohärente Ausscheidungen 54 Kriechstromfestigkeit 178

Kohlendioxid 11 Kriechverhalten 181

Kohlenstoff 145 Kriechversuch 55

kohlenstoffaserverstärkter Kunststoff 186 Kristallanisotropie 196,209,211

Kohlenstoffatom 4,171 Kristallebene 23

koh1enstoffverstärke Kunststoffe 185 Kristallfehler 198

Kohlenwasserstoffkette 171,172 Kristallgefüge 197

Kolben 154 kristallin 25

Kollektor-Basis-Spannung 130 kristallines Netzwerk 173

Kristallkörner 38

Kristallorientierung 38

Kristallrichtung 23 Kristallstruktur 12, 14, 19,20,94, 160

kritische Magnetfelder 82

kritische RiBlänge 59

kritische Stromdichte 80

kritische Feldstärke 79, 80 krz 18

kubisch flächenzentriert 18 kubisch flächenzentrierte KristalIe 27

kubisch raumzentrierte Struktur 18

kubische Struktur 18

kubische Symmetrie 193

kubische Spine11e 216

Kugeln 185

Kunstharz 83

Kunststoffbatterien 180

Kunststoffe 45 Kunststoffolienkondensatoren 184

Kupferdraht 100

KurzschluBstreifen 139

L À-Sonde

Lackentwicklung

Ladungs-Doppelschicht

Ladungsschwerpunkt

74, 167

103

167

169

Ladungsträger 115, 128

Ladungsträgerbeweglichkeit 74,83, 115, 117, 122, 146, 163

Ladungsträgerbeweglichkeit für Elektronen 70

Ladungsträgerdichte 74,83, 122, 163

Ladungsträgerdichte am Ort der Barriere 128

Ladungsträgerkonzentration

Ladungstransport

Ladungszustand Lambdasonde

Lamelle

Lampenkolben

Lastspielzahl

135 70

7

168

38

156

60

Index 245

Lautsprecher 218

Lawinendurchbruch 156

Lawinenmultiplikation 83

LDPE 178

LEDs 140

Leerstellendiffusion 27

Legierung 25,93

Legierungsbestandteile 37

Legierungssystem Ga-Al-In-P-As 141

Legierungstechnik

Legierungsverhalten

Leiter

Leiter

Leiterbahnen Leiterplatten

Leiterschleife

Leitertechnik

Leitfáhigkeit

Leitungsband

Leitungstyp

Lenzsche Regel

Leuchtdiode LichtbogenschweiBung

Lichtemission

Lichtenergie

Lichtquanten

Lichtquellen

Lichtschaltung Lichtwellenleiter

linienförmiger Gitterfehler

Löcher

Löcherkonzentration

Löcherleitung

Löcherstrom

Lochgas

131

32

76

77

100, 105, 106

100, 106, 180 ... 183

203

97 211

76,77,83, 119, 120, 135, 139, 140

146

188

140, 141

105

140 123, 140

140

140

170

150,151,179 ... 181

49

117 124, 126

117,138

longitudinaler piezoelektrischer Effekt

Lorentzkraft

122

119

169

137

Loschmidt-Zahl

Löslichkeit

Lösungsmittel

Löten

4,65

116,117

103 105, 106

246 Index

Luft

Lumineszenzdiode

M

84

140

Mäanderfonn 116

Magnetleld 78,137,193,213

Magnetleldsensor 212

magnetisch isotrop 202

magnetisch leichte Achse 200

magnetisch leichte c-Achse 199

magnetisch leichte Richtung 195

magnetischer Arbeitspunkt 209

magnetische Dipoldichte 188

magnetische Domänen 193

magnetischer Erzscheider 81,82

magnetische Hysteresekurven 196

magnetisches Moment 190, 191, 195

magnetisches Ablenksystem 216

magnetische Abschinnung

magnetische Eigenschaften

magnetische Feldenergie

magnetische Polarisation

magnetische Suszeptibilität

magnetische Verluste

magnetische Pole

Magnetisierung

Magnetisierungsrichtung

Magnetisierungsvektor

Magnetit

Magnetkeme

magnetoelastischer Sensor

Magnetoplumbitstruktur

206

207

193

85

188

207

202

188,200,202,205

201

194 ... 196

192

211

213

217

magnetoresistiver Permalloysensor 213

Magnetwerkstoff 116, 211, 217

Majoritätsträgerdichte 124

Makromo1ekül 172, 173, 176, 177

makroskopische Magnetisierung 202

Masse

Masse ei nes Elektrons

Massenkunststoffe

Materia1ermüdung

66

2

176

60

Matrix

Matrixphase

Matthiessensche Regel

26,40,185,186

26

94

maximal erreichbare Permeabilität 198

maximales remanentes Energieprodukt 208

Maxwellsche Gleichungen 90

mechanische Eigenschaften 41

mechanische Kraft 41

mechanische Spannung 47

mechanische Werkstoffprüfverfahren 60

mechanische Belastung 41

mechanischer Druck 135

mechanische Spannung 42,168

MeiBner-Ochsenfeld-Effekt 78

Mesatechnik 131

MeBgas 167

Messing

MeBprobe

Metall

34,108

60 16,45,77,93,94,98,105,121

Metall-DehnungsmeBstreifen

Metall-Leiterbahnen

Metall-Oxid-Halbleiter-Übergang

Metall-Temperatursensor

Metalldickschichten

Metalldünnschichten

116

133

129

110

105

105

Metallegierung

metallischer Hartmagnet

metallischer Magnetwerkstoff

metallischer Weichmagnet

metallische Bindung

100, 105, 108

208

204

204,215

9 metallischer Supraleiter 116

metallisierter Polycarbonatkondensator 184

metallisierter Polyesterkondensator 184

metallisierter Polypropylenkondensator 184

Metallisierung 131, 183

MetalIkontakt 139

Metalloxid-Gassensoren

Metallschicht

Metallsensor

Methan

Methanol

Mica

165

103

IlO

11,171

11,171

158

Index 247

mikromechan. Formgebungsverfahren 136 n-Inversionskanal 132 Mikrorisse 58 n-Inversionsschicht 132 Mikrostruktur 196 Nabarro-Herring-Kriechen 57 Miller-Bravais-Notation 23 nadelförmige Ausscheidung 209 Millersche Indizes 23 nadelförmige Dispersion 40 Millersche Notation 23 Nailhead-Bondverfahren 99 MiniaturheiBleiter 164 Natrium 9 Minoritätsträger 129 Natriumchlorid 13 Minoritätsträgerlebendauer 123, 129 Naturkautschuk 177 Mischkristall 26,30,97,115,164 Negativlack 103 Mischkristall mit ortsabhängiger Neodym 191,211

Fremdatomkonzentration 30 Neon 4,6 Mischkristalloxid 215 Neopren-Kautschuk 172 Mischkristallphase 38 Nernst-Gleichung 167 Mischphase 147 Netto-Spinzahlen 190 mittelharter Werkstoff 55 Netzteil 217 mittlere freie Weglänge 128 Neukurve 197 ... 199 mittlere Temperatur 12 Neutron Moduli 43 Newtonsches Gesetz 70,71 Mohs-Härte 63 Ni-Cr 93 Molekulargewicht 172 Nichtoxide 145 Molekül 11, 12, 171 Nickel 191,204,205 Molekülketten 103 Nitride 145 Molwärme 65 NMR-Spektrometer 82 Monomer 172 Normalenrichtung 43 Monomodefaser 151 Normalspannungen 42,43 Monopolladung 90,93 Novolake 182 morphotroper Phasenübergang 169 NPO-Kondensatoren 159 MOS-Diode 132 npn-Transistor 131 MOS-Feldeffekt-Transistor 133 NTC-Widerstand 163, 164 MOS-Transistor 132 Nukleon 1,4 MOS-Übergang 129 n-Pentan 171 MOSFET 133 Motor 218 MPG 169 0 MRI-Tomographen 82 obere Streckgrenze 51,52 Multimodefaser 150 obere kritische Feldstärke 79 Mumetall 206 Oberfläche 19

Oberflächenenergie 58

N Oberflächenladungsdichte 89 Oberflächenleitfáhigkeit 165

n-Halbleiter 126, 127, 129 Oberflächenmontage 106, 109

248 Index

oberflächenmontierte Bauelemente 106

Ohm 74

ohmscher Kontakt 131

ohmscher Widerstand 108

Ohmsches Gesetz 73

Operationsverstärker 133, 134

optischer Datenspeicher 180

optisches Übertragungssystem 152

optische Bestrahlung 143

optische Strahlung 139

optoelektronische Bauelemente 139, 144

optoe1ektronische Halbleitersensoren 170

optoelektronisches Halbleiterbauelement 123

Orbitale 9

Ordnungszahl

Orientierungspolarisation

Orthoferrit

Oxid-Nichtoxid-Verbindung

Oxidation

Oxidationszahl

Oxid

Oxidkeramik

Oxidschicht

Oxnitride

p p-Halbleiter

PA

Palette

Papier

PAR

paramagnetisch

paramagnetischer Werkstoff

Paramagnetismus

parasitäre Induktivität

Partialdruck

Passi vierung

Paste

Pauli-Prinzip

Paulischer Paramagnetismus

PB

2,4,5

85 ... 88, 188

215

145

101

5 144,145

163

100

145

126, 127

176,178

102

158

176,181

188,189

193

191

109

168

83, 183

JOO, 102

79

189

177,183

PBT 176,179

PC 176, 180

PE 176,178

PE(E)K 176, 181

Pentan 171

Periodensystem der Elemente 2

peritektisches Zustandsdiagramm 32

peritektische Temperatur 32

Permalloy 206,207

permanente Polarisation 85

permanenter Dipol 85 Permanentmagnet -Werkstoff 210

Permanentmagnet 200,208,213

Permeabilität 198,204,205

Perovskit-Struktur 159

PES 176,181

PET 176, 179, 177

Phase 34,97

Phasenbeziehung 203

Phasendiagramm 32

Phasengrenze 38,39

Phasenübergang 160

Phasenumwandlung 94, 160

Phasenverschiebung 93,204

Phenolharz 177,182

Phonon 66

Phosphat 151

Photodiode 142

Photoemission 141

Photokathode 141

Photolack J03 Photoleiter 123, 124, 139, 142

Photolithographie 103

PhotolithographiepnlZeB 103,151

Photon 140

Photonenenergie 140

Photospannung 142,143

Photozelle 141

physikalisch-chemisches Ätzvcrfahren 104

physikalische Anziehungskraft 8

physikalische Ätzverfahrcn 104

piczoelektrischcs Element 169

Index 249

piezoe1ektrische Sensoren 168,183 Polyimidfilm 181

piezoelektrischer Effekt 168 Polyimidharz 186

piezoelektrischer Koeffizient 168 Polykondensat 172

piezoresistiver Effekt 113 Polykristall 38

Pigment 173 polykristallines Metall 54

pinnen 54 Polymere 158,171,172,178 ... 183

Pinningzentrum 196,197 Polymereinkristall 173

Plasma 104 Polymerfolie 183

plastische Verformung 41,47,48,55,98 Polymerisat 172

plastisches Verhalten 152 Polymerisation 172

Plastizität 47 Polymerkette 173

Platin 78 Polymerlegierung 173

Platin-Temperatursensor 110 Polymemetzwerk 173

Platindraht 111 Polymerschmelze 173

Platinschicht 168 Polymethylmetacrylat 176,179

Platten 185 Polyoxymethylen 176, 179

Plattenkondensator 91,92,157,231 Polyphenylenoxid 176,180

Plexiglas 179 Polyphenylensulfid 176, 181

Pluspol 126 Polypropylen 176, 178

PMMA 176, 179 Polypropylenkondensator 184

pn-Diode 129, 130 Polystyrol 93,172,176,178

pn-Übergang 125, 126, 129, 142, ·143 Polystyrolkondensator 184

Poissongleichung 90,92,126 Polysulfon 176,181

Poissonsche Zahl 44 Polytetrafluorethylen 180

pol are Kunstoffe 83 Polyurethan 172, 177, 182

Polarisation 91 Polyvinylchlorid 172,176,178

Polyacetylen 93,172, 176, 180 Polyvinylidenfluorid 168, 180

Polyaddukte 172 POM 176, 179

Polyamid 172,176,178 Poren 58

Polyarylat 176,181 poröse Platinschicht 166

Polyaryletherketon 181 Porzellan 83, 154, 155

Polybutadien 177, 183 Porzellanisolator 154

Polycarbonat 176,180 positive Elementarladung 117

Polycarbonatkondensator 184 Positivlack 103

Polyester 172,179,182 potentielIe Energie 231

Polyesterkondensator 184 PP 176, 178

Polyether(ether)keton 176,181 PPO 176,180

Polyethersulfon 176,181 PPS 176,181

Polyethylen 172,176,178 Präzisionsteil 179

Polyethylenkette 172 Präzisionswiderstände 109

Polyethylenterephthalat 179 PreBverfahren 175,176

Polyimid 176,179,181 primäres Kriechen 55,56

250 Index

primitive Struktur 21 raumzentriert 21 Propan 171 Reaktionssintèm 148 Proton Reaktionstemperatur 165 PS 17(;, 178 realer Kondensator 93 PSU 176, 181 Reed-Kontakt 213 PTC-Keramik 164 Reed-Relais 213 PTC-Widerstand 165 Reed-Schalter 213 PTFE 180 Reed-Sensor 213 Pufferschicht 183 Referenzgas 167 Pulvermischung 148 Referenztemperatur 113 Pulvertechnik 148 Reflow-Lötverfahren 106 Pulvertechnologie 147 ReflowprozeB 106 punktfOrmige Dispersion 40 Reibungseffekt 54 PunktschweiBtechnik 105 Reibungskraft 71 PUR 177 Reineisen 205 PVC 93, 176, 178 reines Metall 52 PVDF 168, 180 Rekombination 140 pyroelektrischer Sensor 168, 170, 183 Rekombinationslebensdauer 123 pyroelektrischer Effekt 170 Rekombinationsrate 123 PZT 168 rekombinieren 123 PZT -Keramiken 170 relative Dielektrizitätskonstante 91,92

relative Atommasse 4

Q relative Permeabilität 198 Relaxormaterialien 161

Quantenausbeute 141 Remanenz 197, 199,201...203,217 Quantentheorie 9,75, 188 Resol 182 Quarz 144, 168, 169 Restschmelze 30 Quarzglas 149,151,154 Rezipient 102 Quarzkristall 149 Richtung der leichten Magnetisierung 196 Quarzporzellan 154, 154 Rippenwellenleiter 151 Quarzstruktur 148 RiB 58,62,185 quatemäre Legierung 36 RiBausbreitungsenergie 59 Quecksilber 78 RiBbildung 57 Quergleiten 52 RiBkeime 185,186

Rotationsbewegung 43 Rubin 14

R Rutilgitter 14 Rakel 100 Raumladung 215,126,142,143

S Raumladungs-Doppelschicht 125 Raumladungspolarisation 86 ... 88 Salzlauge 33 Raumladungszone 126,127,129,143 Salzsäure 11

Samarium

SAN

Saphir

Sättigungsbereich

191,202,211

176,179

14

119,135

Sättigungskernverfahren 213

Sättigungsmagnetisierung 191, 197,202,204

Sättigungspolarisation 191, 202

Sauerstoff-lonenlei ter 166

Sauerstoffatom

Sauerstoffion

Sauerstoffkonzentration

Sauerstoffmessung

Sauerstoffpartialdruck

Schallerzeugung

Schalter

Schaltungstechnik

Scherspannung

Scherwinkel

Schlagfestigkeit

Schläuche

Schleudern

Schlicker

Schmelze

Schmelzphase

Schmelzpunkt

Schmelztemperatur

Schmieden

Schottky -Defekt

Schottky-Diode

Schottky-Übergang

168, 169

167

167

166

166, 167

170

106

133

42,43,46,47

46

63

178,180,183

103

154

25,38,39

37

105,147

25,34,69,173,174

98

26

129,130

129

Schraubenversetzung 49

Schubmodul 46, 174

Schubspannung 46,47

Schubspannungs-Abgleitungs-Kurve 51,52

Schutzschalter 81

Schwefelpolymere 176

SchweiBtechniken 105

Schwingbreite 60

Schwingkreis 159

Schwingung 64

Schwingungssensor 170

Seigerung 39

sekundäres Kriechen

Selbstinduktion

Selbstinduktion von Spuien

Seltene Erden

Seltenerd-Hartmagnete

Seltenerd-Metalle

semikohärent

Sensor

Sensoreigenschaften

Sensorkennlinie

Sensorschicht

Sensortechnik

Sicherheitsglas

Sicherheitsverglasungen

Sieb

Siebdrucktechnik

Siebung

Silber

Silikat

Silikationen

Index 251

55,56

203

203

191,202

217

211

40

110, 180

IlO

IlO

110

212

185

180

100

100, 103, 161

159

31

144, 151

149

Silikatkeramik 83, 148

Silikon 177,183

Silizid 145

Silizium 15,31,33,76,77,95,116,117,120,206

Silizium-Drucksensor 136,136

Siliziumatom 169

Siliziumkristall

Siliziumscheibe

Sinterhilfsmittel

136

100,102

156

Sintem

Sintertechnik

Sintertemperatur

lOl, 102, 147, 156,211

Si02

SMT

Solarzelle

Sondergase

Source

Source-Elektrode

Spannungs-Dehnungs-Kurve

Spannungsabhängigkeit

Spannungsempfindlichkeit

Spannungskonzentration

147, 162

154

93

106

113, 142, 143

84

132, 132

132

60,176,177

161

116

186

252 Index

Spannungstensor

spektraIe Empfindlichkeit

Spektrum des sichtbaren Lichts

Sperrholz

Sperrichtung

SperrkennIinie

Sperrschichtkondensator

Sperrspannung

Sperrstrom

Spezialkerarniken

spezielle Bruchenergie

spezielle Thermoplaste

spezifische Wärme

spezifische Leitfähigkeit

44 141, 142

141

185

127

130 159, 162

129

127, 129

158

59

176

66

73, 162, 166

spezifischer Widerstand 73,74, 83,93,94, 108, 109, 113, 117, 178

Spinell

Spinellgitter

Spinellstruktur

spontane Magnetisierung

spontane Ausrichtung der magnetischen Momente

spontane Polarisation

SpritzguB

SpritzguBverfahren

Sprödbruch

spröde

spröder Werkstoff

Sprungtemperatur

Spuleninduktivität

Spulenkeme

Spulenkörper

Sputtertarget

Sputterverfahren

SQUID-Sensor

Stabilisator

Stabmagnet

Stabziehen

Stahlbeton

Stapelfolge

stationäres Kriechen

Steatit

192,215

217

192

190, 191

193

170

175

176,186

47,55

176

55

78,80,82

203

212

179

102

103

81

173

209

98

185

17

55

154,155

Stecker

Steckverbinder

Steinsalzstruktur

steuerbare Energiebarriere

Steuerspannung

Stöchiometrieverhältnis

Störstelle

Störstellenleitung

StoBionisation

Streckgrenze

Streckgrenzenüberhöhung

Streifenleiter

Streifenwellenleiter

Streufeld

179 ... 181,183

106 13

131

130

14

115

115

83

51,52

51,52

151

151

200

Streufeldenergie 193 ... 195, 202

Strom-Spannungscharakteristik 128

Strombahn 139

Strombegrenzer

Stromdichtegleichung

Stromdichtegleichungen für Halbleiterwerkstoffe

StromfluB

StromfluB über die Barriere

StromfluBmodell

Stromlinie

Stromsteuerung

StromstoB-Schutz

Stromverstärker

Stromverstärkung

S trukturbrei te

Strukturformel

Strukturisomer

Stufenprofil

Stufenversetzung

Styrol

Styrol-Acrylnitril-Copolymerisat

81, 82

72

122

70

127,129

128

138

133

164

127

130

103

178 ... 183

171

150

48

172

176,179

Sublimationspunkt 147

Submikrontechnik 103

Substrat 100,101,103,107,109,152,183

Substratmaterial 157

supra1eitende Verdrahtung

supraleitender Zustand

81

80

supraleitender Sensor

supraleitender Werkstoff

Supraleiterlogik

Supraleiter I. Art

Supraleiter 2. Art

Supraleitung

Suszeptibilität

switch mode power supply

T Talk

Talkum

Tangentialspannung

Target

Targetatom

Tauchlotverfahren

technische Spannung

81

82

81

78

79

77

189

216

154

155

42

102

102

100

technische Spannungs-Dehnungskurve

technische Thermoplaste

Teilchenbewegung

50

50

176

230

233 Teilchendichte

Teilchenerhaltung

Teilchenstrom 230

Teilchenstromdichte 27, 121.. .123, 232

Teilchentransport 70

teilkohärent 40

teilkristallines Netzwerk 173

Temperaturabhängigkeit 108, 135, 161, 191

Temperaturabhängigkeit des spezifischen Widerstandes 94

Temperaturbereich 113

Temperaturfühler 164

Temperaturgradient 66

Temperaturkennlinie 113

Temperaturkoeffizient 93,97, 108, 109, 135

Temperaturleitzahl 68

TemperaturmeBtechnik

Temperaturreferenz

Temperatursensor

Tensor

temäre Legierung

110

112

113, 135, 163

168

36

Index 253

temäres Zustandsdiagramm

tertiäres Kriechen

tetragonale Kristallstruktur

Textur

37

55,56

199

205,206

thermionisches Modell

thermische Ausdehnung

thermische Dissoziation

thermische Eigenschaften

thermische Leitfähigkeit

thermischer Ausdehnungskoeffizient

129

69

12

64

76

59

thermischer Diffusionskoeffizient 68

thermischer Durchschlag

Thermoelement

Thermopaar

Thermoplast

Thermospannung

Ticonal-Legierungen

tiefe Temperatur

Tiefziehen

Tiegel

Tinte

Titanat

TK Ton

Tonerdeporzellan

Träger

Trägerkörper

Transformator

Traiisistor

Transparenz

Traverse

Treibmittel

Trennisolation

Trennmittel

Trockenätzverfahren

U Übergangselement

Übergangskriechen

ÜberschuBkonzentration

ÜberschuBladungsträger

156

112,143

112

174 ... 176, 178, 179

111,112

209

12

98

101

102

145

97,108,135

154

154

100

III

81,82,179,206

116, 129

179

50

173

179

173

103,104

6, 190

55

124

123, 140

254 Index

Übertrager

Überzüge

UmforrnprozeB

U mforrntechnik

Umgebungstemperatur

Urnhüllung

Urnhüllungsmassen

Ummantelung

Umwandlungstemperatur

UmweltgröBen

unbegrenzte QueUe

ungeordnetes Netzwerk

ungesättigt

ungesättigte Polyester

unpolare Kunstoffe

untere Streckgrenze

untere kritische Feldstärke

Unterschale

UP-Rarz

v Vakuum-Aufdampfanlage

206

182

98

98

65, 157

182

181

178, 183

160

134, 135

29

148

182

177

83

51,52

79

2,4

177,182

101

Vakuumpumpe 102

Valenzband 76,77,83,119,120,135,139,140

Valenzelektron 65, 116

Van Vleckscher Paramagnetisrnus 189

Vehikel 100

Vektor

Verbindungstechnik

verbotene Zone

Verbundwerkstoff

Verdrahtung

Verfestigung

Verfestigungsrate

Verformungskarte

Verformungskurve

Verformungstemperatur

VergieBen

VerguBmasse

verlustbehaftete Induktivität

Verlustfaktor

22

105,106

76, 120

45,60,185

98,105,133

52,58

52

57

49

48

183

177,182

204

204

verlustfreie Induktivität

verlustfreie Spule

Verlustleistung

Verlustwinke1

Vemetzung

Verschiebung

Verschiebungsbewegung

Versetzung

Versetzungsaufspaltung

Versetzungsbewegung

Versetzungsdichte

Versetzungslinie

Versetzungsstruktur

Verunreinigungen

Verzerrungstensor

Vibrationsfestigkeit

Vielschichtkondensator

Vierstoff-Legierung

Vinylchlond

203

204

156

94,160,207

177

42

43

49,52,54,199

54

54,56

58

47,49

54

94, IlO

44

111

161, 162

36

172

viskos 152

Viskosität 152

voUständig mischbare Zweistofflegierungen32

Volumendichte 232

Volumenerhaltung

von auBen meBbare Spannung

Vorzugsorientierung

Vulkanisieren

44

142

188

177

w Wägetechnik

Walzen

Walzziehen

Wärme

Wärmeenergie

Wärmeerzeugung

Wärmekapazität

Wärme1eitfahigkeit

Wärmeleitung

Wärmestromdichte

Wasser

Wasseraufnahme

116

206

98

65

64

109

65

67, 152, 155, 156, 186

66

67

II

178

Wasserstoffatorn

Wasserstoffrnolekül

Wechselfeldabrnagnetisierung

Wechselstrornwiderstand

Wechselwirkung

4

9

199

93

2, 10, 19,54

Wechselwirkung der Versetzungen 52

W edge-Bondverfahren 99

Weichferrit

Weichlot

Weichrnacher

Weichrnagnet

weichrnagnetisch

217

105

173

196

197

weichrnagnetische Werkstoffe 203,209

WeiBsche Bezirke 193, 194, 196, 211

Werkstoffeigenschaft 4 I

Werkstoffkriechen 55

Werkstofflegierung

Whisker

Widerstand

Widerstandsbahn

Widerstandsbauelernent

Widerstandslegierung

Widerstandswerkstoff

Windungszahl

Wirbelströrne

Wirbelstrornsensor

Wirbelstrornverluste

Wirkwiderstand

Wirtsgitter

Wolfrarn-Heizwendel

work hardening

Würfeltextur

z Zähigkeit

Zeigerdiagrarnrn

ZeIlen

ZeIlulosefaser

ZerfaIl der Legierung

Zersetzung

zerstörende Prüfverfahren

25

186

73,108

111

109

108

207

204

207,208

213

206,211,215

93

26

101

52

205,206

59, 181

93

21

185

39

179

60,61

zerstörungsfreie Prüfverfahren

Zinkblende

Zinkblendestruktur

Zinn

Zirkon

Zugfestigkeit

Zugrnaschine

Zugspannung

Zugversuch

Zuleitung

Zündgerät

zusarnrnengesetzte ZeIlen

zusätzliche Halbebene

Index 255

61

13

15

33

154

51

51

50,58

49,50

111

182

22

49

Zustandsdiagrarnrn 30 ... 32,34,97, 145, 147

Zweiphasenpolyrner 173

Zweistofflegierung 32

Zwischengitterdiffusion

Zwischengitterplatz

27

26

Werkstoffe und Bauelemente der Elektrotechnik Herausgegeben van Prof. Dr. Hanno Schaumburg, Hamburg-Harburg

Band 1: Werkstoffe 1990. x, 398 Seiten mit 293 Bildem und 54 Tabellen. Geb. DM 64,- ISBN 3-519-06123-6

Band 2: Halbleiter 1991. XII, 614 Seiten mit 683 Bildem und 29 Tabellen. Geb. DM 89,- ISBN 3-519-06124-4

Band 3: Sensoren 1992. X, 517 Seiten mit 790 Bildem, 48 Tabellen und 14 Datenblätter. Geb. DM 79,- ISBN 3-519-06125-2

Band 4: Quanten In Vorbereitung. ISBN 3-519-06126-0

Band 5: Keramik 1993. In Vorbereitung. ISBN 3-519-06127-9

Band 6: Polymere 1993. In Vorbereitung. ISBN 3-519-06145-7

Band 7: Datenspeicherung In Vorbereitung. ISBN 3-519-06146-5

Band 8: Sensoranwendungen 1993. In Vorbereitung. ISBN 3-519-06147-3

Band 9: Bipolare integrierte Schaltungen In Vorbereitung. ISBN 3-519-06148-1

Band 10: MetalIe In Vorbereitung. ISBN 3-519-06149-X

Preisanderungen vorbehalten

B. G. Teubner Stuttgart